Устройства, специально приспособленные для непрерывного покрытия (C23C16/54)
C Химия; металлургия(326262)
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)
(12971)
C23C16/54 Устройства, специально приспособленные для непрерывного покрытия(40)
Изобретение относится к способу вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой аморфной пленки из фосфор-оксинитрида лития LiPON на подложку. Проводят нагрев, плавление, испарение ортофосфата лития Li3PO4 и формирование пленки на поверхности подложки в плазме разряда низкого давления с самонакаливаемым полым катодом и анодом, состоящим из двух частей.
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору для плазмохимического осаждения алмазного покрытия на подложку из твердого сплава, выполненному с возможностью регулирования температуры косвенного нагрева подложки.
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору для осаждения алмазной пленки на подложку из твердого сплава, выполненному с возможностью регулирования температуры косвенного нагрева подложки. СВЧ плазменный реактор содержит герметичную осесимметричную камеру, центральная часть которой является СВЧ резонатором, и установленные в указанной камере подложкодержатель для размещения подложки или группы подложек из твердого сплава, представляющий собой радиальный волновод с СВЧ полем, и запредельное проводящее кольцо из тугоплавкого материала в виде волновода.
Изобретение относится к установке для производства текстурированных листов из электротехнической стали. Установка содержит многоступенчатые входные декомпрессионные камеры и многоступенчатые выходные декомпрессионные камеры, которые содержат перегородку, ограничивающую каждую декомпрессионную камеру и имеющую отверстие для прохождения листа, форма которого позволяет текстурированному листу из электротехнической стали свободно проходить через указанное отверстие, и уплотнительные подушки, расположенные на верхней и нижней сторонах отверстия для прохождения листа в перегородке.
Изобретение относится к устройству для атомно-слоевого осаждения (ALD) покрытия на поверхность подложки. Указанное устройство содержит реакционную камеру, расположенную внутри вакуумной камеры, с возможностью размещения подложки или партии подложек, газовпускное устройство и форлинию, выполненные с возможностью обеспечения горизонтального потока газа в реакционной камере.
Группа изобретений относится к устройству для обработки подложек осаждением или очисткой и к способу обработки с использованием указанного устройства. Упомянутое устройство содержит наружную камеру, реакционную камеру с возможностью подачи в нее химически неактивного газа или прекурсора, при этом реакционная камера расположена внутри наружной камеры с образованием двухкамерной конструкции, линию подачи химически неактивного газа или прекурсора в реакционную камеру и подвижный элемент, расположенный под реакционной камерой и выполненный с возможностью обеспечения вертикального перемещения реакционной камеры между положением обработки и нижним положением внутри наружной камеры.
Группа изобретений относится к реактору осаждения для нанесения покрытия на частицы и способу осаждения посредством упомянутого реактора. Реактор содержит реакционную камеру, обеспечивающую реакционное пространство для частиц, подлежащих покрытию, и источник вибрации.
Изобретение относится к вариантам установки для напыления тонких слоев с различными свойствами на размещенные в паллетах из одного материала пластины на основе кремния или стекла. Установка включает последовательно расположенные компоненты: узел загрузки пластин на паллеты, входную шлюзовую и буферную камеры, блоки вакуумных камер для напыления по крайней мере на одну из сторон пластин тонких слоев в соответствующем технологическом оснащении, выходную шлюзовую и буферную камеры, узел выгрузки пластин с напылением из паллет, которые объединены системой управления и автоматизированной системой внутренней транспортировки пластин в паллетах, а также содержит систему обратной транспортировки паллет без пластин вне вакуумных камер от узла выгрузки пластин с напылением из паллет к узлу загрузки пластин на паллеты, причем система обратной транспортировки паллет снабжена счетчиком циклов прохождения паллет по системе, модулями лазерной очистки паллет от напыления с одной или двух подвергшихся напылению сторон, а также снабжена датчиками положения паллет относительно модулей лазерной очистки, причем каждая лазерная головка содержит встроенный сканатор с областью сканирования луча d=(0,1-0,12) м и расположенный вблизи области очистки узел локальной вытяжки продуктов лазерной очистки.
