Патенты принадлежащие Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ") (RU)

Изобретение относится к области дозиметрии. Способ измерения мощности дозы импульсного тормозного излучения дозиметром гамма-излучения со счетчиком Гейгера-Мюллера путем измерения мощности дозы от контролируемого источника в точках проведения радиационного контроля содержит этапы, на которых предварительно проводят измерения зависимости показаний дозиметра от мощности дозы контролируемого источника импульсного тормозного излучения, определяют мощность дозы, соответствующую «плато» полученной зависимости, при котором показания дозиметра не изменяются с увеличением мощности дозы, и рассчитывают скорректированное значение мощности дозы импульсного излучения по формуле где: - скорректированная мощность дозы импульсного излучения, - мощность дозы импульсного излучения, полученная в результате прямых измерений дозиметром, - мощность дозы импульсного излучения в области «плато».

Изобретение относится к способу получения магнитных пленок, используемых в устройствах спинтроники и магноники. Способ получения пленки нитрида пермаллоя FexNi1-xN, причем 0,23≤x≤0,27, включает осаждение упомянутой пленки на подложку методом реактивного магнетронного распыления мишени.

Изобретение относится к аналитическому и медицинскому приборостроению, а именно к области химического анализа биологических материалов, и может быть использовано при исследовании жидких биологических и медицинских проб, при экспресс-диагностике заболеваний в составе биочипов или лабораторий-на-чипе, в лабораторных и полевых условиях.

Изобретение относится к способу получения биоактивной мембраны фильтра осмотического действия для водоподготовки на основе высококремнеземного пористого стекла путем обработки высококремнеземного пористого стекла биоактивным соединением.

Изобретение относится к области измерительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что акселерометр для измерения линейных ускорений дополнительно содержит интегрирующее устройство и контроллер, выполняющий функцию формирования на своем выходе управляющий сигнал с периодом, кратным целому числу периодов знакопеременного сигнала опорной частоты, причем второй выход генератора знакопеременного сигнала опорной частоты соединен с входом контроллера, один из входов интегрирующего устройства соединен с выходом усилителя заряда, а второй - с выходом контроллера, а выход интегрирующего устройства является информационным выходом акселерометра.

Изобретение относится к медицине. Технический результат заключается в повышении точности измерения интенсивности принятого света, на основании которой определяется концентрация глюкозы.

Использование: для экранирования электромагнитных полей. Сущность изобретения заключается в том, что электромагнитный экран содержит герметичную оболочку, внутри которой расположена гелеобразная композиция, образованная гелем с частицами материалов, взаимодействующих с электромагнитным излучением, оболочка выполнена из материала с низкой паропроницаемостью, дисперсионная среда геля является диэлектрической жидкостью, при этом частицы материалов, взаимодействующих с электромагнитным излучением, обладают минимальным отражением электромагнитного излучения и максимальным поглощением электромагнитного излучения, а содержание в гелеобразной композиции частиц материалов, взаимодействующих с электромагнитным излучением, составляет не более 50 мас.

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC включает сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на пластину затравочного монокристалла SiC, где стадию роста монокристалла SiC проводят в атмосфере газовой смеси инертного газа и водорода, при этом в камере роста размещают имеющий отверстие в дне тигель путем его установки на держателе тигля, имеющем осевое сквозное отверстие, таким образом, что отверстия в дне тигля и в держателе образуют канал для прохода газов, а в зоне расположения источника SiC обеспечивают возможность размещения источника SiC в тигле, имеющем отверстие в дне, путем размещения соосно отверстию в дне тигля цилиндрической графитовой втулки, внутренний диаметр которой, по меньшей мере, равен диаметру отверстия в дне тигля, с образованием области для размещения источника SiC между внутренней поверхностью тигля и внешней поверхностью втулки или путем размещения закрепленной на внутренней поверхности стенок тигля пластины из пористого графита над дном тигля с образованием области для размещения источника SiC, ограниченной внутренней поверхностью тигля и верхней поверхностью пластины.

Изобретение относится к области коллоидной химии и может быть использовано для получения магнитных жидкостей, применяемых в медицине для доставки лекарственных препаратов в требуемые органы живых организмов.

