Патенты принадлежащие Общество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД" (RU)
Датчик химического состава вещества // 2761501
Изобретение относится к фотонике, а именно к средствам измерения химического состава веществ и/или характеристик спектров поглощения/отражения с помощью оптических методов. Датчик химического состава вещества содержит по меньшей мере один источник излучения и по меньшей мере один фотоприемник излучения, а также волновод, выполненный из монокристалла.
ДАТЧИК ХИМИЧЕСКОГО СОСТАВА ВЕЩЕСТВА // 2753854
Изобретение относится к фотонике, а именно к методам и устройствам для анализа химического состава вещества (воздуха, жидкостей и твердых тел). Датчик химического состава вещества содержит по меньшей мере одну первую полупроводниковую структуру (1) с р-n переходом (2) и по меньшей мере одну вторую полупроводниковую структуру (3) с р-n переходом (4), оптически связанные и пространственно разнесенные на прозрачной в рабочем диапазоне длин волн подложке (5), чувствительную область (6) для размещения исследуемого вещества, расположенную с тыльной стороны подложки (5), и электрические контакты (8), (9) и (10), сформированные соответственно на р-слое и на n-слое соответственно первой (1) и второй (3) полупроводниковой структуры.
Изобретение относится к фотонике, а именно к средствам измерения химического состава веществ и/или характеристик спектров поглощения/отражения с помощью оптических методов. Монолитный датчик химического состава вещества содержит по меньшей мере одну первую полупроводниковую структуру с р-n-переходом и по меньшей мере одну вторую полупроводниковую структуру с р-n-переходом, пространственно разнесенные на подложке, чувствительную область для размещения исследуемого вещества и электрические контакты, сформированные соответственно на р-слое и на n-слое первой и второй полупроводниковых структур, при этом первая полупроводниковая структура выполнена в виде источника оптического излучения, а вторая полупроводниковая структура выполнена в виде фотоприемника.
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов, предназначенных для детектирования инфракрасного (ИК) излучения при комнатной или иной рабочей температуре.
ПИРОМЕТР // 2726901
Изобретение относится к области измерительной техники и касается пирометра. Пирометр включает в себя по крайней мере два полупроводниковых инфракрасных фотоприемника с возрастающей по ходу входящих лучей граничной длиной волны фоточувствительности, расположенную по ходу входящих лучей оптическую кювету, заполненную газом или газовой смесью, поглощающей часть излучения в рабочем диапазоне длин волн, оптическую систему, обеспечивающую концентрацию излучения от измеряемого объекта по крайней мере на один из фотоприемников, и электронные блоки, обеспечивающие усиление, аналого-цифровое преобразование и обработку электрических сигналов, расчеты, передачу и визуализацию данных.
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного ИК излучения при комнатной температуре. Способ изготовления диодов для средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание полупроводниковых слоев, по крайней мере один из которых поглощает/излучает кванты с энергией 0.2-0.6 эВ, проведение фотолитографии и напыление на полупроводниковые слои n- и р-типа последовательности металлических контактных слоев заданной геометрии, по крайней мере один из которых содержит благородный металл и примеси и по крайней мере один из которых содержит никель и примеси, вжигание контактных слоев при температуре 310-400о С.
Фотодиод для средневолнового инфракрасного излучения содержит подложку и полупроводниковые слои р- и n-типа проводимости, по крайней мере один из которых выполнен из твердого раствора, содержащего атомы индия, мышьяка, сурьмы, фосфора и примесей, с концентрацией носителей заряда в диапазоне от 1016 до 1018 см-3, слой, примыкающий к вышеупомянутому слою из твердого раствора, выполнен из полупроводника типа A3B5 с противоположным слою из твердого раствора типом проводимости и шириной запрещенной зоны, соразмерной с энергией фотонов вблизи низкоэнергетического края фоточувствительности фотодиода, при этом концентрация носителей заряда на границе слоев р- и n-типа проводимости изменяется плавно в направлении, перпендикулярном вышеупомянутой границе.
Изобретение относится к оптоэлектронной технике. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание на подложке из арсенида индия твердого раствора InAs1-x-ySbxPy и разделенные р-n-переходом слои p- и n-типа проводимости, нанесение на поверхность гетероструктуры фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление по крайней мере части фоточувствительного материала, подложки и эпитаксиальной структуры при формировании мез(ы), подготовку поверхности для формирования омических контактов, напыление на поверхность слоев и/или подложки металлических композиций заданной геометрии, при этом согласно изобретению способ включает финальную стадию процесса удаления подложки или ее части при химическом травлении в водном растворе соляной кислоты.
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения. Многоканальный инфракрасный фотоприемный модуль содержит дискретные полупроводниковые фотоприемники (1, 2) с возрастающей по ходу входящих лучей граничной длиной волны фоточувствительности (λ2>λ1) причем пространство между двумя фотоприемниками заполнено оптическим клеем (3) на основе стекла, прозрачного для рабочего диапазона длин волн второго по ходу лучей фотоприемника (2).
Изобретение относится к оптоэлектронным измерительным устройствам и может быть использовано для бесконтактного измерения температуры объекта по его излучению. Устройство включает фокусирующую оптическую систему (2), фотодетектор (1), совмещенный с изображением измеряемой области (4) объекта (5), по меньшей мере три полупроводниковых излучателя (3) видимого диапазона спектра, расположенных вокруг оптической оси фокусирующей оптической системы (2).
ФОТОМЕТР // 2610073
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и может быть использовано, в частности, для дистанционного измерения температуры объектов методами пирометрии. Технический результат - повышение точности и надежности.
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра согласно изобретению включает изготовление многослойной эпитаксиальной гетероструктуры, содержащей подложку из полупроводникового материала A3B5 и разделенные p-n переходом p- и n-области, по крайней мере, одна из которых выполнена из полупроводникового материала с суммарным содержанием атомов индия и мышьяка не менее 40% и является оптически активной в рабочем диапазоне длин волн, подготовку поверхности для формирования омических контактов, нанесение на поверхность фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление, по крайней мере, части фоточувствительного материала, эпитаксиальной структуры и подложки, напыление в вакууме металлической композиции заданной геометрии, содержащей атомы Cr, Au, Ni и примеси, формирование, по крайней мере, одной меза-структуры, при этом процесс напыления металлической композиции начинают с напыления слоя Cr.
