Патенты принадлежащие федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" (RU)
Способ укрепления стенок карстовой воронки // 2732874
Изобретение относится к области геоморфологии и может быть использовано для укрепления стенок карстовых воронок, а на длительном промежутке времени при полном заполнении полости карстовой воронки минеральной грибной породой для ликвидации карстовых воронок.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к системам вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Технический результат заключается в повышении надежности магистрально-модульного преобразователя напряжения со смешанным резервированием.
Изобретение относится к медицинским технологиям, а именно электроэнцефалографии, и может быть использовано для исследования биоэлектрической активности мозга, проектирования интерфейсов мозг-компьютер, определения и анализа диагностических параметров для постинсультной нейрореабилитации и диагностики нейродегенеративных заболеваний.
Изобретение относится к области биометрии, а именно к регистрации слабых магнитных полей биологических объектов. Сущность изобретения заключается в возможности использования общего для всех датчиков резонансного радиочастотного (РЧ) поля, имеющего постоянную частоту, либо привязанного по частоте к магнитному полю, измеряемому одним или несколькими датчиками многоканальной диагностической системы, обеспечивается динамическая компенсация сдвига центра линии магнитного резонанса (возникающего в каждом датчике вследствие вариаций локального поля и пропорционального этим вариациям), осуществляемой посредством замыкания обратной связи для управления интенсивностью света накачки, и как следствие - величиной светового сдвига линии магнитного резонанса.
Изобретение относится к области электроники, в частности к охлаждению теплонапряженных компонентов электронных приборов, включая гаджеты (айфон, айпэд, планшет и т.п. мобильные устройства) и компьютеры, и может быть использовано для обеспечения эффективного отвода тепла от теплонапряженной интегральной микросхемы процессора, установленного на материнской печатной плате мобильного устройства либо переносного компьютера.
Использование: для создания интегральных схем памяти с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что бистабильная ячейка памяти на базе однослойной наноструктуры, имеющая горизонтально ориентированные слои, содержит диэлектрическую подложку, размещенные на диэлектрической подложке первый, второй логические транзисторы, первый, второй нагрузочные диоды и выполнена наноразмерной со ступенчатым профилем, где рабочие переходы «база-эмиттер», «база-коллектор» двух транзисторов являются поверхностными переходами, которые обладают низкой мощностью потребления и наименьшими поверхностями переходов.
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. В интегральном логическом элементе ИЛИ-НЕ на основе однослойной трехмерной наноструктуры, содержащем первый и второй логические транзисторы, нагрузочный резистор и подложку, логическая структура выполнена наноразмерной со ступенчатым профилем.