Использование: для определения адгезионной прочности несплошных наноструктурированных покрытий. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения адгезионной прочности покрытий к подложке включает выбор области покрытия, проведение воздействия на выбранную область, регистрацию данных о воздействии, анализируя которые судят об адгезионной прочности покрытий к подложке, при выборе области покрытия выделяют ряд участков покрытия, содержащих в совокупности по меньшей мере семь одиночных одномерных пьезоэлектрических нанообъектов, на каждый из выбранных участков проводят воздействие электрическим полем в режиме силовой микроскопии пьезоотклика, при этом регистрируют в виде изображения топографии участков и изображения пьезоотклика, визуально анализируя которые выявляют наличие ступенчатых переходов на изображениях пьезоотклика, которые характеризуют разделение одиночных одномерных пьезоэлектрических нанообъектов выбранных участков на часть нанообъектов, жестко закрепленную на подложке, и часть нанообъектов, незакрепленную на подложке, по изображениям топографии выбранных участков определяют общее количество содержащихся на участках нанообъектов и по изображениям пьезоотклика определяют количество нанообъектов на участках, характеризующихся ступенчатым переходом, по отношению (А) между общим количеством выявленных нанообъектов и количеством нанообъектов, характеризующихся ступенчатым переходом, судят об адгезионной прочности всего покрытия, при А<0,3 определяют отсутствие адгезионной прочности, при А>0,7 определяют максимальную адгезионную прочность.

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на пластину затравочного монокристалла SiC, размещенную на держателе в форме плоского кольца, при этом на пластину затравочного монокристалла SiC со стороны, не предназначенной для роста монокристаллического слитка SiC, наносят один или несколько слоев, обеспечивающих термохимическую стабильность и заданные температурные условия на поверхностях пластины затравочного монокристалла SiC, а держатель с пластиной затравочного монокристалла SiC устанавливают в тигле таким образом, чтобы поверхность пластины, предназначенная для роста слитка монокристаллического SiC, была обращена внутрь тигля и контактировала при проведении сублимации с газовой средой внутри тигля.

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает размещение в камере роста 1 тигля 6 с источником SiC 12 и закрепленной на крышке 7 тигля 6 затравочной пластиной SiC 11, создание в камере роста 1, путем ее нагрева нагревателем 4, с учетом теплоизолирующей способности теплового экрана 3, необходимого осевого распределения температуры, обеспеченного высокими градиентами температуры в верхней и нижней зонах камеры роста и низкими градиентами температуры в зоне максимального нагрева, находящейся между верхней и нижней зонами камеры роста, в которой при температуре, обеспечивающей сублимацию, расположен рабочий объем тигля, при этом сублимацию проводят в тигле 6, крышка 7 которого закреплена с сохранением рабочего объема тигля на уступе, выполненном на внутренней поверхности боковых стенок тигля, высота Н которых превышает продольный размер h рабочего объема тигля, а часть боковых стенок, находящихся над крышкой 7 тигля 6, расположена в верхней зоне камеры роста таким образом, что торец 10 боковой стенки тигля размещен при температуре от 1000 до 1500°С.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства электронных приборов на карбиде кремния (SiC), например, МДП транзисторов с улучшенными рабочими характеристиками.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC 6 на затравочную пластину 5 из монокристаллического SiC, закрепленную на крышке 3 ростовой ячейки внутри цилиндрического канала, сформированного в ростовой ячейке, при размещении источника SiC 6 в полости, образованной стенками ростовой ячейки, цилиндрического канала и дном 4 ростовой ячейки, и прохождении паровой фазы источника SiC через стенку цилиндрического канала, при этом ростовая ячейка выполнена из нескольких, расположенных последовательно друг над другом, секций 1 для размещения источника SiC 6 и секции 2 для формообразования слитка монокристаллического SiC, выполненной в виде полого графитового цилиндра, на которой расположена крышка 3 ростовой ячейки с затравочной пластиной 5 из монокристаллического SiC, а каждая из секций 2 для размещения источника SiC 6 выполнена в виде двух цилиндров, расположенных соосно один внутри другого с радиальным зазором, внутри которого нижние кромки цилиндров герметично соединены дном с образованием кольцевой полости для размещения источника SiC 6 и внутреннего цилиндрического канала секции, при этом высота внешнего цилиндра превышает высоту внутреннего цилиндра, а цилиндрический канал ростовой ячейки формируют, соосно последовательно располагая секции 1 для размещения источника SiC 6 и секцию 2 для формообразования слитка монокристаллического SiC на дне 4 ростовой ячейки.

Изобретение относится к области диагностики железнодорожного пути. Устройство для контроля положения рельсового пути в горизонтальной плоскости согласно изобретению содержит вычислительный блок, в состав которого входят два блока пересчета координат, две линии задержки на 12,5 метров, две линии задержки на 17 метров, линию задержки на 50 метров, сумматор и блок нормировки.
Наверх