Патенты принадлежащие Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН) (RU)
СТРУКТУРА ГЕТЕРОГЕННОГО р-n ПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ НАНОСТЕРЖНЕЙ ОКСИДА ЦИНКА И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛЕНКИ // 2323872
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых наноприборов на основе р-n перехода, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д.
ДАТЧИК ХОЛЛА ДЛЯ ЛОКАЛЬНОЙ МАГНИТОМЕТРИИ // 2321013
Изобретение относится к области приборостроения, в частности к тонкопленочным датчикам на основе экстраординарного эффекта Холла, и может быть использовано в микроэлектронике при измерении и регистрации локальных магнитных полей и величин электрического тока, а также при разработке микроэлектронных устройств нового поколения.
Изобретение относится к технологии создания газосепарирующих мембран, функционирующих за счет селективной диффузии тех или иных газов сквозь тонкую металлическую пленку. .
Изобретение относится к области получения тонких металлических пленок и может быть использовано как для получения свободных сверхтонких металлических пленок, например, сусального золота, платины и др., так и последующего нанесения этих пленок на разнообразные подложки.
