Патенты принадлежащие Акционерное общество "НПО "Орион" (RU)
Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, в частности одно- и многоэлементных фотодиодов на антимониде индия (InSb), и может быть использовано при изготовлении линейных и матричных фотодиодов.
Способ формирования омических контактов к кремнию на основе двухслойной системы металлизации Ti/Au // 2790272
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для формирования омических контактов в кремниевых приборах, например, приборов, к которым относятся фоточувствительные элементы, работающие в фотовольтаическом режиме, ограничительные диоды, выпрямители, солнечные элементы и др.
Способ изготовления двухспектрального фоточувствительного элемента на основе барьера Шоттки // 2790061
Способ используется для изготовления двухспектральных фоточувствительных устройств, предназначенных для независимой регистрации излучений в ближнем ультрафиолетовом (УФ) и среднем инфракрасном (ИК) диапазонах спектра.
Устройство для аналого-цифрового преобразования фототока в цифровой код относится к области интегральной микроэлектроники и предназначено для систем обработки оптической информации, в частности, при преобразовании сигнала в ячейках считывания фоточувствительных матриц.
Способ получения распределения чувствительности по площади пикселя матричного фотоприёмника // 2783220
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников (ФП) и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения, в том числе гибридных. Способ получения распределения чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника (МФП) с помощью сканирующей маски при температуре жидкого азота включает то, что измерения осуществляют неразрушающим способом при помощи пластины, прозрачной в области спектральной чувствительности МФП с частично закрытыми металлическим слоем непрозрачными областями, которая контактируется металлической поверхностью непосредственно с МФП под тяжестью собственного веса в зондовой установке открытого типа и выравнивается по углу поворота в горизонтальной плоскости при поднятии зондового манипулятора с фиксированным расположением контактов относительно БИС считывания до уровня верхнего края пластины, порезанной по линиям, параллельным направлению расположения окошек в маске, и сдвигом ее по оси перпендикулярно линии выравнивания фиксированных зондов, а перед размещением пластины с маской МФП калибруется с проведением двухточечной коррекции для выравнивания чувствительности.
Изобретение относится к области материаловедения, в частности к области формирования диэлектрических покрытий на поверхности антимонида индия (InSb) ориентации (100) n-типа проводимости, и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов.
Способ изготовления фотоприемника // 2781461
Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники, а именно к технологии изготовления фотоприемников с высокой фоточувствительностью, и может быть использовано для создания как дискретных, так и матричных фотоприемных устройств (МФПУ) для регистрации объектов в условиях малой освещенности в видимом и ближнем ИК диапазонах спектра.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в изготовлении матричных фоточувствительных элементах (МФЧЭ) на квантовых ямах (QWIP). Задачей настоящего изобретения является способ определения достаточности глубины ионно-лучевого травления сложных полупроводниковых структур с отличающимися по скоростям травления составляющих структуру слоев, с наклонными боковыми поверхностями меза-элементов матрицы, с обеспечением необходимой достаточности глубины травления структуры до нижнего контактного слоя n+, не допуская нарушения связности (целостности) нижнего контактного слоя, что обеспечивает разделение сплошной ГЭС структуры на множество меза-элементов матрицы, соединенных нижним контактным слоем, открытым для соединения со схемой считывания.
Использование: для оценки кристаллической структуры приповерхностных слоев антимонида индия (100). Сущность изобретения заключается в том, что используют рентгеновское излучение, измеряют интегральную интенсивность отраженного рентгеновского излучения, при этом на рентгеновском дифрактометре в монохроматическом излучении измеряют интегральную интенсивность рентгеновских дифракционных максимумов излучения в окрестности узла обратной решетки [220], проводят построение карт обратного пространства (КОП), оценку качества полировки на финишном этапе проводят по значению разности интенсивности между диффузной компонентой, возникающей из-за структурных нарушений, и динамической компонентой интенсивности рентгеновского излучения.
Способ сборки жестких зондовых головок // 2753495
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии изготовления жестких зондовых головок, предназначенных для осуществления электрической связи контактных площадок кристаллов БИС с внешними схемами контроля и измерения параметров БИС.
