Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" (RU)

Изобретение относится к медицине и предназначено для комбинированного воздействия на шейно-воротниковую зону человека. Устройство содержит гибкое упругодеформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны, выполненное в виде эластичной прослойки, содержащей игольчатые элементы.
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла, с целью защиты поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий.

Изобретение относится к медицине и предназначено для комбинированного воздействия на шейно-воротниковую зону человека. Устройство содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны, выполненное в виде эластичной прослойки, на которой закреплены термоэлектрические модули (ТЭМ), рабочие спаи которых находятся в тепловом контакте с высокотеплопроводной гелевой прослойкой, содержащей термодатчик, а опорные спаи находятся в тепловом контакте с воздушным радиатором.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Способ формирования пленки Ti-Ge на поверхности кремниевой пластины включает размещение кремниевой пластины в установке вакуумного напыления и напыления Ti-Ge в едином технологическом цикле, пленку напыляют толщиной 1,5±0,5 мкм и время напыления составляет 4±2 мин.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны перед напылением. Способ обработки поверхности пластин перед напылением титан-германий (Ti-Ge) включает обработку поверхности кремниевых пластин перед напылением на обратную сторону пластины, проводят обработку травлением, при этом в качестве травителя используют раствор, в состав которого входят: азотная кислота - HNO3, фтористоводородная кислота - HF, деионизованная вода - Н2О следующих соотношениях: HNO3:HF:H2O - 1:10:35, а время обработки поверхности кремниевых пластин при комнатной температуре не более 25±5 с.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Целью изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем (ИС), в частности для формирования активной базовой области. Целью изобретения является равномерность разброса значений поверхностного сопротивления по всей поверхности кремниевой пластины, уменьшение температуры и длительности процесса.

Изобретение относится к области охлаждения элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение интенсивности отвода теплоты от плавящегося вещества во время паузы в работе элемента РЭА.

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к области охлаждения элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), работающих в режиме повторно-кратковременных тепловыделений. Технический результат - повышение интенсивности отвода теплоты от плавящегося вещества во время паузы в работе элемента РЭА за счет увеличения коэффициента теплообмена между веществом и охлаждающей средой.

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к области охлаждения элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), работающих в режиме повторно-кратковременных тепловыделений. Технический результат - повышение интенсивности отвода теплоты от плавящегося вещества во время паузы в работе элемента РЭА.

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур содержит основание из высокотеплопроводного материала в виде маски, повторяющей контуры лица человека с отверстиями в области глаз, носа и рта.

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур содержит основание из высокотеплопроводного материала в виде маски, повторяющей контуры лица человека с отверстиями в области глаз, носа и рта.

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур содержит основание из высокотеплопроводного материала в виде маски, повторяющей контуры лица человека с отверстиями в области глаз, носа и рта.
Наверх