Изобретение относится к способам получения наноразмерных материалов, а именно к способу получения диоксида гафния с морфологией наностержней, который используется в полупроводниковой индустрии как материал, обладающий большой диэлектрической проницаемости, в качестве каталитической подложки и фотокатализатора в фотоячейках, при изготовлении теплостойких, высокоотражающих оптических покрытий, сенсоров, а также как фотолюминесцентный материал.