Расщепление луча на несколько пучков, например фокусирование нескольких пучков (B23K26/067)
B23K26/067 Расщепление луча на несколько пучков, например фокусирование нескольких пучков(15)
Изобретение относится к технологии создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например, кода идентификации, метки, идентифицирующие алмазы. Способ записи информации внутри кристалла алмаза 1 включает проектирование информационного элемента в виде метки с помощью устройства 10, подготовку поверхности кристалла, позиционирование кристалла с использованием средств 2, 5, 6, 7, 8, 9 для создания информационного элемента, формирование информационного элемента путем воздействия излучением лазера 11 на кристалл, контроль создания информационного элемента и корректировку информационного элемента, при этом предварительно кристалл алмаза 1 размечают на бриллианты, проводят исследование кристалла на наличие макроскопических дефектов, создают его объемную цифровую модель с учетом внутренней дефектности кристалла, в том числе топологии поверхности, проектирование информационного элемента осуществляют так, чтобы он находился в требуемом месте будущего бриллианта, и осуществляют виртуальную привязку, позиционирование и ориентацию записываемого в объем кристалла информационного элемента относительно элементов огранки будущих бриллиантов, после проектирования производят расчет траектории хода лучей 12, задают параметры - размеры и геометрию фокальной области излучения через выбор точек приложения излучения, разделение луча на части в устройстве 16 и заведение всех частей луча под разными углами, маскирование части профиля луча, на основе расчета производят выбор интегрального флюенса в месте записи ниже порогового флюенса, при котором происходит локальное превращение алмаза в графит или иную неалмазную форму углерода, или образование в кристалле трещин или расколов, проводят подготовку поверхности кристалла, при позиционировании кристалла совмещают его трехмерную модель с его реальным положением, формирование информационного элемента производят системой линз 19 путем создания внутри кристалла 1 интерференционного поля путем пересечения двух или более пучков когерентного излучения лазеров с ультракороткими импульсами длительностью от 30 фс до 10 пс и энергией от 1 нДж до 40 мкДж с длиной волны от 240 до 2200 нм, приводящих к возникновению субмикронных периодических структур в записываемой области, после чего осуществляют контроль создания информационного элемента устройством 21 на основе топологии поверхности кристалла алмаза путем расчета хода лучей и их преломления для точного позиционирования информационного элемента для исключения эффекта кажущегося изменения положения и формы информационного элемента.
Группа изобретений относится к медицине. Устройство разрезания человеческой или животной ткани, такой как роговица или хрусталик, содержит фемтосекундный лазер, выполненный с возможностью излучения лазерного пучка в виде импульсов; средства, выполненные с возможностью направления и фокусировки пучка на ткань или в ткань для ее разрезания; средства формирования лазерного пучка, позиционируемые на траектории лазерного пучка, для модулирования фазы фронта волны лазерного пучка в соответствии с вычисленным заданным значением модуляции с целью распределения энергии единственного модулированного лазерного пучка в по меньшей мере двух точках воздействия в фокальной плоскости указанного единственного модулированного лазерного пучка, соответствующей плоскости резания.
Изобретение относится к лазерному устройству для очистки площадей (1) пода, выполненных рельефной формы, и дополнительно для очистки испарительных и/или уплотняющих полос (2) подовых плит (3) машины для выпекания (4).
Лазерный источник содержит блок генерации лазерного луча, содержащий диодные лазерные источники для генерации первого лазерного луча, блок оптического усиления для накачки первым лазерным лучом и излучения второго лазерного луча, и оптический блок переключения и адресации лазерного луча, расположенный между блоком генерации и блоком оптического усиления и содержащий первую оптическую линию для транспортировки первого лазерного луча к первому выходу, вторую оптическую линию для транспортировки первого лазерного луча к усилительному модулю блока оптического усиления, и селекторное устройство, расположенное между входом и первой и второй оптическими линиями для направления первого лазерного луча к первой оптической линии, чтобы генерировать лазерный луч, имеющий более высокую мощность и более низкое качество на первом выходе, или к второй оптической линии, чтобы генерировать лазерный луч, имеющий меньшую мощность и более высокое качество на втором выходе.
Изобретение относится к способам резки неметаллических хрупких материалов, преимущественно стекла, кварца и сапфира, и может использоваться при производстве смартфонов и любых других устройств с сенсорными панелями, при изготовлении приборов электротехники и микроэлектроники.
Изобретение относится к способу лазерного скрайбирования полупроводниковой заготовки и может использоваться для эффективного и быстрого разделения полупроводниковых устройств, выполненных на твердых и сплошных подложках (6).
Изобретение относится к способу сверхзвуковой лазерной наплавки порошковых материалов и устройству, его реализующему, и может быть использовано при лазерной порошковой наплавке. Способ включает лазерной наплавку с использованием сверхзвукового потока нагретого инертного газа и порошкового присадочного материала, подаваемых через сопло с профилем Лаваля, и одновременно нагрев поверхности обрабатываемого изделия лазерным пучком от оптической головки без плавления основы и порошкового материала, при этом оптическая система головки формирует уширенный до диаметра газопорошкового потока лазерный пучок и раздельно фокусирует центральную и периферийную области лазерного пучка таким образом, что наилучшая фокусировка лазерного излучения и максимальный нагрев поверхности обрабатываемого изделия лазерным пучком осуществляется в периферийной зоне газопорошкового потока, а в осевой зоне потока действует расфокусированный пучок лазерного излучения.
Изобретение относится к способу и устройству лазерной наплавки материалов. Способ лазерной наплавки состоит в подаче наплавляемого материала в фокальную область лазерного пучка, размещенную на поверхности обрабатываемого изделия.
Изобретение относится к способу и установке для сварки лазерным лучом по меньшей мере двух компонентов (102, 104) из суперсплавов. В способе обеспечивают по существу одновременное создание основного сварного шва (110) с использованием первого присадочного металла, расположенного между указанными компонентами (102, 104), и поверхностного сварного шва (112) с использованием второго присадочного металла, выполняемого поверх основного шва.
Изобретение относится к способу лазерной сварки. Для предотвращения разбрызгивания и прилипания к верхней поверхности обрабатываемой детали и оптическому компоненту во время сварки, а также предотвращения образования поднутрения или недостаточности заполнения шва на задней поверхности обрабатываемой детали лазерную сварку осуществляют излучением двух лазерных лучей вдоль линии сплавления со стороны верхней поверхности обрабатываемой детали.
Изобретение относится к способу (варианты) и системе (варианты) для лазерной сварки и может быть использовано для соединения различных деталей друг с другом. Система содержит источник (1) лазерного луча, коллиматор (2) лазерного луча и фокусирующее устройство (3).
Изобретение может быть использовано при создании мощных лазерных систем для фокусировки излучения на удаленные мишени. Система включает первый объектив, первый и второй линзовые компоненты которого установлены с возможностью перемещения вдоль оптической оси объектива.
Изобретение относится к способу многолучевой лазерной сварки конструкционных сталей и может найти применение в различных отраслях машиностроения. .
Изобретение относится к области лазерной обработки материалов, в частности к устройству многопозиционной лазерной обработки, и может быть использовано при изготовлении большого количества изделий на одном лазерном комплексе, в том числе при лазерной резке, сварке, наплавке и селективном спекании.
Изобретение относится к технологическому лазерному оборудованию и может быть использовано для прецизионной обработки изделий. .
Изобретение относится к металлургии и может найти применение в электронике, приборо- и машиностроении. .
Изобретение относится к области машиностроения, в частности к устройствам для лазерной сварки тонких проводников, и может быть использовано в электронике, приборо- и машиностроении. .