Патенты принадлежащие Мурашев Виктор Николаевич (RU)
Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. МОП диодная ячейка монолитного детектора излучений содержит МОП транзистор, шину высокого положительного (отрицательного) напряжения питания и выходную шину, при этом для повышения качества детектирования, т.е.
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Изобретение относится к области микро-наноэлектроники и может быть использовано при создании динамических запоминающих устройств, двухмерных управляющих матриц для жидкокристаллических дисплеев, скоростных и высокоточных сканеров, двухмерных сенсоров, линий задержки и т.д.
Изобретение относится к области обработки драгоценных камней, в частности алмазов, и может найти применение в ювелирной промышленности. .
Изобретение относится к измерительной технике. .
Изобретение относится к наноэлектронике. .
Изобретение относится к области технологии кремниевых интегральных схем с субмикронными размерами. .
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых и диэлектрических материалов с заданными примесными диффузионными профилями и, в частности, может быть использовано при формировании сверхмелких и сверхглубоких р - n-переходов в полупроводниковых материалах для очистки от загрязняющих примесей полупроводниковых и диэлектрических материалов, а также для тотального изменения их оптических свойств и цвета.
Изобретение относится к области атомного приборостроения и микроэлектроники и может быть использовано, в частности, при создании координатных чувствительных детекторов релятивистских частиц, рентгеновского и нейтронного излучения.