Патенты принадлежащие Панасенко Владимир Васильевич (RU)

Изобретение относится к области изготовления транзисторов на основе полупроводниковых материалов, предпочтительно полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия. Транзистор с балочными выводами содержит токопроводящие выводы в виде металлической шины/балки, являющиеся продолжением контактных площадок и выходящие за пределы полупроводникового кристалла на расстояние, необходимое для приварки или припайки к токоведущим дорожкам, металлические шины/балки формируются одновременно с формированием контактных площадок, толщина шины/балки не менее 30 мкм, ширина шины/балки не менее 100 мкм, а размер полупроводникового кристалла по длине, ширине и толщине незначительно превышает минимально необходимое значение рабочей части транзистора.
Наверх