Патенты принадлежащие Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН (RU)

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при создании импульсно-периодических лазеров на парах химических элементов. .

Изобретение относится к оптикоэлектронному приборостроению и предназначено для измерения и исследования тонкопленочных структур и оптических констант поверхностей различных материалов путем анализа поляризации отраженного образцом светового пучка.
Наверх