Патенты принадлежащие НИТИЯ КОРПОРЕЙШН (JP)

Светоизлучающее устройство включает основание; лазерный элемент, расположенный на верхней поверхности основания и выполненный с возможностью излучения лазерного пучка продольно; люминесцентный элемент, расположенный на верхней поверхности основания; первый оптический элемент, расположенный на верхней поверхности основания и имеющий входную боковую поверхность, через которую входит лазерный пучок во время эксплуатации, и выходную боковую поверхность, через которую выходит лазерный пучок во время эксплуатации, и предназначенный для изменения направления распространения лазерного пучка таким образом, чтобы лазерный пучок, прошедший через первый оптический элемент, облучал верхнюю поверхность люминесцентного элемента; и крышку, содержащую: светозащитный элемент и светопропускающий элемент, расположенный над сквозным отверстием, лазерным элементом, люминесцентным элементом и первым оптическим элементом, при этом светозащитный элемент имеет выступающий участок, продолжающийся вниз в положение, которое ниже верхнего края первого оптического элемента, так, чтобы быть обращенным к выходной боковой поверхности первого оптического элемента.

Светоизлучающее устройство содержит подложку, светоизлучающий элемент, расположенный на подложке и имеющий верхнюю поверхность и боковую поверхность; отражающий слой, расположенный на верхней поверхности светоизлучающего элемента; первый светопропускающий элемент, имеющий первую поверхность, контактирующую с указанной боковой поверхностью светоизлучающего элемента, и вторую поверхность, которая наклонена к подложке в направлении от светоизлучающего элемента; второй светопропускающий элемент, контактирующий с указанной второй поверхностью и закрывающий светоизлучающий элемент; отражающий элемент, выполненный с возможностью отражать свет из светоизлучающего элемента, при этом отражающий элемент расположен в области, снаружи второго светопропускающего элемента, при этом коэффициент преломления первого светопропускающего элемента меньше коэффициента преломления второго светопропускающего элемента.

Изобретение может быть использовано в производстве источников энергии для электронных устройств. Способ получения сложного гидроксида никеля-кобальта включает первую кристаллизацию при подаче раствора, содержащего никель, кобальт и марганец, а также реагента, образующего комплексный ион, и раствора основания, по отдельности и одновременно, в один реакционный сосуд.

Светоизлучающее устройство включает в себя: основание, содержащее токопроводящие дорожки; светоизлучающий элемент, установленный на основании и выполненный с возможностью испускания светового излучения; светоотражающую пленку, расположенную на верхней поверхности светоизлучающего элемента; и оболочку, покрывающую светоизлучающий элемент и светоотражающую пленку.

Нитридный полупроводниковый элемент содержит сапфировую подложку, содержащую: основную поверхность, проходящую в с-плоскости сапфировой подложки, и множество выступов, расположенных на основной поверхности, причем множество выступов содержат по меньшей мере один выступ, имеющую удлиненную форму на виде в плане; и слой нитридного полупроводника, расположенный на основной поверхности сапфировой подложки.

Изобретение относится к композиции положительного электрода для вторичной батареи с неводным электролитом, содержащей: комплексный оксид лития и переходного металла, представленный общей формулойLiaNi1-x-yCoxM1yWzM2wO2(1,0≤a≤1,5, 0≤x≤0,5, 0≤y≤0,5, 0,002≤z≤0,03, 0≤w≤0,02, 0≤x+y≤0,7, М1 означает по меньшей мере один металл, выбранный из группы, состоящей из Mn и Al, М2 означает по меньшей мере один металл, выбранный из группы, состоящей из Zr, Ti, Mg, Ta, Nb и Mo); и исходное соединение бора.

Способ изготовления нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента с перевернутым кристаллом, включающего в себя структуру нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего слой нитридного полупроводника n-типа и слой нитридного полупроводника р-типа, которые нанесены на подложку, а также участок соединения электрода n-стороны с нитридным полупроводниковым слоем n-типа и участок соединения электрода р-стороны с нитридным полупроводниковым слоем р-типа с одной и той же плоской стороны подложки, электрод n-стороны, соединенный с участком соединения электрода n-стороны и электрод р-стороны, соединенный с участком соединения электрода р-стороны; и металлические столбиковые выводы, сформированные на электроде n-стороны и электроде р-стороны, включающий последовательно выполняемые операции: этап формирования защитного слоя, этап формирования первой структуры резиста, этап вытравливания защитного слоя, этап формирования первого металлического слоя, этап формирования второй структуры резиста, этап формирования второго металлического слоя и этап удаления структуры резиста.

Предложен способ изготовления светоизлучающего устройства, выполненного с возможностью предотвращения образования неоднородностей цвета и желтого кольца с малыми затратами. Способ изготовления светоизлучающего устройства со светоизлучающим элементом и слоем полимерной смолы, содержащим частицы флуоресцентного материала и наполнителя, который отражает свет, причем способ содержит процесс осаждения флуоресцентного материала для осаждения частиц флуоресцентного материала раньше, чем наполнителя.

Предложено светоизлучающее устройство, способное снизить затухание света в элементе и имеющее высокую световую отдачу, и способ изготовления светоизлучающего устройства. Светоизлучающее устройство содержит светоизлучающий элемент, имеющий светопроводящий элемент и многослойную полупроводниковую часть, электроды, расположенные на многослойной полупроводниковой части в этом порядке.

Светоизлучающее устройство включает в себя основной корпус с образованным в нем углублением, ограниченным его нижней поверхностью и боковой стенкой, проводящий элемент, верхняя поверхность которого открыта в углублении, а нижняя поверхность образует внешнюю поверхность, выступающий участок, расположенный в углублении, светоизлучающий элемент, установленный в углублении и электрически связанный с проводящим элементом, а также уплотнительный элемент, расположенный в углублении для закрытия светоизлучающего элемента.

Светоизлучающий прибор согласно изобретению содержит связанные друг с другом светоизлучающий элемент и элемент, преобразующий длину волны, при этом светоизлучающий элемент содержит со стороны элемента, преобразующего длину волны, первую область и вторую область, а элемент, преобразующий длину волны, содержит со стороны светоизлучающего элемента третью область и четвертую область, причем первая область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению со второй областью, а третья область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению с четвертой областью, при этом первая область и третья область связаны напрямую.

Группа изобретений может быть использована в индикаторах, осветительных приборах, дисплеях, источниках света для подсветки жидкокристаллических дисплеев. Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит основание и электропроводящие компоненты, размещенные на основании, светоизлучающий элемент, имеющий полупроводниковый слой и прозрачную подложку; отражающий компонент, не покрывающий по меньшей мере часть боковых поверхностей и верхнюю поверхность прозрачной подложки и покрывающий боковые поверхности полупроводникового слоя; и светопропускающий компонент, покрывающий часть прозрачной подложки, не покрытую отражающим компонентом при этом светоизлучающий элемент закреплен на электропроводящих компонентах, причем на поверхности этих электропроводящих компонентов, по меньшей мере часть поверхности электропроводящих компонентов, на которой не закреплен светоизлучающий элемент, покрыта изолирующим заполнителем толщиной в 5 мкм или больше, который является отражающим компонентом, а светопропускающий компонент покрывает светоизлучающий элемент.

Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств.

Изобретение относится к лазерному устройству с нитридным полупроводником. .
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх