Патенты принадлежащие Глебовский Вадим Георгиевич (RU)
Изобретение относится к области химической технологии, а именно к получению новых соединений путем самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. .
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов, конкретно - к производству распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники. .
РАСПЫЛЯЕМЫЕ МИШЕНИ ИЗ ВЫСОКОЧИСТЫХ СПЛАВОВ НА ОСНОВЕ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ И СПОСОБ ИХ ПРОИЗВОДСТВА // 2392685
Изобретение относится к области производства распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники. .
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании бикристаллов переходных металлов и их сплавов. .
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ // 2378401
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании совершенных кристаллов переходных и тугоплавких металлов. .
Изобретение относится к способу и устройству для получения металлов восстановлением водородом. .
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТОГО НИКЕЛЯ ДЛЯ РАСПЫЛЯЕМЫХ МИШЕНЕЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ // 2377331
Изобретение относится к способу получения высокочистого никеля для распыляемых мишеней и устройствам для его реализации. .
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТОГО НИКЕЛЯ ДЛЯ РАСПЫЛЯЕМЫХ МИШЕНЕЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ // 2377330
Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых магнетронных мишеней в технологии производства кремниевых интегральных схем в микроэлектронике.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТОГО ВОЛЬФРАМА ДЛЯ РАСПЫЛЯЕМЫХ МИШЕНЕЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ // 2375480
Изобретение относится к получению высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней. .
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТОГО МОЛИБДЕНА ДЛЯ РАСПЫЛЯЕМЫХ МИШЕНЕЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ // 2375479
Изобретение относится к получению высокочистого молибдена для распыляемых мишеней. .
Изобретение относится к выращиванию плоских кристаллов из тугоплавкого металла электронно-лучевой зонной плавкой и устройству для его реализации. .
Изобретение относится к области неорганической химии и может быть использовано при проведении хлоридных процессов получения высокочистых металлов. .
Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых магнетронных мишеней в технологии производства кремниевых интегральных схем в микроэлектронике.
Изобретение относится к способу получения высокочистого кобальта для распыляемых мишеней. .
Изобретение относится к устройству электронно-лучевой зонной плавки тугоплавких и переходных металлов для выращивания монокристаллов. .
Изобретение относится к устройству электронно-лучевой зонной плавки тугоплавких и переходных металлов и сплавов для выращивания монокристаллов. .
Изобретение относится к области металлургии, а именно к нержавеющим корозионно-стойким хромоникелевым аустенитным сталям, предназначенным для изготовления хирургических имплантатов в травматологии, ортопедии и стоматологии.
Изобретение относится к области металлургии цветных металлов, а именно к производству распыляемых металлических мишеней из молибдена, и может быть использовано в микроэлектронике для нанесения покрытий тонкопленочной металлизацией.
АКСИАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ПУШКА // 2364980
Изобретение относится к электротехнике и вакуумной металлургии высокочистых тугоплавких металлов и позволяет повысить стабильность электронной термоэмиссии и эффективность аксиальной электронной пушки в условиях плавки тугоплавких металлов при подводе большой мощности.
Изобретение относится к способу управления электронно-лучевой зонной плавкой и устройству для определения рабочего значения тока накала и может быть использовано при выращивании монокристаллов переходных и тугоплавких металлов и их сплавов и их вакуумном рафинировании.
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла.
Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых металлических мишеней для нанесения тонкопленочной металлизации СБИС различного назначения в микроэлектронике.
Изобретение относится к вольфрам-титановым мишеням для магнетронного распыления и способам их получения и может быть использовано в микроэлектронике. .
Изобретение относится к способу производства молибдена высокой чистоты и может быть использовано при производстве слитков высокочистого молибдена, а также листового проката из высокочистого молибдена для использования в микроэлектронике, квантовой электронике и электротехнике.
Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве слитков высокочистого вольфрама высокого металлургического качества, а также листового проката из высокочистого вольфрама для использования в микроэлектронике, квантовой электронике, гелиотехнике и электротехнике.
Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве слитков высокочистого молибдена высокого металлургического качества и листового проката из высокочистого молибдена для использования в микроэлектронике, квантовой электронике и электротехнике.
Изобретение относится к области металлургии черных и цветных металлов и может быть использовано при выращивании монокристаллов и вакуумном рафинировании различных материалов с помощью электронно-лучевой зонной плавки.