Способ изготовления матричного фотоприемника // 2749957
Изобретение относится к технологии многоэлементных матричных фотоприемников (МФП) на основе полупроводниковых материалов, чувствительных в широком спектральном диапазоне, в том числе МФП с фоточувствительной базовой областью на основе различных полупроводниковых материалов.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в изготовлении матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) на квантовых ямах (QWIP). Способ формирования меза-элементов матричных фоточувствительных элементов на квантовых ямах включает ионное травление аргоном, при этом осуществляют ионное травление аргоном структур из чередующихся слоев AlxGa1-xAs при x=0,27 и слоев квантовых ям из GaAs:Si до нижнего контактного слоя GaAs n+, при этом время, необходимое для ионного травления указанных структур с известными значениями толщин слоев на требуемую глубину, определяют как сумму времени ионного травления слоев квантовых ям GaAs:Si и слоев AlxGa1-xAs при x=0,27, определяемых по известным значениям скорости травления этих слоев.
Изобретение относится к материаловедению может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Состав меза-травителя для антимонида индия ориентации (100) включает плавиковую кислоту, перекись водорода и воду при следующем соотношении компонентов (объемные доли): 2 части 46% плавиковой кислоты ОСЧ, 2 части 30% перекиси водорода ОСЧ и 450 частей деионизованной воды.
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и касается устройства считывания с временной задержкой и накоплением (ВЗН) сигналов в цифровом виде с многоэлементных фотоприемников инфракрасного излучения.
Способ изготовления жестких зондовых головок // 2730888
Использование: для контроля статических и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС, в том числе для считывания информации с матриц ИК фоточувствительных элементов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления жесткой зондовой головки, предназначенной для электрического соединения контактных площадок БИС со схемой измерения, заключается в сборке жесткой зондовой головки с использованием формирующего и армирующего колец, при этом формирующее и армирующее кольца изготавливают круглой формы с концентрическими отверстиями, после сборки жесткой зондовой головки к внутренней части армирующего кольца и прилегающему к ней ряду зондов приклеивают дополнительные диэлектрические вставки в виде сегментов с внешним диаметром, равным внутреннему диаметру армирующего кольца, и внутренней частью дугообразной формы для выравнивания длин зондов в центре и по краям рядов зондов.
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС. Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 не) при напряжениях смещения порядка 200 В.
Изобретение относится к двухспектральным фотоприемным устройствам, предназначенным для детектирования излучений в ближнем УФ спектральном диапазоне и среднем ИК спектральном диапазоне. Устройство согласно изобретению содержит фоточувствительные элементы с барьером Шоттки для независимой регистрации ультрафиолетового и инфракрасного излучений.
Многоэлементный фотоприемник // 2703497
Многоэлементный фотоприемник с тонкой фоточувствительной базой, включающий матрицу фоточувствительных элементов из одного из полупроводниковых материалов CdxHg1-xTe, InSb, InGaAs, QWIP, соединенную со схемой считывания индиевыми микроконтактами, с антиотражающим покрытием, обеспечивающим минимальное отражение в спектральном диапазоне чувствительности фотодиодов, отличающийся тем, что антиотражающее покрытие создают с уменьшенными механическими напряжениями последовательным вакуумным напылением кремния методом электронно-лучевого испарения со скоростью осаждения 0,08 нм/с и слоя фторида иттрия методом резистивного испарения со скоростью осаждения 0,7 нм/с.
Изобретение относится к материаловедению, в частности к области обработки поверхности антимонида индия (InSb) ориентации (100) травителем для создания меза-стуктуры, и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов.
Изобретение относится к крупноформатным сканирующим ИК матричным фотоприемным устройствам (ИК МФПУ). Изобретение позволяет повысить значение порогового фотоэлектрического параметра при одновременном повышении стойкости к механическим нагрузкам при сохранении габаритов, теплопритоков, энергопотребления и массы МФПУ.
Изобретение относится к способам измерения абсолютной спектральной чувствительности многоэлементных или матричных ИК фотоприемников (ИК МФПУ). Способ позволяет за одно измерение определить абсолютную спектральную чувствительность всех фоточувствительных элементов (ФЧЭ) ИК МФПУ.
Способ изготовления кремниевого фотодиода // 2689972
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,3-1,06 мкм, которые могут быть использованы в электронно-оптической аппаратуре. Одним из основных параметров таких ФД является величина темнового тока при рабочем напряжении, определяющая уровень шума ФД и, следовательно, его пороговую чувствительность.
Изобретение относится к технологии изготовления многоэлементных матриц фотоприемников на пластине с тонкими функциональными слоями может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения.
Изобретение может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа. Способ повышения точности контроля качества стыковки БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) включает установку состыкованного модуля в держатель под небольшим углом к оптической оси объектива микроскопа так, чтобы в поле зрения микроскопа появились сфокусированные действительное изображение края МФЧЭ и мнимое изображение того же края МФЧЭ, зеркально отображенное от плоскости БИС считывания.
