Управление или регулирование способа покрытия (C23C16/52)

C23   Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F) (12971)
C23C16/52              Управление или регулирование способа покрытия (управление или регулирование вообще G05)(12)

Устройство для синтеза тонких пленок внутри каналов микроканальной пластины // 2781185
Изобретение относится к технологии нанесения равномерных тонких пленок путем проведения химических реакций на поверхности подложек, в том числе с развитым рельефом, например подложек с отверстиями и каналами с большим аспектным отношением.

Выращивание эпитаксиального 3c-sic на монокристаллическом кремнии // 2764040
Изобретение относится к технологии выращивания эпитаксиального 3C-SiC на ориентированном монокристаллическом кремнии. Способ включает предоставление монокристаллической кремниевой подложки 2, имеющей диаметр по меньшей мере 100 мм, в реакторе 7 химического осаждения из газовой фазы с холодными стенками, содержащем кварцевую камеру; нагревание подложки до температуры, равной или большей чем 700°C и равной или меньшей чем 1200°C, с использованием внешних нагревателей 9, которые представляют собой инфракрасные лампы; введение газовой смеси 33 в реактор, тогда как подложка находится при данной температуре, причем газовая смесь содержит прекурсор 16 источника кремния, прекурсор 18 источника углерода, который отличается от прекурсора 16 источника кремния, и несущий газ 20, таким образом, чтобы осадить эпитаксиальный слой 3C-SiC на монокристаллический кремний, при этом прекурсор 16 источника кремния содержит силан или содержащий хлор силан, а прекурсор 18 источника углерода содержит содержащий метил силан.

Способ контроля и управления температурным режимом ростовой поверхности подложки // 2763103
Изобретение относится к способу управления температурным режимом роста алмазной пленки на поверхности по меньшей мере одной подложки из твердого сплава. Основную проводящую платформу размещают в герметичной осесимметричной вакуумной камере СВЧ плазменного реактора с однородным температурным полем, при этом центральную часть упомянутой камеры выполняют в виде СВЧ резонатора.

Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов iii группы и устройство для его осуществления // 2673515
Изобретение относится к технологии химического нанесения покрытий путем разложения газообразных соединений, в частности к способам введения газов в реакционную камеру. Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы включает подачу в реактор 5 по крайней мере двух потоков реакционноспособных газов через вводы 1, 2, по крайней мере один из которых смешивают с несущим газом, при этом в качестве источников металлов третьей группы используют триметилалюминий, триметилиндий, триметилгаллий, триэтилгаллий, или их смеси, а в качестве источника азота - аммиак, при этом перед подачей в реактор 5 потоки газов 1, 2 направляют в по крайней мере одну соединенную с реактором 5 смесительную камеру 3 для приготовления газовой смеси, после чего полученную смесь газов направляют в реактор 5 через формирователь потока 4, выполненный с возможностью подачи газов в реактор 5 в условиях ламинарного потока, причем стенки камеры 3 и формирователь потока 4 нагревают и поддерживают при температуре 40÷400°C, при этом внутренний объем смесительной камеры 3 удовлетворяет соотношению V<Q⋅(Pst/P)4T/Tst)⋅1 с, где V - внутренний объем смесительной камеры, см3; Q - полный суммарный расход газа через камеру, выраженный в см3/с, при стандартных условиях; Pst, Tst - стандартные значения температуры и давления (Р=105 Па, Т=273,15 К); Р - давление в смесительной камере; Т - минимальная температура в смесительной камере.

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке // 2618279
Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии.

Устройство и способ для плазменного нанесения покрытия на подложку, в частности, на прессовальный лист // 2615743
Изобретение относится к устройству (100…103) для плазменного нанесения покрытия на подложку (2), в частности прессовальный лист, и способу плазменного нанесения покрытия. Устройство содержит вакуумную камеру (3) и расположенный в ней электрод (400…409), который сегментирован, при этом каждый из электродных сегментов (500…512) имеет собственный соединительный вывод (6) для источника (700…702) электрической энергии.

