Патенты принадлежащие Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности АО "Гиредмет" (RU)
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов арсенида галлия, являющихся перспективными для использования в микроэлектронике, солнечной энергетике и ИК-оптике. Устройство для выращивания монокристаллов арсенида галлия методом Чохральского включает ростовую водоохлаждаемую камеру с установленным внутри камеры тиглем с расплавом, вокруг стенок которого установлен графитовый нагреватель штакетного типа с расположенным вокруг него индуктором, который выполнен из трех графитовых катушек А,В,С, соосно расположенных одна над другой, каждая из которых выполнена в виде 4 графитовых колец 14 прямоугольного сечения с прорезами, ступенчато соединенных в витки графитовыми вставками 16 и скрепленными шпильками 17 из композитного материала, соединяющими все 12 колец в единую конструкцию, при этом между графитовыми кольцами 14 катушек А, В, С установлены электроизоляционные керамические вставки 15, к началам катушек А, В, С присоединены композитные планки, подключенные к токовводам 19, концы катушек А, В, С электрически соединены с помощью композитных планок по схеме «звезда», индуктор и нагреватель имеют индивидуальные источники питания с возможностью независимого друг от друга функционирования и управления.
Изобретение относится к технологии получения высокочистого тетрахлорида кремния и может быть использовано в производстве тетрахлорида кремния оптического качества, применяемого в технологии синтеза сцинтилляционных материалов, предназначенных для создания детектирующих медицинских систем, и в полупроводниковой промышленности для производства высокоомных эпитаксиальных структур.
Способ получения порошков тантала // 2647073
Изобретение относится к получению порошка тантала. Способ включает активацию слитка тантала нагреванием до 700-900°C и гидрирование в атмосфере водорода при избыточном давлении 0,01-0,3 МПа с использованием в качестве источника водорода насыщенного гидрида интерметаллического соединения LaNi4Co, измельчение синтезированного гидрида тантала до заданной степени дисперсности и дегидрирование полученного порошка ТаНх в две стадии.
Изобретение относится к получению мелкодисперсного сферического титансодержащего порошка. Способ включает гидрирование исходного материала в виде слитков, проката и отходов проката титана и сплавов на основе титана, измельчение и рассев гидрированного материала, дегидрирование, измельчение, рассев, классификацию и последующую сфероидизацию порошка.
Изобретение относится к области технологий получения эпитаксиальных оксидных сверхпроводящих покрытий на металлической подложке, предварительно покрытой биаксиально текстурированным оксидным слоем и буферными оксидными слоями, или на биаксиально текстурированной металлической подложке, предварительно покрытой оксидными буферными слоями, и может быть использовано для получения сверхпроводящих проводников второго поколения.
Способ селективного извлечения иттрия и европия из продуктов переработки отходов люминофоров // 2622474
Изобретение относится к способу селективного извлечения иттрия и европия из продуктов переработки отходов люминофоров. Способ включает растворение исходного продукта, взятого в виде плава хлоридов, в дистиллированной воде.
Использование: для получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения включает нанесение на гибкую металлическую текстурированную подложку или на металлическую подложку, покрытую промежуточным биаксиально текстурированным оксидным слоем, по меньшей мере, одного эпитаксиального оксидного буферного слоя из прекурсора, получаемого из золя оксида-гидроксида выбранного элемента или нерастворимой соли выбранного элемента в водном растворе температурно-зависимого полимера, путем нагревания при температуре, превышающей температуру фазового перехода температурно-зависимого полимера, нанесение на буферный слой, по меньшей мере, одного эпитаксиального слоя сверхпроводникового материала и его термообработку, при этом после нанесения эпитаксиального оксидного буферного слоя осуществляют его обработку в переменном магнитном поле с амплитудой напряженности не более 0,10 Тл и частотой 10-40 Гц в течение 100 и более секунд.
