Патенты принадлежащие Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU)

Изобретение относится к механическим передачам и может быть использовано в составе изделий электронного машиностроения, в других отраслях промышленности, использующих волновые передачи с малыми габаритно-массовыми характеристиками, плавной и бесшумной работой.

Изобретение относится к области туннельной и атомно-силовой микроскопии, а точнее к устройствам, обеспечивающим градуировку сканирующих зондовых микроскопов (СЗМ) на нанометровом уровне. .

Изобретение относится к области создания приемников инфракрасного излучения. .

Изобретение относится к специализированным средствам вычислительной техники и может быть использовано в системах, в которых требуется аппаратная реализация алгоритмов цифровой фильтрации сигналов, например, при оценке уровня нуля на фоне импульсных сигналов/помех или в условиях несимметричного относительно уровня нуля ограничения динамического диапазона.

Изобретение относится к пьезоэлектронике и может быть использовано в миниатюрных преобразователях механической энергии в электрическую и электрической энергии с механическую, датчиках перемещений, звукоизлучающих устройствах, исполнительных и регистрирующих элементах микроэлектромеханических систем.

Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структур интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления. .

Изобретение относится к устройствам точного позиционирования образца в сверхвысоком вакууме при помощи пьезоэлектрических двигателей и системы емкостных датчиков в установках с фокусированным ионным или электронным пучком, в которых формируются наноэлементы.

Изобретение относится к способу получения сверхпроводниковых изделий на основе керамики состава Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O и может быть использовано для изготовления мишеней, предназначенных для получения наноразмерных пленок высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) методом магнетронного напыления.

Изобретение относится к области измерения оптических характеристик рассеивающих сред и может найти применение в промышленности и медицине, в процедурах контроля качества транспортируемых жидкостей и газов путем измерения их оптических характеристик, а именно - путем измерения коэффициентов рассеяния и поглощения транспортируемого вещества.

Изобретение относится к области измерения оптических характеристик рассеивающих, например биологических, сред. .

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для контроля качества микромеханических элементов. .

Изобретение относится к микромеханике и предназначено для измерения частотных характеристик подвижных элементов микромеханических устройств. .

ФОТОМЕТР // 2371703
Изобретение относится к области измерения оптических характеристик рассеивающих, например биологических, сред. .

Изобретение относится к функциональным элементам и материалам электроники и может быть применено как на уровне отдельных молекулярных проводников, играющих роль активных или пассивных элементов электроники, так и на макроскопическом уровне, например, в виде проводящего композитного материала.

Изобретение относится к специализированным средствам вычислительной техники и может быть использовано в системах, в которых требуется аппаратная реализация алгоритмов цифровой фильтрации сигналов. .

Изобретение относится к устройствам ввода-вывода для процессоров и микроконтроллеров и более точно касается контроллеров последовательных интерфейсов SPI, Microwire, I2S, SPORT. .

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для преобразования аналоговых сигналов в цифровой код. .

Изобретение относится к области физической оптики. .

Изобретение относится к солнечным батареям, работающим на основе принципа прямого преобразования солнечной энергии в электрическую с помощью фотоэлектрических преобразователей. .

Изобретение относится к отрасли криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении толстопленочных структур на основе высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) и элементов, использующих эффект высокотемпературной сверхпроводимости.

Изобретение относится к средствам радиолокационного определения параметров движущихся объектов и может быть использовано при фиксации скорости снаряда. .

Изобретение относится к средствам радиолокационного определения параметров движущихся объектов и может быть использовано при измерении начальной скорости снаряда. .

Изобретение относится к средствам радиолокационного определения параметров движущихся объектов и может быть использовано при измерении скорости снаряда. .

Изобретение относится к средствам радиолокационного определения параметров движущихся объектов и может быть использовано при измерении скорости снаряда. .

Изобретение относится к области лазерной техники, используемой в нанотехнологических целях, а именно к способам наноструктурирования объемных биосовместимых наноматериалов под действием лазерного облучения.
Изобретение относится к средствам формирования структур на основе углеродных нанотрубок и может быть использовано при создании гибких оптически прозрачных проводящих покрытий, гибких интегральных схем низкой степени интеграции, тестовых структур для сканирующей зондовой микроскопии, резистивных датчиков и др.

Изобретение относится к области нанотехнологий и наноэлектроники, а более конкретно к сканирующей зондовой микроскопии. .
Изобретение относится к области интегральной оптики. .

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в вычислительных системах с параллельной обработкой информации смешанной формы представления. .

Изобретение относится к средствам специализированной вычислительной техники и может найти применение в спектральном анализе сигналов в реальном масштабе времени. .

Изобретение относится к области электрохимии, а конкретно к анодному окислению металлов и полупроводников. .

Изобретение относится к области технологических процессов изготовления микросистемной техники. .

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, в частности к получению пористых наноматериалов. .

Изобретение относится к области аналого-цифровой микроэлектроники, более конкретно к аналого-цифровым интегральным полупроводниковым схемам, и может быть использовано в системах измерительной техники для преобразования аналоговых сигналов в цифровую форму.

Изобретение относится к области нанометрологии и калибровочным структурам, а именно к устройствам, обеспечивающим наблюдение и измерение геометрической формы игл сканирующего зондового микроскопа, в том числе атомно-силовых микроскопов и сканирующих туннельных микроскопов.

Изобретение относится к технологии изготовления элементов интегральных схем и позволяет получать планарные молекулярные проводники посредством упорядочивания молекул матрицы под действием электрического поля определенной конфигурации.

Изобретение относится к области идентификации личности, стационарных или подвижных объектов, изделий и аналогичных предметов, а именно к портативным электронным средствам типа ярлыка или метки, позволяющим обнаружить и опознать объект, к которому прикреплена такая метка.
Наверх