С использованием плазменных струй (C23C16/513)
C Химия; металлургия(326262)
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)
(12971)
C23C16/513 С использованием плазменных струй(25)
Устройство для нанесения алмазных покрытий // 2792526
Изобретение может быть использовано в электронике и оптике. Устройство для нанесения алмазных покрытий содержит вакуумную камеру, в которой расположены разрядная камера 14 и камера осаждения 5, сообщающиеся между собой через коническое сопло 4, вершина которого направлена в разрядную камеру 14, отделённую герметичной диэлектрической вставкой 10 из кварца от атмосферной части, в которой расположен источник СВЧ-излучения - магнетрон.
Изобретение относится к способу вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой аморфной пленки из фосфор-оксинитрида лития LiPON на подложку. Проводят нагрев, плавление, испарение ортофосфата лития Li3PO4 и формирование пленки на поверхности подложки в плазме разряда низкого давления с самонакаливаемым полым катодом и анодом, состоящим из двух частей.
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору для плазмохимического осаждения алмазного покрытия на подложку из твердого сплава, выполненному с возможностью регулирования температуры косвенного нагрева подложки.
Изобретение относится к способу управления температурным режимом роста алмазной пленки на поверхности по меньшей мере одной подложки из твердого сплава. Основную проводящую платформу размещают в герметичной осесимметричной вакуумной камере СВЧ плазменного реактора с однородным температурным полем, при этом центральную часть упомянутой камеры выполняют в виде СВЧ резонатора.
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору для осаждения алмазной пленки на подложку из твердого сплава, выполненному с возможностью регулирования температуры косвенного нагрева подложки. СВЧ плазменный реактор содержит герметичную осесимметричную камеру, центральная часть которой является СВЧ резонатором, и установленные в указанной камере подложкодержатель для размещения подложки или группы подложек из твердого сплава, представляющий собой радиальный волновод с СВЧ полем, и запредельное проводящее кольцо из тугоплавкого материала в виде волновода.
Изобретение относится к способу покрывания подложки (1) слоем алмазоподобного углерода (DLC) методом PECVD. Создают плазму посредством магнетронной мишени (магнетронного PECVD) в вакуумной камере (3), в которой размещены снабженный мишенью (9) магнетрон (10) и подложка (1).
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности, к плазменному синтезу порошка со структурой ядро-оболочка. Частицы, поверхность которых покрывается оболочкой, подают в реакционную камеру посредством вихревого плазменного потока, материал оболочки вводят в виде термически нестабильного металлокомплекса вместе с вихревым потоком стабилизирующего газа, насыщенного его парами, частота вращения которого больше, чем у плазменного потока.
Способ получения объемных алмазных структур // 2698885
Изобретение относится к производству объемных изделий (структур) из алмаза: губок, пористых структур сложной формы, и может быть использовано в твердотельной электронике для производства теплоотводов, эмиссионных электродов и высоковольтных изоляторов, в теплотехнике при конструировании эффективных теплообменников, в биологии и медицине при изготовлении фильтров и мембран.
Изобретение относится к вакуумно-плазменному осаждению покрытия. Устройство содержит технологическую камеру, в которой установлен подложкодержатель с подложкой, имеющий продольную ось О-О1, разрядную камеру с геликонным источником плазмы, закрепленным на технологической камере симметрично продольной оси О-О1, газовую систему, соленоидальную антенну, расположенную с внешней стороны разрядной камеры, и магнитную систему, расположенную с внешней стороны технологической камеры симметрично продольной оси О-О1 и включающую первую соленоидальную магнитную катушку и вторую соленоидальную магнитную катушку, выполненные с возможностью перемещения вдоль продольной оси О-О1.
Изобретение может быть использовано для химико-термической обработки внутренней цилиндрической поверхности из конструкционных материалов и изделий из мало- и высоколегированных сталей, титана и титановых сплавов.
Изобретение относится к структуре двухкаскадного тонкопленочного солнечного модуля (фотопреобразователя) на основе аморфного и микрокристаллического кремния. Тонкопленочный солнечный модуль состоит из последовательно расположенных: фронтальной стеклянной подложки, фронтального контактного слоя из прозрачного проводящего оксида, подслоя из нестехиометрического карбида кремния р-типа, аморфного и микрокристаллического каскадов, соединенных последовательно.
Изобретение относится к способам получения монолитных соединений стержней из поликристаллических алмазов, предназначенных для использования в производстве приборов электроники, оптики, СВЧ-техники, в частности для изготовления диэлектрических опор в лампах бегущей волны (ЛБВ), использующих низкий коэффициент поглощения на частотах генерации.
Изобретение относится к устройству для осуществления процесса плазменного химического осаждения из паровой фазы. Цилиндрический резонатор устройства плазменного химического осаждения стекломатериала из паровой фазы на внутреннюю поверхность подложки в виде трубки содержит наружную цилиндрическую стенку, выполненную с резонансной полостью, проходящей в периферийном направлении вокруг оси цилиндра, боковую стенку с частями, ограничивающими резонансную полость в направлении оси цилиндра, и щелевую структуру, расположенную в периферийном направлении вокруг оси цилиндра с обеспечением доступа микроволновой энергии из резонансной полости радиально внутрь упомянутой трубки.
Изобретение относится к способу ввода пучка электронов в среду с повышенным давлением, при котором подачу газа осуществляют через систему напуска в сопловой блок, состоящий из двух кольцевых сопел (внутреннего и внешнего, по оси внутреннего кольцевого сопла имеется отверстие для прохождения пучка электронов), при расширении из которого в среду с повышенным давлением в приосевой области течения формируется «зона спокойствия», параметры которой зависят только от параметров, определяющих работу внутреннего кольцевого сопла (в частности, его геометрии и расхода газа), являющаяся частью транспортного канала для ввода пучка электронов из объема электронной пушки в среду с повышенным давлением.
