Патенты принадлежащие Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") (RU)
Способ изготовления фотопреобразователя // 2725521
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам изготовления трехкаскадных фотопреобразователей. Способ изготовления фотопреобразователя, согласно изобретению, включает формирование контактной металлизации на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вытравливание мезы, вжигание контактов, разделение полупроводниковой структуры на чипы дисковой резкой, удаление контактного слоя многослойной полупроводниковой структуры химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении гидроокиси тетраметиламмония 0,3÷0,7 масс.
Изобретение относится к области конструкции и технологии оптоэлектронных приборов. В способе изготовления фотопреобразователя на утоняемой германиевой подложке с выводом тыльного контакта на лицевой стороне полупроводниковой структуры, согласно изобретению включающем: создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию, вытравливание мезы, нанесение защитного покрытия, стравливание подложки, удаление защитного покрытия, напыление слоев тыльной металлизации, отжиг контактов, разделение пластины, вскрытие оптического окна, напыление просветляющего покрытия, выпрямление фотопреобразователя со встроенным диодом путем охлаждения в азоте, создают дополнительно меза-изолированную контактную площадку для вывода тыльного контакта фотопреобразователя, формируют лазером углубления под вышеназванной меза-изолированной контактной площадкой и по периметру фотопреобразователя, наносят защитное покрытие формированием последовательно слоев позитивного и негативного фоторезистов методом центрифугирования и слоя быстросохнущей эмали методом распыления, наклеивают пластину защитным покрытием на выступы диска-носителя, стравливают подложку до эпитаксиальных слоев в углублениях с одновременным разделением пластины на чипы фотопреобразователей, вытравливают эпитаксиальные слои в углублениях, а после напыления слоев тыльной металлизации удаляют защитное покрытие с одновременным откреплением чипов фотопреобразователей от диска-носителя, выпрямляют чипы после отжига контактов и напыления просветляющего покрытия.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к технологии изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge. Способ изготовления фотопреобразователей на утоняемой германиевой подложке, включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и диода, вытравливание мезы, нанесение защитного покрытия, стравливание подложки, удаление защитного покрытия, напыление слоев тыльной металлизации, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, нанесение просветляющего покрытия, разделение пластины, выпрямление фотопреобразователя со встроенным диодом путем охлаждения в азоте, при этом после вытравливания мезы формируют углубление в меза-канавке дисковым резом, наносят защитное покрытие формированием последовательно слоев позитивного, негативного фоторезистов методом центрифугирования и слоя быстросохнущей эмали методом распыления, наклеивают пластину защитным покрытием на выступы диска-носителя, стравливают подложку химико-динамическим травлением в водном растворе плавиковой кислоты и перекиси водорода до углубления в меза-канавке с одновременным разделением пластины на чипы, после напыления тыльной металлизации удаляют защитное покрытие с одновременным откреплением чипов от диска-носителя, а выпрямляют чипы после отжига контактов и напыления просветляющего покрытия.
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для совмещения рисунков на фотошаблоне и полупроводниковой пластине в процессе ее фотолитографической обработки и может быть применено при изготовлении фотопреобразователей.
Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления солнечных элементов, а именно: к технологии изготовления радиационно-стойкого защитного стекла для фотопреобразователей.
Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя // 2681660
Изобретение относится к солнечной энергетитке, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя включает создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge с p++и n++ слоями туннельного перехода верхнего каскада, вытравливание капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковых слоев верхнего каскада до n++ слоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты, при этом в процессе вытравливания после возникновения газовых пузырьков по периметру диодного окна в маске их удаляют гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания обрабатывают контактную площадку диода в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5-45% концентрации.