Настоящее изобретение относится к барьерным пленкам, включающим барьерное PECVD-покрытие из алмазоподобного углерода, и к способу изготовления таких пленок, и, кроме того, к многослойным упаковочным материалам, включающим такие пленки, в частности, предназначенным для упаковки жидких пищевых продуктов.
Предложенная группа изобретений относится к реакторам осаждения, в которых материал осаждается на поверхностях посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций. Способ атомно-слоевого осаждения покрытия на поверхность частиц, в котором используют реактор атомно-слоевого осаждения с сосудом для частиц, на поверхность которых наносят покрытие, в реакционной камере, обеспечивают источник вибрации, изолированный снаружи реакционной камеры и передающий вибрации по форвакуумной линии, или изолированный внутри реакционной камеры.
Предложенная группа изобретений относится к атомно-слоевому осаждению. Система для атомно-слоевого осаждения (ALD) содержит узел реакционной камеры, содержащий вакуумную камеру, реакционную камеру внутри вакуумной камеры, газовпускное устройство и форлинию, выполненные с возможностью обеспечения горизонтального потока газа в реакционной камере, приводное устройство, содержащее крышку реакционной камеры, и по меньшей мере первый узел загрузочного шлюза, содержащий первый загрузочный шлюз.
Заявленная группа изобретений относится к устройству для обработки подложек осаждением и/или очисткой и способу обработки подложек с использованием упомянутого устройства. Указанное устройство содержит наружную камеру, реакционную камеру внутри наружной камеры с образованием двухкамерной конструкции и линию подачи химически неактивного газа или прекурсора в реакционную камеру, нагреватель, расположенный внутри наружной камеры за пределами реакционной камеры, трубку для подачи радикала и выпускную линию, расположенную под реакционной камерой.
Предложенная группа изобретений относится к модульному реактору для изготовления синтетических алмазов осаждением в микроволновой плазме и к способу изготовления синтетических алмазов с использованием указанного реактора.
Изобретение относится к устройству для отбора повторным нагревом твердофазных веществ из отходящего газа, содержащего непрореагировавший ингредиент, газофазного процесса. Устройство содержит емкость, выполненную удлиненной в осевом направлении в виде камеры, впускной канал и выпускной канал, соответственно соединенные с камерой и отделенные в осевом направлении один от другого, нагреватель и перегородочную структуру.
Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы // 2717620
Изобретение относится к устройству (1) для нанесения покрытия на по меньшей мере одну нить (2) методом осаждения из паровой фазы, способу нанесения покрытия и способу изготовления детали из композиционного материала.
Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы // 2717450
Изобретение относится к устройству (1) для нанесения покрытия на по меньшей мере одну нить (2) методом осаждения из паровой фазы, способу нанесения покрытия и способу изготовления детали из композиционного материала.
Изобретение относится к методу нанесения материалов на поверхность подложки и устройству для осуществления этого метода. Способ атомно-слоевого осаждения покрытия на поверхность подложки включает подачу паров прекурсоров в реакционную камеру устройства атомно-слоевого осаждения и осаждение материала из паров прекурсоров на подложку при ее перемещении внутри реакционной камеры при чередовании периодов фотонного воздействия и затенения.
Изобретение относится к способу и устройству атомно-слоевого осаждения покрытия на поверхность подложки. Осуществляют последовательность атомно-слоевого осаждения, включающую по меньшей мере один цикл осаждения, причем в каждом цикле образуется монослой осажденного материала.
Изобретение относится к оборудованию для осаждения тонких пленок и покрытий из паров химических веществ на плоскую полупроводниковую подложку и может быть использовано в технологических процессах изготовления электронных и электромеханических приборов.
