Патенты принадлежащие Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП") (RU)
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к области технологий получения контактов золото-кремний с помощью электрохимических методов осаждения металла.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ДОПОЛНИТЕЛЬНЫМ ПОЛЕВЫМ ЭЛЕКТРОДОМ // 2671312
Использование: для создания дискретных приборов и сверхвысокочастотных (СВЧ) интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полевого транзистора с дополнительным полевым электродом включает в себя выделение активной области химическим, физическим травлением или имплантацией, создание омических контактов стока и истока на поверхности контактного слоя, или углублением в контактный слой полупроводниковой структуры, селективное травление контактного слоя, формирование затвора Шоттки на барьерном слое, или углублением в барьерный слой дополнительного изолированного от затвора полевого электрода, с целью уменьшения паразитных емкостей, образуемых краями шляпки Г-образного затвора, повышения частотного диапазона, одновременного увеличения пробивных напряжений, снижения рабочей температуры канала сток-исток, уменьшения напряжения отсечки, увеличения максимального значения крутизны gm и увеличения коэффициента усиления по мощности, а также повышения выхода годных транзисторов вместо ленточного или Т-образного затворов используется Г-образный затвор Шоттки, формирование Г-образной шляпки которого происходит на краю диэлектрической пленки или на краю металлической пленки, или на краю комбинированной пленки с возможным последующим их удалением из-под края шляпки Г-затвора, нанесение защитного диэлектрика с образованием воздушных или иных полостей под краем шляпки Г-затвора, что приводит к снижению паразитной емкости между шляпкой Г-затвора и поверхностью контактного слоя, изолированный электрически от затвора полевой электрод формируется в канале сток-исток; электрическое соединение полевого электрода с истоком осуществляется либо лежащими на диэлектрике узкими перемычками, либо, с целью снижения паразитной емкости, узкими или сплошными вдоль всей ширины затвора воздушными мостами.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ РУТЕНИЯ // 2666180
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к изготовлению контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения. Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия включает: локальную металлизацию поверхности n-GaAs электрохимическим осаждением рутения из сульфаматного электролита рутенирования на основе гидроксихлорида рутения, содержащего г/л: Ru(OH)Cl3 (в пересчете на металл) - 2,5-5, NH2SO3H - 25-50, при температуре 20-65°C, катодной плотности тока 1,0-5,0 А/дм2, без или с наложением ультразвукового поля.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Способ изготовления диода с вискером "Меза-подложка" терагерцового диапазона включает нанесение на поверхность гетероэпитаксиальной структуры диэлектрической пленки, в которой по маске фоторезиста травлением до высоколегированного катодного слоя создается окно катодного контакта U-, или О-образной формы, формирование в нем металлизации низкоомного омического катодного контакта с последующим удалением резиста, отжигом и гальваническим утолщением, формирование с использованием тонких резистивных масок на поверхности активных слоев окна анодного контакта микронного или субмикронного диаметра между U-выступами катода, или в центре О-образного катода, удаление в окне анодного контакта слоя диэлектрика, проведение финишных обработок, формирование металлизации анодного контакта, удаление резиста, формирование резистивной маски или маски диэлектрика для травления мезы вокруг площадки с расположенными на ней анодом и катодом, травление мезы как минимум до полуизолирующего слоя подложки, формирование анодной и катодной контактных площадок на полуизолирующем слое у основания мезы, соединение анода со своей контактной площадкой металлическим воздушным мостом, место соединения которого с анодом представляет собой расширенный контакт, выступы поля которого опираются на слой диэлектрика, соединение катода со своей контактной площадкой осуществляется либо металлическим воздушным мостом, либо металлической шиной, лежащей на боковой поверхности мезы или на слое диэлектрика, утонение подложки и разделение на отдельные кристаллы.
