Патенты принадлежащие Арендаренко Алексей Андреевич (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5 и соединений А2В6 методом химического газофазного осаждения из металлоорганических соединений и гидридов.

Изобретение относится к области станкостроения и может быть использовано в шлифовальных станках для обработки пластин по контуру из всех типов полупроводниковых материалов, в том числе и сапфира, имеющих высокие требования по диаметру и по заданной конфигурации.
Наверх