Реакциями в газовой фазе (C03B8/04)
C Химия; металлургия(326262)
C03 Стекло; минеральная и шлаковая вата(14339)
C03B8 Производство стекла другими способами, кроме способов плавления ( C03B37/014 имеет преимущество; получение тонкодисперсного диоксида кремния вообще C01B33/18)
(29)
C03B8/04 Реакциями в газовой фазе(7)
Изобретение относится к способу получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий, которые являются перспективными материалами для изготовления массивных оптических элементов и волоконных световодов для сенсоров, усилителей и лазеров, работающих в среднем ИК-диапазоне.
Изобретение относится к материалам для инфракрасной оптики, а именно к способу получения особо чистых халькогенидных стекол, легированных редкоземельными элементами. Способ получения особо чистых халькогенидных стекол, легированных редкоземельными элементами, включает загрузку компонентов шихты в вакуумированный кварцевый реактор, синтез стеклообразующего расплава, его гомогенизирующее плавление, закалку стеклообразующего расплава и отжиг стекла.
Глазурь // 2609501
Изобретение относится к составам глазурей. Технический результат изобретения заключается в повышении морозостойкости глазури.
Глазурь // 2599895
Изобретение относится к составам глазурей. Технический результат - повышение термостойкости глазури.
Изобретение относится к способу полного сгорания и окисления минеральной фракции сгораемых отходов в аппарате прямого сжигания и застекловывания. .
Глазурь // 2309903
Изобретение относится к составам фриттованных глазурей, используемых в производстве облицовочной плитки. .
Способ изготовления оптического стекла // 2284968
Способ получения труб из кварцевого стекла // 2207989
Изобретение относится к волоконной оптике, в частности к технологии изготовления труб из кварцевого стекла методом наружного парофазного осаждения для получения волоконных световодов. .
Изобретение относится к химическому осаждению диэлектрических пленок из газовой фазы на подложки и может быть использовано для создания изолирующих и пассирующих пленок в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
