Патенты принадлежащие Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" (RU)
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к реакторам высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.
ДИСТИЛЛЯТОР // 2694353
Изобретение относится к области устройств для ректификации различных жидкостей суббойлерной очистки путем испарения их при температурах ниже точки кипения с последующей конденсацией паров и может быть использовано для очистки, например, кислот, щелочей, спиртов, масел.
Изобретение относится к вакуумно-плазменному осаждению покрытия. Устройство содержит технологическую камеру, в которой установлен подложкодержатель с подложкой, имеющий продольную ось О-О1, разрядную камеру с геликонным источником плазмы, закрепленным на технологической камере симметрично продольной оси О-О1, газовую систему, соленоидальную антенну, расположенную с внешней стороны разрядной камеры, и магнитную систему, расположенную с внешней стороны технологической камеры симметрично продольной оси О-О1 и включающую первую соленоидальную магнитную катушку и вторую соленоидальную магнитную катушку, выполненные с возможностью перемещения вдоль продольной оси О-О1.
Изобретение относится к оборудованию для производства интегральных схем микромеханических и оптоэлектронных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство введено по меньшей мере одно дополнительное сопло 5 с продольной осью O3-О4, оси O3-O4 сопел 5 расположены под углами λ, находящимися в диапазоне 20-80° к поверхности А платформы 1, причем ось O1-O2 и оси O3-O4 сопел 5 не пересекаются, а проекции осей O3-O4 в плоскости поверхности А платформы 1 составляют углы β с осями, проходящими через центр платформы 1 О и центры оснований 13 сопел 5, при этом оси O3-O4 со сторон, противоположных основаниям 13, направлены по касательной к образующей В столика 3 и могут отклоняться от этого направления в диапазоне +/- 20°.
Изобретение относится к области робототехники, в частности к манипуляторам для перемещения полупроводниковых пластин. Задача изобретения заключается в создании прецизионного манипулятора для транспортировки полупроводниковых пластин в производстве изделий электронной техники.
Изобретение относится к оборудованию для осаждения тонких пленок и покрытий из паров химических веществ на плоскую полупроводниковую подложку и может быть использовано в технологических процессах изготовления электронных и электромеханических приборов.
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к реакторам высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур относится к области технологических устройств для травления технологических материалов в области производства изделий электронной техники и может быть использован, например, для проведения высокоаспектных процессов травления кремния в производстве микроэлектромеханических систем (МЭМС) или для создания щелевой изоляции при реализации технологии трехмерной интеграции кристаллов.
Изобретение относится к устройству для формирования многокомпонентных и многослойных покрытий и может быть использовано в автомобилестроении, в медицине при создании защитных и биосовместимых слоев дентальных и ортопедических имплантатов, для изготовления тонкопленочных интегральных аккумуляторов и в химических реакторах.
Изобретение относится к плазменно- дуговому устройству для формирования покрытий и может быть эффективно использовано при формировании защитных и биосовместимых слоев дентальных и ортопедических имплантатов, при изготовлении технологических слоев электролитических ячеек тонкопленочных интегральных аккумуляторов и в химических реакторах, которые работают в агрессивных средах и в условиях высоких температур.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ // 2634534
Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий в вакууме. Устройство содержит плоскую мишень, установленную на основании, первую магнитную систему, расположенную внутри корпуса с первым каналом водяного охлаждения, источник питания электрического разряда и источник ионов газа.
