Патенты принадлежащие Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" (RU)
Изобретение относится к способам создания потока электронов в вакууме и может использоваться для исследования характеристик чувствительных к электронам матриц, контроля качества поверхности полупроводниковых материалов, а также в различных приборах, чувствительных к потоку электронов, например, в лавинных фотодиодах, в качестве детекторов электронов.
Изобретение относится к конструкциям и способам изготовления фотокатодов повышенной чувствительности, предназначенных для работы при низком уровне освещенности. Данные фотокатоды используются для фотоэлектронных приборов, применяемых в исследовательских целях, в промышленности, для специальных назначений и пр.
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД // 2666578
Изобретение относится к структурам светоизлучающих диодов. Светоизлучающий диод состоит из n слоев, где n больше одного, и включает как минимум один светоизлучающий слой и один люминофорный слой, выполненный в виде тонкой керамической люминофорной пластины, при этом керамическая люминофорная пластина выполнена с низким содержанием неосновных нелюминисцирующих фаз менее 3% по массе, при этом профиль нижней поверхности керамической люминофорной пластины, обращенной к светоизлучающему слою, сформирован в виде вогнутых микролинз с характерным диаметром от 0,1 до 0,8 мкм.
Использование: для функциональных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что пленка двуокиси кремния на кремнии представляет собой двухслойную структуру, состоящую последовательно из слоя пористой двуокиси кремния и слоя монолитной двуокиси кремния, расположенную на кремниевой подложке, при этом слои имеют единый химический состав, соответствующий стехиометрии SiO2, различную геометрию структурной сетки, которая сохраняет однородность в пределах слоя, но изменяется на границе раздела слоев.
