Предварительная обработка покрываемого материала (C23C16/02)
C Химия; металлургия(326262)
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)
(12971)
C23C16/02 Предварительная обработка покрываемого материала ( C23C16/04 имеет преимущество)(6)
Режущий инструмент с покрытием // 2769502
Изобретение относится к режущему инструменту с покрытием, содержащему основу и покрытие, при этом покрытие содержит внутренний мультислой α-Al2O3 и наружный монослой α-Al2O3, толщина наружного монослоя α-Al2O3 составляет 1-10 μм, предпочтительно 3-5 μм, и толщина внутреннего мультислоя α-Al2O3 составляет менее чем или равна 35% от суммы толщины внутреннего мультислоя α-Al2O3 и толщины наружного монослоя α-Al2O3, и при этом упомянутый мультислой α-Al2O3 состоит из чередующихся подслоев α-Al2O3, и подслоев TiCO, TiCNO, AlTiCO или AlTiCNO, причем упомянутый внутренний мультислой α-Al2O3 содержит по меньшей мере 5 подслоев α-Al2O3, и по меньшей мере один слой из TiC, TiN, TiAlN или TiCN, расположенный между основой и внутренним мультислоем α-Al2O3.
Режущий инструмент с покрытием // 2766604
Изобретение относится к режущему инструменту с покрытием, включающему основу и покрытие, причем покрытие содержит многослойную систему α-Al2O3, состоящую из чередующихся подслоев α-Al2O3 и подслоев TiCO, TiCNO, AlTiCO или AlTiCNO, упомянутая многослойная система α-Al2O3 содержит по меньшей мере 5 подслоев α-Al2O3, полная толщина упомянутой многослойной системы α-Al2O3 составляет 1-15 мкм, период многослойной системы α–Al2O3 составляет 50-900 нм, при этом режущий инструмент с покрытием дополнительно содержит первый слой α-Al2O3, находящийся между основой и многослойной системой α-Al2O3, в непосредственном контакте с многослойной системой α-Al2O3, причем толщина упомянутого слоя α-Al2O3 составляет < 1 мкм, и многослойная система α-Al2O3 проявляет рентгенодифрактограмму в диапазоне углов сканирования θ-2θ 20°-140°, на которой отношение интенсивности дифракционного пика 0012 (площади пика), I(0012), к интенсивностям дифракционного пика 113 (площади пика), I(113), дифракционного пика 116 (площади пика), I(116), и дифракционного пика 024 (площади пика), I(024), составляет I(0012)/I(113) > 1, I(0012)/I(116) > 1 и I(0012)/I(024) > 1.
Изобретение относится к технологии получения подложки из поликристаллического карбида кремния. Способ состоит из этапов предоставления покрывающих слоев 1b, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид металла, выбранного из группы, состоящей из никеля, кобальта, молибдена и вольфрама, или покрывающих слоев, каждый из которых изготовлен из фосфоросиликатного стекла (PSG) или борофосфоросиликатного стекла (BPSG), имеющего свойства текучести допированного P2O5 или B2O3 и P2O5, на обеих поверхностях основной подложки 1a, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки 1, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность; формирования пленок 10 поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки 1 осаждением из газовой фазы или выращиванием из жидкой фазы; и химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев 1b в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b от поддерживающей подложки 1 в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев 1b на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b, и получения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b в качестве подложек из поликристаллического карбида кремния.
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Предлагается способ изготовления сцинтиллятора для регистрации ионизирующих излучений в реакторе печи путем осаждения ZnO на подложке в зоне роста из газовой фазы, состоящей из паров цинка и газовой смеси аргона и кислорода, при продувке газовой фазы через зону испарения Zn, размещенного в тигле, в зону роста ZnO на подложке, при этом реактор предварительно вакуумируют до давления 8-10 Па, затем продувают через реактор чистый аргон, продолжая вакуумирование реактора, при достижении в реакторе давления не более 12 Па осуществляют нагрев зон роста и испарения, увеличивая температуру в зоне испарения до 640÷680°С, а в зоне роста до 550-580°С, после установления стационарных значений температуры в зоне роста и испарения, не прекращая подачу аргона, подают в реактор чистый кислород, при этом, соотношение объемов аргона и кислорода составляет 9/1, расход названной смеси 350÷450 см3/мин при ее течении в направлении от зоны испарения цинка к зоне роста массивов нанокристаллов ZnO.
Изобретение относится к способу нанесения барьерного покрытия из оксида кремния на контейнер из полиэтилентерефталата, содержащий стенку, имеющую внутреннюю поверхность и наружную поверхность, при этом способ содержит следующие этапы: (а) нагрев контейнера из полиэтилентерефталата так, чтобы температура по меньшей мере наружной поверхности находилась в диапазоне от примерно 200°F до примерно 383°F; (b) формирование контейнера из полиэтилентерефталата с покрытием путем нанесения по меньшей мере одного барьерного слоя из оксида кремния на по меньшей мере внутреннюю поверхность контейнера из полиэтилентерефталата, в то время как температура по меньшей мере наружной поверхности контейнера из полиэтилентерефталата находится в диапазоне от примерно 200°F до примерно 383°F; и (с) охлаждение контейнера из полиэтилентерефталата с покрытием после этапа b.
Изобретение относится к слоистому материалу, предназначенному для получения барьерных пленок, включающему более чем одну последовательность, включающую (а) слой, содержащий В, Al, Si, Ti, Zn, Y, Zr, La, имеющий толщину от 0.4 до 15 нм, и (б) слой, содержащий органический тиол.
Изобретение относится к способам реакционного удаления с поверхности подложки покрытия из углеродных слоев. Осуществляют размещение освобождаемой от покрытия подложки на держателе подложки в вакуумной камере, подачу в вакуумную камеру по меньшей мере одного реакционного газа, обеспечивающего удаление углерода в газообразной форме, и зажигание плазменного разряда в вакуумной камере для стимулирования требуемой по меньшей мере одной химической реакции для удаления покрытия с покрытой подложки, и проведение реакционного удаления упомянутого покрытия по меньшей мере в одну стадию.
Изобретение относится к области электролитно-плазменной обработки поверхности токопроводящего проката и может найти применение при осуществлении технологических операций очистки и травления металлов и сплавов.
Изобретение относится к технологии нанесения пленок на подложки, конкретно - к предварительной обработке подложек (нанесению центров зародышеобразования) для последующего роста поликристаллических алмазных пленок, применяемых в ядерной технике, в мощных непрерывных технологических CO2-лазерах, в электрохимии.
Изобретение относится к способам нанесения карбидохромовых покрытий термическим разложением бис-ареновых соединений хрома и найдет применение в различных областях, как например нефтедобывающей и нефтехимической промышленности, в которых используется оборудование с защитными коррозионно- и износостойкими поверхностями металлических деталей, в том числе из чугуна.
Изобретение относится к нанесению металлических покрытий, в частности к подготовке поверхности стальных изделий перед нанесением кадмиевых покрытий термическим разложением паров диэтилкадмия. .
Способ обработки оси прокатного валка // 749917
