Патенты принадлежащие ПЭК ТЕК - ПЭКИДЖИНГ ТЕКНОЛОДЖИЗ ГМБХ (DE)
Изобретение относится к многослойному пакету (10) полупроводниковых кристаллов с несколькими расположенными в многослойной компоновке (18) полупроводниковыми кристаллами (11) и по меньшей мере с одной соединяющей полупроводниковые кристаллы (11) друг с другом соединительной подложкой (19), причем полупроводниковые кристаллы (11) по меньшей мере на одном крае (12) кристалла снабжены по меньшей мере одной присоединительной поверхностью кристалла, которая, по меньшей мере, частично простирается как боковая присоединительная поверхность (13) в выполненной на крае (12) кристалла боковой поверхности (23) полупроводникового кристалла, и причем снабженные боковой присоединительной поверхностью (13) боковые поверхности (23) полупроводниковых кристаллов (11) расположены в общей плоскости S боковых поверхностей многослойной компоновки (18) полупроводниковых кристаллов, и причем соединительная подложка (19) с контактной поверхностью (20) расположена параллельно плоскости S боковых поверхностей полупроводниковых кристаллов (11) и для соединения выполненной в соединительной подложке (19) структуры (31) соединительных проводников имеет выполненные на контактной поверхности (20) присоединительные поверхности (21) подложки, которые в параллельной контактной поверхности (20) присоединительной плоскости VI, электропроводящим образом посредством связующего материала соединены с боковыми присоединительными поверхностями (13).
Использование: для микросхемной сборки. Сущность изобретения заключается в том, что микросхемная сборка содержит соединительную подложку с несколькими расположенными на соединительной подложке полупроводниковыми подложками, прежде всего микросхемами, причем расположенные на контактной поверхности микросхем контактные площадки соединены с контактными площадками на соединительной подложке, причем микросхемы боковой кромкой простираются параллельно, а контактной поверхностью - перпендикулярно контактной поверхности соединительной подложки, причем в соединительной подложке расположены сквозные соединения, которые соединяют расположенные на внешней контактной стороне внешние контакты с выполненными на контактной поверхности соединительной подложки в виде внутренних контактов контактными площадками, причем расположенные смежно боковой кромке контактные площадки микросхем соединены с внутренними контактами соединительной подложки посредством переплавленного запаса припоя.
