Путем активирования реакционноспособных газовых струй перед вхождением в реакционную камеру, например путем ионизации или добавления реакционноспособных частиц (C23C16/452)
C Химия; металлургия(326262)
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)
(12971)
C23C16/452 Путем активирования реакционноспособных газовых струй перед вхождением в реакционную камеру, например путем ионизации или добавления реакционноспособных частиц(3)
Аппарат для плазменной обработки подложек // 2789412
Изобретение относится к способам для обработки подложек и к соответствующему аппарату. В частности, изобретение относится к реакторам для плазменного атомно-слоевого осаждения.
Изобретение относится к способу формирования тонких пленок аморфного кремния и к устройству для его осуществления. Способ основан на осаждении продуктов разложения силансодержащей газовой смеси на нагретую подложку, которое выполняют в плазме ВЧЕ-разряда в разрядной камере изолированно от камеры осаждения с последующим формированием из продуктов разложения сверхзвуковых струй, истекающих в вакуумную камеру осаждения через систему сверхзвуковых сопел, установленных в стенке разрядной камеры.
Изобретение относится к способу многослойного барьерного покрытия в виде системы прозрачных слоев. Проводят осаждение в вакуумной камере на прозрачной полимерной пленке по меньшей мере двух прозрачных барьерных слоев и одного расположенного между упомянутыми двумя барьерными слоями прозрачного промежуточного слоя.
Изобретение относится к способу получения прозрачной барьерной многослойной системы. Проводят осаждение по меньшей мере в одной вакуумной камере.
Изобретение относится к способу выращивания пленки нитрида металла группы (III) химическим осаждением из газовой фазы с удаленной плазмой, устройству для осуществления способа и пленке нитрида металла группы (III) и может найти применение при изготовлении светоизлучающих диодов, лазерных светодиодов и других сверхвысокочастотных транзисторных приборов высокой мощности.
