Патенты принадлежащие АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ПРИБОРОВ" (RU)
Генератор электромагнитного импульса // 2785584
Изобретение относится к области получения импульсов электромагнитного излучения, а точнее к генераторам электромагнитных импульсов. Технический результат - возможность получать гарантированно одиночный электромагнитный импульс за счет обеспечения возможности без отражений принимать все возвращенные сигналы от возможных несогласований в передающем тракте.
Генератор прямоугольных импульсов напряжения // 2785411
Изобретение относится к генераторам преимущественно наносекундных и микросекундных прямоугольных, без последующих колебаний, импульсов напряжения большой амплитуды, которые могут быть использованы для испытаний электроизоляционных материалов, а также в импульсных системах питания таких нагрузок, как лампы накачки твердотельных лазеров, лазерные диоды, магнетроны, высоковольтные испытательные стенды.
Использование: для исследования радиационной стойкости изделий электронной техники (ИЭТ) к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ). Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют последовательное точечное сканирование полупроводникового кристалла интегральной микросхемы (ИМС) или дискретного полупроводникового прибора (ДПП) импульсным жестким фотонным (рентгеновским) излучением с длительностью импульсов до 5 пс, энергией электронов 8-12 кэВ и энергией фотонов в импульсе до 500 пДж, что в пересчете в эквивалентные значения линейных передач энергии (ЛПЭ) моделирует воздействие ТЗЧ практически всего спектра галактических космических лучей и позволяет устранить большинство критических недостатков, присущих методам моделирования с использованием ускорителей ионов, лазерных и синхротронных источников, выявление наиболее чувствительных к одиночным радиационным эффектам (ОРЭ) областей, при этом в качестве источника импульсного фотонного излучения используется компактный источник остросфокусированного жесткого фотонного (рентгеновского) излучения пикосекундной длительности на эффекте обратного комптоновского рассеяния, содержащий импульсный ускоритель электронов, источник импульсного лазерного излучения, камеру столкновения электронных и лазерных импульсов, фокусирующую рентгеновскую оптику для создания оптического фокуса размером до 10 мкм в плоскости приборного слоя полупроводникового кристалла ИМС или ДПП.
Обостритель импульса ускорителя электронов // 2736419
Устройство предназначено для повышения мощности импульса тормозного излучения. Устройство работает в мегавольтном диапазоне напряжений, повышение мощности импульса тормозного излучения обеспечивается путем обострения в вакуумном диоде (ВД) ускорителя электронов импульса ускоряющего напряжения за счет увеличения его амплитуды и сокращения его длительности.
Устройство относится к области ускорителей заряженных частиц, а точнее сильноточным импульсным ускорителям электронов прямого действия с индуктивным промежуточным накопителем энергии. Устройство содержит индуктивный накопитель энергии, выход которого соединен с входными электродами электровзрывного прерывателя тока, обостряющего газонаполненного разрядника и жидкостнонаполненного срезающего разрядника с изменяемым зазором, при этом вторые электроды электровзрывного прерывателя тока и срезающего разрядника заземлены.
