Патенты принадлежащие Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ") (RU)

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано для отмывки и сушки полупроводниковых пластин в процессе выполнения химической обработки пластин перед проведением операции фотолитографии.

Изобретение относится к устройствам локального травления тонких пленок микроэлектроники. .

Изобретение относится к технике групповой обработки плоских стеклянных подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники. .

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука. .

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях двухсторонней очистки пластин с помощью щеток и мегазвука. .

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.).

Изобретение относится к области плазмохимической обработки пластин и может быть использовано, в частности, в фотолитографии на операциях удаления фоторезиста и радикального травления различных полупроводниковых слоев в технологии изготовления ИС.
Наверх