Плазменный свч реактор для газофазного осаждения алмазных пленок в потоке газа (варианты) // 2595156
Изобретение относится к плазменным СВЧ реакторам для газофазного осаждения алмазных пленок в потоке газа (варианты). Выполнение реактора на основе двух связанных резонаторов - цилиндрического резонатора и прикрепленного к его торцевой стенке круглого коаксиального резонатора, вдоль оси которых (соосно резонаторам) располагается реакционная камера в виде диэлектрической трубы, позволяет генерировать и поддерживать аксиально-симметричную плазму в реакционной камере только в одной единственной области резонатора около подложки.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического, полученного химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ), синтетического алмазного материала, который может быть использован в качестве квантовых датчиков, оптических фильтров, частей инструментов для механической обработки и исходного материала для формирования окрашенных драгоценных камней.
Изобретение относится к технологиям получения массивов углеродных нанотрубок на поверхности подложки. В реакционной камере формируют поток рабочего газа, содержащего несущий газ, газообразный углеводород и предшественник катализатора для синтеза углеродных нанотрубок.
Изобретения могут быть использованы при бактерицидной обработке флюидов, таких как вода и промышленные жидкости. Продукт для очистки флюидов содержит, с одной стороны, пористое тело, имеющее наружную и внутреннюю удельную поверхность, и, с другой стороны, металлизированный слой нанометровой толщины, покрывающий, по меньшей мере, часть наружной и внутренней поверхности пористого тела.
Изобретение относится к способу управления концентрацией и однородностью распределения легирующей примеси в синтетическом CVD-алмазном материале, используемом в электронных устройствах и датчиках. Алмазный материал получают в микроволновом плазменном реакторе, содержащем плазменную камеру 102, в которой расположена(ы) одна или более подложек-областей поверхности роста 105, поверх которой(ых) осаждается алмазный материал, систему газового потока 112 для подачи технологических газов в плазменную камеру 102, систему 122 удаления их оттуда.
Способ плазмохимического синтеза и реактор плазмохимического синтеза для его осуществления // 2532676
Изобретение относится к области плазмохимии, в частности к способу и реактору для плазмохимического синтеза, и может быть использовано при создании плазмохимических реакторов на основе лазеров. Способ включает формирование в реакторе, содержащем лазер, оптически связанный с фокусирующим объективом, и систему подачи реагентов посредством источника плазмы, плазменного образования, воздействие на него лазерным излучением, подачу в упомянутое плазменное образование реагентов и вывод полученных продуктов реакции.
Изобретение относится к способу нанесения покрытия на металлический тигель. Техническим результатом изобретения является снижение открытой пористости покрытия.
Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к устройствам для вакуумного нанесения пленок с использованием электромагнитного излучения. .
Изобретение относится к технологии неорганических веществ и материалов. .
Изобретение относится к технологиям модификации металлических поверхностей, например к технологиям азотирования, цементации, легирования и др. .
Устройство непрерывного формирования пленки // 2417275
Изобретение относится к устройству для плазменного химического парофазного осаждения пленки на поверхности полосообразной подложки и может найти применение при изготовлении дисплеев. .
Изобретение относится к полимерным изделиям, имеющим тонкое покрытие, и способу его изготовления. .
Лазерно-плазменный способ синтеза высокотвердых микро- и наноструктурированных покрытий и устройство // 2416673
Изобретение относится к технологиям получения высокотвердых защитных и функциональных покрытий и может быть использовано для покрытия поверхностей деталей машин и механизмов, трубопроводов и насосов, элементов корпусов, функциональных и несущих металлоконструкций.
Свч плазменный реактор // 2403318
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору и может найти применение при формировании пленки большого размера, соизмеримого по диаметру с длиной СВЧ волны. .
Свч плазменный реактор // 2393270
Изобретение относится к СВЧ плазменным реакторам для плазмохимического синтеза вещества из газовой фазы. .
Изобретение относится к способу изготовления металлической проволоки для армирования эластомерного материала, металлической проволоки и металлокорду для армирования такого эластомерного материала. .
Изобретение относится к способу для формирования тонких пленок оксида на поверхности подложки, устройству для формирования тонких пленок (варианты) и способу мониторинга процесса формирования тонких пленок и может быть использовано при изготовлении упаковок в различных отраслях производства.
Свч плазменный реактор // 2299929
Изобретение относится к металлообработке, в частности к СВЧ плазменному реактору, и может найти применение в машиностроении и металлургии при изготовлении изделий с покрытиями, полученными способом плазменного парофазного химического осаждения пленок.
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, микронанотехнологии, а именно к конструкции плазмохимического реактора, в котором производятся плазмохимические процессы травления и осаждения различных материалов.
Изобретение относится к способу и устройству для осаждения по меньшей мере частично кристаллического кремниевого слоя на подложку и может быть использовано в различных отраслях машиностроения. .
Изобретение относится к способу нанесения покрытий из тугоплавкого оксида алюминия (Al2O3) на режущие инструменты, корпус которых изготовлен из цементированного карбида, кермета, керамики или быстрорежущей стали, и может найти применение в различных отраслях машиностроения.
Сосуд с покрытием из материала с барьерным эффектом, способ и устройство для его изготовления // 2189401
Изобретение относится к формированию покрытия из аморфного углерода с полимерной тенденцией на субстрат из полимерного материала, имеющего форму сосуда, который необходимо получить, такого как бутылка или флакон, с использованием плазмы, возбуждаемой посредством электромагнитных волн.
