Патенты принадлежащие Акционерное общество "Экспериментальное научно-производственное объединение СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ" (АО "ЭНПО СПЭЛС") (RU)
Cпособ относится к области исследований радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники, в частности интегральных схем, к воздействию ионизирующих излучений. Способ оценки радиационной стойкости интегральных схем к воздействию отдельных заряженных частиц, основанный на локальном лазерном облучении, включает сканирование кристалла микросхемы пучком лазерного излучения диаметром в пределах от 30 до 100 мкм в плоскости приборного слоя кристалла, выявление наиболее чувствительных к одиночным радиационным эффектам (ОРЭ) областей, в которых определяют наиболее чувствительные узлы и снимают зависимость пороговой энергии лазерного излучения возникновения ОРЭ от диаметра пятна.
