Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет") (RU)

Изобретение относится к области сельского хозяйства, ветеринарии и представляет собой способ лечения нарушений физиологических процессов метаболизма в организме при нодулярном дерматите крупного рогатого скота, включающий введение методом инфузии в вену препарата - 5%-ного раствора гидрокарбоната натрия, отличается тем, что при проявлении симптомов нодулярного дерматита животному препарат вводят однократно в дозе из расчета 1 мл на 1 кг живого веса животного, при сохранении симптомов болезни введение препарата повторяют через сутки.
Изобретение относится к сельскому хозяйству, а именно к защите овощных культур от вредителей. Через каждые 70-80 рядов томатов с междурядьями 120-140 см высаживают по одному ряду рассады баклажана, которые периодически, по мере накопления личинок и взрослых насекомых опрыскивают одним из следующих химических препаратов с чередованием: Децис Профи ВДГ, Стожар СП, Актара ВДГ, Суми-альфа КЭ.
Изобретение относится к полимерным композициям на основе полибутилентерефталата (ПБТ) и может быть применено при создании качественных конструкционных изделий в автомобилестроении, строительной и других отраслях промышленности.
Изобретение относится к сельскому хозяйству. Отдельные 20-метровые ряды огурцов сорта Феникс на вертикальной шпалере размещают вокруг посевов томатов или на межклеточных пространствах на расстоянии не более 70-80 м от самых удаленных растений томата, добиваясь перманентного прироста огурцов.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: на кремниевой подложке p-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом⋅см, с ориентацией (111) выращивают тонкий слой окисла для структуры затвора приборов.
Изобретение относится к области резины, в частности к способу получения жидкой резиновой смеси для защитного покрытия металла, в частности для защиты кузова автомобиля от внешних воздействий. Способ включает смешение в техническом смесителе резиновой крошки-порошка от автомобильных камер и покрышек размером 0,2-2,0 мм, латекса, диметоксиметана, диметилэфира, дибензоата, красителя, воды.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования подзатворного диоксида кремния на кремниевой пластине р-типа проводимости с ориентацией (111) структуры подвергают имплантации однозарядными ионами кислорода с энергией 45-50 кэВ, дозой 3*1012-3*1013 см-2, с последующей термическим отжигом при температуре 650-700°С в течение 4-6 час, в атмосфере азота.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенной радиационной стойкостью. В способе изготовления полупроводникового прибора после окисления затвора производят диффузию золота с обратной стороны кремниевой пластины концентрацией 3*1015-1*1016 см-3, при температуре 930-950°С, с последующим термическим отжигом при температуре 600°С в течение 35 минут.
Изобретение относится к кондитерской промышленности и может быть использовано в производстве шоколада. Способ приготовления шоколада предусматривает смешивание какао тертого, какао масла, сахара и кукурузной муки мелкого помола, при этом зерна кукурузы подвергаются сильной термической обработке от 100 до 120°C, после чего измельчают до мелкого помола, как сахарная пудра.

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов с пониженным сопротивлением. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют контакты на основе силицида платины.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями контактного сопротивления. Изобретение обеспечивает снижение значений контактного сопротивления, повышение технологичности, улучшение параметров прибора, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Наверх