Изобретение относится к области осаждения углерода путем разложения газообразных соединений с помощью плазмы СВЧ-разряда и может быть использовано, например, для получения поликристаллических алмазных пленок (пластин), из которых изготавливают выходные окна мощных источников СВЧ-излучения, например гиротронов, необходимых для дополнительного нагрева плазмы в установках термоядерного синтеза.