Использование: для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом содержит столик с посадочным гнездом для размещения полупроводниковой пластины, осветитель, микроскоп для визуального контроля совмещения, фотошаблон и трубопровод, связанный со средством откачки воздуха, дополнительно введены фотошаблоны верхнего и нижнего уровней, а столик выполнен в виде опорной плиты, в которой расположено отверстие для засветки тыльной стороны полупроводниковой пластины, при этом посадочное гнездо состоит из фотошаблона нижнего уровня с уплотнительной рамкой, снабженного отверстиями для вакуумного присоса, а также тремя установочными элементами для фиксации расположения полупроводниковой пластины, которые расположены в углублениях фотошаблона верхнего уровня, кроме того, введены три пары механически и электрически контактируемых установочных элементов, закрепленных на фотошаблоне верхнего уровня и на опорной плите, служащих для фиксации расположения фотошаблона верхнего уровня, а фотошаблон нижнего уровня, боковые стенки отверстия в опорной плите, разделительная перегородка и прозрачная для экспонирующего излучения нижняя стенка образуют полости для вакуумного присоса полупроводниковой пластины и фотошаблона верхнего уровня.
Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке заключается в создании на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев металлизации на основе серебра, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окном под меза-травление, вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне германиевой подложки, напыление слоев тыльной металлизации на основе серебра, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, напыление просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Al2O3, электронно-лучевым методом, разделение эпитаксиальной структуры, выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота.
Изобретение относится к устройству для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя и может найти применение в электронной технике. Маска в устройстве расположена с лицевой стороны подложки.
Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры лицевого и тыльного контактов на основе серебра; выполнение меза-изоляции; отжиг контактов; вскрытие оптического окна травлением; нанесение просветляющего покрытия, содержащего слои ТiO2 и Al2O3, методом электронно-лучевого напыления; выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры; выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота; после отжига контактов выпрямление посредством охлаждения в парах азота металлизированной подложки; выполнение дисковой резки эпитаксиальной структуры; далее осуществляют вскрытие оптического окна травлением; наносят просветляющее покрытие последовательным напылением слоев ТiO2 толщиной 5÷35 нм без ионно-плазменного ассистирования, ТiO2 толщиной 10÷40 нм с ионно-плазменным ассистированием, Al2O3 толщиной 70÷80 нм без ионно-плазменного ассистирования, а затем выполняют химико-динамическое травление просветляющего покрытия в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды при следующем количественном соотношении компонентов: 1÷1,5 мас.%, 10÷20 мас.%, 89÷78,5 мас.% соответственно.
Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом относится к солнечной энергетике, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке.
Изобретение относится к области химических технологий и может быть использовано для получения катодных материалов литий-ионных аккумуляторов. Способ получения катодного материала для литий-ионных аккумуляторов включает сжигание исходного реакционного раствора, содержащего смесь нитратов соответствующих металлов и, по крайней мере, один гелирующий агент, в качестве которого используют глицин в количестве 200-400 г на 1000 г безводных нитратов, с последующей сушкой, пропиткой полученного сложного оксида d-металлов соединениями лития и отжигом, в исходный реакционный раствор вводят лимонную кислоту в количестве 650-1000 г на 1000 г безводных нитратов, а также в качестве гелирующего агента кроме глицина используют мочевину в количестве 200-350 г на 1000 г безводных нитратов.
СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ // 2642487
Изобретение относится к устройствам для генерирования электрической энергии путем преобразования энергии светового излучения в электрическую энергию.В солнечной батарее согласно изобретению несущая панель состоит из лицевой и тыльной обшивок, изготовленных из листов упругого материала, перфорированного для облегчения, и соединенных между собой ребрами жесткости, изготовленными из упругого материала; солнечные элементы с наклеенной на каждый из них тс лицевой стороны оптически прозрачной защитной пластиной и защитной пластиной с тыльной стороны, приклеены к лицевой обшивке панели, причем окна перфорации выполнены, а ребра жесткости расставлены в соответствии с габаритами солнечных элементов, с шагом, соответствующим шагу расстановки солнечных элементов.
Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к устройствам химико-динамического травления. Технический результат, достигаемый в предлагаемом устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, заключается в упрощении конструкции и улучшении однородности травления.