Устройство для вакуумной обработки // 2660457
Изобретение относится к устройству для вакуумной обработки армирующего волокна и способу вакуумной обработки армирующего волокна. Указанное устройство содержит камеру, выполненную с возможностью поддерживания в ней состояния пониженного давления, подающий ролик, расположенный с возможностью подвешивания армирующего волокна в упомянутой камере, устройство для нанесения покрытия, расположенное в упомянутой камере с возможностью пропускания через него армирующего волокна, подвешенного в упомянутой камере, захватное устройство, расположенное с возможностью захвата и удерживания на месте переднего конца армирующего волокна, проходящего через упомянутое устройство для нанесения покрытия и вертикально спадающего вниз, намоточный барабан для наматывания армирующего волокна, обработанного упомянутым устройством для нанесения покрытия, и упругий шнур, отводимый синхронно с вращением намоточного барабана из первого его положения, в котором упругий шнур окружает упомянутый передний конец армирующего волокна, удерживаемый на месте упомянутым захватным устройством, во второе его положение, в котором упругий шнур входит в контакт с армирующим волокном и подводит его к намоточному барабану.
Изобретение относится к области получения искусственных алмазов методом химического газофазного осаждения, в частности, связано с активацией потока смеси нейтральных газов нагретыми металлическими поверхностями и может быть использовано в электронике, приборостроении, на предприятиях, производящих алмазный инструмент.
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору с объемно-резонаторной передачей энергии в область над подложкой, ограниченной формой плазменного образования в виде полуэллипса, создающей косвенный нагрев при осаждении покрытия на низкоаспектной подложке или одновременно на группе подложек.
Устройство для лазерно-плазменного синтеза высокотвердых микро- и наноструктурированных покрытий // 2638610
Изобретение относится к технологиям получения микро- и/или наноструктурированных защитных и функциональных покрытий на поверхностях деталей машин и механизмов, трубопроводов и насосов, в частности к устройству для получения высокотвердых покрытий.
Изобретение относится к средствам защиты, в частности к устройствам защиты нижнего электрода реактора плазмохимического осаждения из газовой фазы. Защитный экран для электрода реактора плазмохимического осаждения, который выполнен металлическим, толщиной от 10 до 1000 микрометров с габаритными размерами, соответствующими размерам электрода плазмохимического реактора, и имеющего отверстия в местах расположения отверстий на электроде реактора плазмохимического осаждения.
Плазменный свч реактор // 2637187
Изобретение относится к плазменным СВЧ реакторам для химического осаждения из газовой фазы материалов, в частности для получения углеродных (алмазных) пленок. Плазменный СВЧ реактор для газофазного осаждения на подложку алмазной пленки содержит волноводную линию для подвода излучения от СВЧ генератора к реактору, цилиндрический резонатор, реакционную камеру с системой напуска и откачки газовой смеси, содержащей водород и углеводород, и подложку, установленную на подложкодержателе в реакционной камере.
Изобретение относится к области химической инфильтрации в паровой фазе, используемой, в частности, при изготовлении изделий из термоструктурных композитных материалов, а именно к установке (600) для химической инфильтрации в паровой фазе пористых преформ (20) трехмерной формы, вытянутых в продольном направлении.
Настоящее изобретение относится к загрузочному устройству (100) реакционной камеры печи для инфильтрации для уплотнения штабелируемых пористых преформ (160-163), имеющих форму усеченного конуса, методом химической инфильтрации в газовой фазе направленным потоком и печи (200) для инфильтрации для уплотнения штабелируемых пористых упомянутых преформ (160-163).
Способ и устройство для защиты внутренних поверхностей насоса посредством атомно-слоевого покрытия // 2630733
Изобретение относится к способу защиты внутренних поверхностей насоса путем атомно-слоевого осаждения (АСО) покрытия и к устройству для защиты внутренних поверхностей насоса путем атомно-слоевого осаждения (АСО) покрытия.
Устройство и способ для реакторов осаждения // 2630731
Изобретение относится к устройству и способу химического осаждения материала последовательными самонасыщающимися поверхностными реакциями. Упомянутое устройство содержит источник исходного продукта, выполненный с возможностью осаждения материала на нагретую подложку в реакторе осаждения последовательными самонасыщающимися поверхностными реакциями, и пульсирующий клапан, внедренный в источник исходного продукта и выполненный с возможностью управления подачей пара исходного продукта из источника исходного продукта в содержащуюся в реакторе реакционную камеру, в которой размещена подложка.
