Патенты принадлежащие Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
СПОСОБ ДИФФУЗИИ БОРА В КРЕМНИЙ // 2475883
Изобретение относится к технологии создания полупроводниковых приборов, в частности к области конструирования и производства мощных биполярных кремниевых СВЧ-транзисторов. .
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ // 2439744
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий.
Изобретение относится к электронике, а именно к операционным усилителям (ОУ) с токовой обратной связью, выполненным по интегральной технологии для использования в устройствах обработки, усиления и аналого-цифрового преобразования видео- и радиосигналов.
Изобретение относится к области радиолокационной техники, в частности к активным фазированным решеткам. .
Изобретение относится к области производства оптоэлектронных приборов, в частности к производству матричных фоточувствительных приборов с зарядовой связью. .
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к композиционным материалам для металлокерамических спаев. .
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие.
ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ МАТРИЦА ВАКУУМНЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2366031
Изобретение относится к области производства вакуумных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) электромагнитного излучения, а именно - к области производства твердотельных матриц для ФЭП, и может быть использовано при изготовлении указанных матриц.
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. .
Изобретение относится к системам регистрации оптической информации и ее обработки. .
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых транзисторов.
Изобретение относится к системам с высокой эффективностью регистрации светового излучения при помощи лавинных фотодиодов со схемой гашения гейгеровского разряда. .
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ // 2359361
Изобретение относится к области производства твердотельных фоточувствительных полупроводниковых приборов, а именно к области производства преобразователей мощности света в электрический ток, и может быть использовано при изготовлении указанных приборов.
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ // 2345445
Изобретение относится к области разработки и производства фотопреобразователей света и может быть использовано для преобразования мощности света в электрическую мощность. .
Изобретение относится к системам приема оптической информации с многоэлементных приемников и ее обработки средствами интегральной микроэлектроники. .
Изобретение относится к области производства электронно-оптических приборов, а именно к области производства электронно-чувствительных матриц для электронно-оптических преобразователей (ЭОП), и может быть использовано при изготовлении указанных преобразователей.
МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР (ВАРИАНТЫ) // 2308120
Изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ-транзисторов. .
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ // 2289199
Изобретение относится к электронике, а именно к повторителям напряжения для усиления тока и преобразования импеданса в цепях электронных устройств, выполненным по интегральной технологии. .
