Кремневодородные соединения (C01B33/04)
C Химия; металлургия(326262)
C01 Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B35; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P3; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)
(20787)
C01B Неметаллические элементы; их соединения(11548)
C01B33 Кремний; его соединения (C01B21,C01B23 имеют преимущество; персиликаты C01B15/14; карбиды C01B31/36)
(1706)
C01B33/04 Кремневодородные соединения(57)
Способ получения силанолов из гидросиланов // 2789225
Изобретение относится к химии кремнийорганических соединений, конкретно к способу получения силанолов, силоксанолов и алкоксиланолов, которые являются востребованными кремнийорганическими соединениями. Предложен способ получения силанолов R1R2R3SiOH из гидросиланов R1R2R3SiH, где каждый из заместителей Rl, R2 и R3 независимо обозначает фенил, C1-С3-алкил, С1-С4-алкокси, силокси, включающий окисление гидросилана кислородом при атмосферном давлении в присутствии N-гидроксисукцинимида и соли кобальта (II) в ацетонитриле или его смеси с бензолом при 40-80°С.
Настоящее изобретение относится к способу получения специализированных загустителей и к применению полученных таким образом загустителей в обладающих высокой вязкостью композициях, содержащих ненасыщенный сложный полиэфир.
Функционализованные азокарбонилом силаны // 2688516
Изобретение относится к функционализованным азокарбонилом силанам общей формулы (I) (R1)3-a(R2)aSi-RI-NH-C(O)-N=N-R4. Функционализованные азокарбонилом силаны получают способом, при осуществлении которого на первой стадии гидразин формулы H2N-NH-R4 подвергают взаимодействию с изоцианатосиланом общей формулы (R1)3-a(R2)aSi-RI-NCO и на второй стадии полученный на первой стадии продукт окисляют окислителем или на первой стадии гидразин формулы H2N-NH-R4 подвергают взаимодействию с ацилгалогенидом общей формулы Cl-C(O)-O-R5, на второй стадии полученный на первой стадии продукт окисляют окислителем и на третьей стадии полученный на второй стадии продукт подвергают взаимодействию с аминосиланом общей формулы (R1)3-a(R2)aSi-RI-NH2.
Способ получения силанолов из гидросиланов // 2633351
Изобретение относится к способам получения силанолов и силоксанолов, широко используемых в качестве реагентов для синтеза полимеров заданной архитектуры. Предложен способ получения силанолов общей формулы R1R2R3SiOH из гидросиланов общей формулы R1R2R3SiH, где каждый из заместителей R1, R2 и R3 независимо обозначает C1-C3 алкил и/или C1-C3 алкилсилоксигруппу, включающий взаимодействие гидросилана и смеси трет-бутилгидропероксида и соли меди(II) в органическом растворителе при температуре 20-100°C.
Способ получения силана и хлорсиланов // 2608523
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано для получения силана и хлорсиланов. Трихлорсилан и смесь хлорсиланов контактируют с катализатором.
Способ генерирования моносилана // 2599659
Изобретение относится к технологии получения соединений кремния, а именно фторсилана, пригодного для генерирования моносилана с целью дальнейшего его использования в микроэлектронной промышленности как сырья для производства поликристаллического кремния высокой чистоты.
Способ глубокой очистки моносилана // 2593634
Изобретение относится к области получения кремнийсодержащих материалов. Способ получения моносилана осуществляют диспропорционированием трихлорсилана.
Способы производства тетрафторида кремния // 2560377
Изобретение относится к способам производства фторидных соединений и, в частности, к способам производства тетрафторида кремния кислотным гидролизом фторидных солей щелочных металлов или щелочноземельных металлов и алюминия.
Изобретение может быть использовано в области химической технологии. Способ получения моносилана включает взаимодействие гидрида кальция с тетрафторидом кремния в эвтектическом расплаве хлоридов лития и калия при 360-390°C и очистку моносилана.
Способ и система для получения моносилана // 2551493
Изобретение относится к химической промышленности. Система для получения моносилана содержит реакционную колонну (100) с питающей трубой (101) для подачи трихлорсилана и с отводящей трубой (102) для полученного тетрахлорида кремния с одним конденсатором (103), через который полученный моносилан отводят из реакционной колонны.
Способ получения моносилана // 2524597
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Моносилан получают в реакторе кипящего слоя в две стадии.
Изобретение может быть использовано в химической промышленности для получения высокочистого кремния. Способ включает этапы: получения трихлорсилана, получения моносилана посредством диспропорционирования трихлорсилана и термического разложения моносилана.