Устройство и способы для реакторов осаждения // 2630727
Изобретение относится к источнику исходного продукта для реактора химического осаждения материала последовательными самонасыщающимися поверхностными реакциями и к картриджу исходного продукта для источника исходного продукта.
Способ загрузки подложки в реактор асо // 2620230
Изобретение относится к реакторам атомно-слоевого осаждения, в которых материал наносят на поверхности при последовательном осуществлении самоограниченных поверхностных реакций. Способ атомно-слоевого осаждения материала на партию подложек включает загрузку партии подложек в держатель подложек, находящийся в загрузочной камере реактора для нанесения материала, с формированием в держателе подложек вертикальной стопы горизонтально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна на другой, и разворот держателя подложек для получения горизонтальной стопы вертикально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна за другой, и опускание держателя подложек в реакционную камеру указанного реактора для нанесения материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций путем воздействия на партию подложек разделенными во времени импульсами подачи прекурсоров.
Изобретение относится к способу ввода пучка электронов в среду с повышенным давлением, при котором подачу газа осуществляют через систему напуска в сопловой блок, состоящий из двух кольцевых сопел (внутреннего и внешнего, по оси внутреннего кольцевого сопла имеется отверстие для прохождения пучка электронов), при расширении из которого в среду с повышенным давлением в приосевой области течения формируется «зона спокойствия», параметры которой зависят только от параметров, определяющих работу внутреннего кольцевого сопла (в частности, его геометрии и расхода газа), являющаяся частью транспортного канала для ввода пучка электронов из объема электронной пушки в среду с повышенным давлением.
Изобретение относится к реакторам атомно-слоевого осаждения, в которых материал наносят на поверхности при последовательном использовании самоограниченных поверхностных реакций. Способ нанесения тонкопленочного покрытия на поверхность полотна атомно-слоевым осаждением (АСО) включает подачу покрываемого полотна в реакционное пространство реактора атомно-слоевого осаждения, формирование для покрываемого полотна в реакционном пространстве траектории с повторяющейся конфигурацией и обеспечение доступности покрываемого полотна в реакционном пространстве для подачи прекурсоров разделенными во времени импульсами для нанесения на указанное полотно материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций.
Изобретение относится к способу атомно-слоевого осаждения (АСО) на подложку и аппарату для АСО. Осуществляют подачу покрываемого полотна в реакционную камеру реактора АСО, обеспечивают импульсную подачу прекурсоров в реакционную камеру для нанесения материала на покрываемое полотно посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций и устанавливают первый и второй рулоны покрываемого полотна на крышку реакционной камеры реактора АСО.
Изобретение относится к способу химического осаждения атомных слоев на подложку, устройству и линии для упомянутого осаждения. Способ химического осаждения атомных слоев на подложку включает использование реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, использование сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа и использование сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора.
Изобретение относится к реакторам для осаждения материалов на поверхности при последовательном использовании самоограниченных поверхностных реакций. Способ атомно-слоевого осаждения (АСО) покрытия на поверхность частиц дисперсного материала включает установку картриджа для атомно-слоевого осаждения (картриджа АСО) в приемник реактора АСО посредством осуществления быстроразъемного соединения, причем картридж АСО сконфигурирован с возможностью выполнения функции реакционной камеры АСО, обработку поверхности дисперсного материала в картридже АСО путем обработки дисперсного материала в расположенных одно над другим отделениях картриджа, каждое из которых отделено от смежного отделения пластинчатым фильтром.
Реактор атомно-слоевого осаждения для обработки партии подложек и способ обработки партии подложек // 2586956
Изобретение относится к способу атомно-слоевого осаждения пленки на подложку и к устройству для указанного осаждения. Обеспечивают модуль реакционной камеры реактора атомно-слоевого осаждения для обработки партии подложек, перемещаемых на тележке, методом атомно-слоевого осаждения, загрузку тележки, перемещающей партию подложек, перед обработкой в модуль реакционной камеры по пути, отличному от пути, по которому партию подложек разгружают после обработки, разделение партии подложек на подпартии подложек и одновременную обработку всех подпартий в модуле реакционной камеры.