Способ синтеза материала, в частности алмаза, посредством химического осаждения из паровой фазы, а также устройство для реализации этого способа // 2572652
Изобретение относится к синтезу материала, в частности алмаза и полупроводника типа Si-Ge, посредством химического осаждения из паровой фазы (CVD). Синтез алмаза осуществляют путем создания плазмы в вакуумной камере около субстрата, выполненного с возможностью размещения на нем синтезируемого алмаза, при этом в камеру вводят H2 и вещество-носитель углерода для получения в камере газа, содержащего вещества-носители атомов реактивного углерода в виде радикалов или молекул с незаполненными электронными оболочками, из которых затем синтезируется указанный алмаз.

Аппарат для получения и способ получения поликристаллического кремния // 2495164
Изобретение относится к производству стержней поликристаллического кремния. Способ осуществляют в реакторе, содержащем донную плиту, образующую нижнюю часть реактора и колоколообразный вакуумный колпак, прикрепленный с возможностью снятия к донной плите, в котором на донной плите расположено множество газоподводящих отверстий для подачи сырьевого газа снизу вверх в реактор, и газовыводящих отверстий для выпуска отработанного газа после реакции, и в котором множество газоподводящих отверстий расположено концентрически по всей площади, охватывающей верхнюю поверхность донной плиты, в которой устанавливают множество кремниевых затравочных стержней, причем кремниевые затравочные стержни нагревают, и поликристаллический кремний осаждают из сырьевого газа на поверхностях кремниевых затравочных стержней, при этом прекращают подачу сырьевого газа из газоподводящих отверстий вблизи центра реактора в течение заданного времени, в то время как подают сырьевой газ из других газоподводящих отверстий на ранней стадии реакции, и обеспечивают путь для нисходящего газового потока после столкновения с потолком вакуумного колпака.

Способ получения поликристаллического кремния // 2475570
Изобретение относится к технологии получения стержней из поликристаллического кремния. .

Способ химической инфильтрации в газовой фазе для уплотнения пористых субстратов пиролитическим углеродом // 2398047
Изобретение относится к уплотнению пористых субстратов пиролитическим углеродом способом химической инфильтрации с использованием установки для осуществления этого способа. .

Пленкообразующее устройство, согласующий блок и способ управления импедансом // 2397274
Изобретение относится к пленкообразующему устройству, согласующему блоку упомянутого устройства и способу управления импедансом и может найти применение при изготовлении изделий с пленочным покрытием, полученным плазмохимическим осаждением из газовой фазы.

Способ контроля или моделирования процесса химической инфильтрации газовой фазой для уплотнения пористых субстратов углеродом // 2347009
Изобретение относится к способу контроля или моделирования процесса уплотнения по меньшей мере одного пористого субстрата пиролитическим углеродом путем химической инфильтрации газовой фазой, в соответствии с которым помещают в печь партию из одного или более субстратов, подлежащих уплотнению, нагревают указанный субстрат, подают в печь реакционный газ, содержащий по меньшей мере один углеводород, являющийся источником углерода, устанавливают в печи давление, при котором реакционный газ способен диффундировать в поры нагретого субстрата с образованием в них осадка пиролитического углерода, и выпускают из печи отработанный газ через выпускную трубу, соединенную с выходным отверстием печи.

Металлизация основы (основ) способом осаждения из парожидкостной фазы // 2330122
Изобретение относится к металлическим покрытиям, нанесенным путем химико-термического осаждения из паровой фазы, а также к продуктам и способам. .

Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок // 2324765
Изобретение относится к способу для формирования тонких пленок оксида на поверхности подложки, устройству для формирования тонких пленок (варианты) и способу мониторинга процесса формирования тонких пленок и может быть использовано при изготовлении упаковок в различных отраслях производства.

Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы // 1680800
Изобретение относится к металлургии, в частности к разработке устройств, которые могут быть использованы для контроля процессов образования и разложения летучих соединений при нанесении покрытий из металлов (неметаллов) на металлических подложках.
 
.
Наверх