Способ получения силана // 2492141
Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано для получения силана, применяемого для производства кремния в виде поли- и монокристаллов, и пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированного фтором.
Изобретение относится к способу получения моносилана, пригодного для производства поли- и монокристаллического кремния для солнечной энергетики и полупроводниковой техники, а также метилсилана для получения покрытий из карбида кремния.
Способ получения моносилана // 2466089
Изобретение относится к технологии получения моносилана, используемого в производстве поли- и монокристаллического кремния градации SG и EG, а также полупроводниковых структур методом газовой эпитаксии.
Изобретение относится к технологии неорганических соединений. .
Способ очистки отходящих газов от силана // 2450850
Изобретение относится к способам очистки отходящих газов от содержащегося в них силана SiH4. .
Способ непрерывного получения моносилана // 2414421
Изобретение относится к области химической технологии, в частности к получению гидрида кремния (моносилана), и может быть использовано в производстве полупроводниковых структур, микроэлектронике и солнечной энергетике.
Способ глубокой очистки моносилана // 2410326
Изобретение относится к технологии получения высокочистых силанов, а именно к способам глубокой очистки моносилана, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения.
Способ получения моносилана // 2390494
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению моносилана, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также для производства поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика).
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению кремнийсодержащих материалов, и касается разработки способа получения высокочистого силана, в том числе обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30 , используемого для получения кремния в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из изотопно-обогащенного SiO2 .
Способ очистки алмазов // 2367601
Способ получения гидридов кремния // 2357924
Изобретение относится к получению гидридов кремния, в том числе моносилана высокой чистоты, предназначенного для формирования полупроводниковых и диэлектрических слоев, синтеза кремнийорганических соединений, термического осаждения (диссоциации) поликристаллического кремния.
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (электроника, солнечная энергетика).
Способ получения моносилана // 2313485
Изобретение относится к химическим технологиям, а именно получению моносилана, используемого в производстве «солнечного» кремния. .
Изобретение относится к способам разделения смесей летучих веществ в процессах химической технологии и может быть использовано для разделения смесей хлорсиланов, гидридов, фторидов, органических продуктов и других продуктов с выделением целевого продукта.
Способ получения моносилана высокой чистоты // 2279403
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика).
Способ получения силана // 2267459
Изобретение относится к технологии получения силана для изготовления особо чистого полупроводникового кремния, используемого в силовой электронике, а также кремниевых пластин для производства сверхбольших интегральных схем и для формирования различных кремнийсодержащих слоев и пленочных покрытий в микроэлектронике.
Способ получения силана // 2245299
Изобретение относится к технологии получения силана из природных кварцитов для изготовления особо чистого полупроводникового кремния, используемого в силовой электронике. .
Изобретение относится к неорганической химии и касается разработки способа получения высокочистого силана, обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30 , используемого для получения Si в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из моноизотопного SiO2.
Способ получения алкилсиланов // 2219126
Изобретение относится к химической технологии, а именно к способам получения алкилсиланов. .
Способ получения моносилана высокой чистоты // 2214362
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения.
Способ получения силана // 2194010
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике. .
Способ получения силана // 2194009
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике. .
Способ получения силана // 2174950
Изобретение относится к способу получения силана, применяемого в полупроводниковой промышленности. .
Изобретение относится к технологии получения моносилана, который может быть использован при получении особо чистого полупроводникового кремния. .
Установка получения моносилана // 2164218
Изобретение относится к химической промышленности, в частности к устройствам для проведения гетерогенных процессов между твердым телом и газом. .
Способ получения моносилана и дисилана // 2160706
Изобретение относится к области химической технологии, в частности к получению силанов, и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии.
Способ получения силанов // 2152902
Способ получения гидридов кремния // 2151099
Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при получении кремния. .
Способ получения моносилана высокой чистоты // 2129984
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика).
Изобретение относится к способам получения силана (SiH4) высокой чистоты для полупроводниковой техники. .
Способ получения гидрида кремния // 2085487
Изобретение относится к способу получения гидрида кремния, в частности дисилана, который может быть использован как источник кремния при изготовлении полупроводников. .
Способ получения моносилана // 2077483
Изобретение относится к области химической технологии получения моносилана и может быть использовано в производстве высокочистого поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии.
Способ получения моносилана // 2050320
Изобретение относится к способам конверсии тетрафторида кремния в моносилан и фторид водорода. .
Способ получения трихлормоносилана // 1838236
Изобретение относится к получению кремнеземной реакционной массы в виде свободнотекущего порошка с содержанием меди менее 2%, используемого для получения метилхлорсиланов. .
Способ получения дихлорсилана // 1375563
