Патенты принадлежащие ИОН БИМ СЕРВИСЕЗ (FR)

Изобретение относится к способу управления устройством для ионной имплантации, содержащим источник (АР) питания плазмы и источник (PS) питания подложки, причем источник питания подложки содержит: электрогенератор (НТ) с заземленным положительным полюсом; первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом указанного генератора (НТ), и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) указанного источника питания подложки; и второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с указанным выходным разъемом (S), а второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N).

Изобретение относится к управляющему модулю для устройства ионной имплантации, имеющему источник питания, содержащий: электрогенератор (НТ) с заземленным положительным полюсом; первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом указанного генератора (НТ) и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) источника питания; и второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с указанным выходным разъемом (S) и второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N).

Изобретение относится к области ионной имплантации с применением плазмы. Устройство для ионной имплантации содержит корпус, соединенный с насосным устройством; отрицательно поляризованный НТ держатель подложки PPS, размещенный в указанном корпусе; и плазмоподающее устройство АР, выполненное в форме цилиндрического тела, проходящего между начальным участком и замыкающим участком.
Наверх