С применением высоких частот и дополнительного постоянного напряжения (C23C14/44)
C23C14/44 С применением высоких частот и дополнительного постоянного напряжения(3)
Изобретение относится к способу ионно-плазменного получения наноструктур на поверхности вольфрама. Сначала производят обработку поверхности образца в плазме индукционного высокочастотного разряда в аргоне при импульсном отрицательном напряжении смещения на изделии величиной выше 100 В с частотой до 100 кГц и коэффициентом заполнения до 100%.
Изобретение относится к электротехнике, а именно к использованию электрического разряда для нагрева и химико-термической обработки изделий в электромагнитном поле индуктора. .
Изобретение относится к области осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности и может быть использовано для изоляции проводников различных датчиков, работающих в агрессивных и химически активных средах, для пассивации различных металлических поверхностей, а также при изготовлении волоконно-оптических заготовок с различными показателями преломления по их сечению и протяженных изделий с малым радиусом кривизны.
Изобретение относится к вакуумной технике и может найти применение в нанесении высококачественных покрытий простого и сложного составов. .