Группа изобретений относится к способу обработки поверхности подложки (28) при помощи коронного электрического разряда, к устройству для его осуществления и подложке, обработанной способом по изобретению.
Плазменное устройство для cvd // 2545977
Изобретение относится к плазменному устройству для химического осаждения покрытия из паровой фазы (CVD) на подложку в виде пленки или листа. Устройство включает вакуумную камеру, пару роликов для напыления, расположенных в вакуумной камере, вокруг которых намотана подложка, которая является мишенью для осаждения, и генерирующую магнитное поле секцию, которая генерирует генерирующее плазму магнитное поле на поверхности роликов для напыления, формируя участок для осаждения, на котором напыляют покрытие на упомянутую подложку.
Устройство и способ нанесения атомного слоя // 2541232
Изобретение относится к устройству и способу для нанесения атомного слоя на поверхность подложки. Упомянутое устройство содержит инжекторную головку для газообразного прекурсора с выступающими частями, содержащую систему подачи газообразного прекурсора, причем упомянутая инжекторная головка выполнена с возможностью инжекции газообразного прекурсора из системы подачи газообразного прекурсора в пространство нанесения для контакта с поверхностью подложки.
Изобретение относится к области нанесения на гибкую подложку органических материалов, в частности к испарителям для испарения органических материалов, например меламина. Испаритель включает в себя испарительную трубу, имеющую стенку, охватывающую полость для испарения органического материала, причем материал и толщину испарительной трубы выбирают таким образом, чтобы обеспечить среднюю теплопроводность стенки 200 Вт/м·К; по меньшей мере одно нагревательное устройство, смежное стенке и выполненное для нагревания испарительной трубы; по меньшей мере один сопловой узел, выступающий из испарительной трубы, причем сопловой узел содержит крышку с отверстием; и заслонку для выборочного открытия и закрытия отверстия крышки соплового узла, при этом заслонка выполнена для получения, при работе испарительной трубы, температуры порядка 140°C, так что температура крышки соплового узла находится в диапазоне температуры заслонки.
Устройство для осаждения атомного слоя и способ загрузки устройства для осаждения атомного слоя // 2518845
Изобретение относится к устройству для осаждения атомного слоя и к способу загрузки этого устройства. Устройство содержит реакторы ALD, каждый из которых выполнен с возможностью приема партии подложек для ALD-обработки и включает реакционную камеру с верхней загрузкой, систему крышек, подъемное устройство для подъема системы крышек для загрузки реакционной камеры, и загрузочный робот.
Изобретение относится к области высоковольтной техники, к силовым полупроводниковым устройствам и, в частности, к способу и устройству для одностадийного двустороннего нанесения слоя покрытия из аморфного гидрогенизированного углерода на поверхность кремниевой пластины, а также к держателю подложки для поддержки кремниевой пластины.
Изобретение относится к способу и устройству нанесения тонкопленочных покрытий на подложки и может быть использовано для нанесений тонкопленочных покрытий с заданными оптическими, электрическими и другими характеристиками.
Вакуумная установка для нанесения покрытий // 2471015
Изобретение относится к технологии вакуумной обработки подложек большой площади путем осаждения пленок из паровой или газовой фазы, используемых, в частности, при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов.
Устройство непрерывного формирования пленки // 2417275
Изобретение относится к устройству для плазменного химического парофазного осаждения пленки на поверхности полосообразной подложки и может найти применение при изготовлении дисплеев. .
Изобретение относится к источнику твердого или жидкого материала для реакторов для осаждения из газовой фазы, устройству для установки источника в реакторе для осаждения из газовой фазы и способу установки источника в реакторе.
Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке. .
Изобретение относится к простой системе химического осаждения из паров и, в частности, к простой системе химического осаждения из паров, оснащенной для создания защитного слоя на деталях реактивного двигателя.
