Разложение путем облучения, например путем фотолиза, корпускулярного излучения (C23C18/14)
C Химия; металлургия(326262)
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)
(12971)
C23C18/14 Разложение путем облучения, например путем фотолиза, корпускулярного излучения(7)
Изобретение относится к химической промышленности и к нанотехнологии. Композитный материал с размером первичных частиц 0,1-100 мкм содержит оксид графена и 0,1-50 мас.
Изобретение относится к прекурсорам оксидов металлов, содержащим по меньшей мере один атом металла, выбранный из группы, включающей In, Ga, Zn и Sn, по меньшей мере один не являющийся фотосшиваемым лиганд и по меньшей мере один фотосшиваемый лиганд.
Настоящее изобретение относится к жидкому составу для получения содержащих оксид индия слоев. Состав получают путем растворения по меньшей мере одного соединения алкоксида индия, которое может быть получено при помощи реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, с вторичным амином формулы R'2NH, где R'=C1-C10-алкил в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 к тригалогениду индия в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=C1-C10-алкил, по меньшей мере в одном растворителе, выбранном из группы, состоящей из первичных, вторичных, третичных и ароматических спиртов.
Изобретение относится к соединению алкоксида индия, которое получено путем реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, со вторичным амином формулы R'2NH, где R'=С1С10-алкил, в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 по отношению к тригалогениду индия, в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=С1С10-алкил.
Изобретение относится к технологии нанесения медных токопроводящих структур на поверхность диэлектриков и может быть использовано для создания элементов и устройств микроэлектроники. Раствор содержит формиат меди(II) c концентрацией 0,02÷0,6 моль/л водного раствора, восстановитель в виде метилового или изопропилового спирта с концентрацией 0,05÷2 моль/л водного раствора или в виде 1,3-бутиленгликоль, в концентрации водного раствора 0,05÷0,3 моль/л, а также поверхностно-активную добавку - Твин 20 или Твин 80 в концентрации водного раствора 0,01÷1 г/л.
Изобретение относится к технологии нанесения медных токопроводящих структур на поверхность диэлектриков и может быть использовано для создания элементов и устройств микроэлектроники. Раствор содержит соль меди, восстановитель и поверхностно-активную добавку, причем в качестве восстановителя он содержит низший алифатический спирт в виде метилового, этилового, н-пропилового или изопропилового спирта с концентрацией 0,05÷2 моль/л водного раствора.
Изобретение относится к технологии нанесения медных токопроводящих структур на поверхность печатных плат и может быть использовано в технологии локализованного нанесения металлических слоев или структур на поверхность диэлектриков различных типов для создания элементов и устройств микроэлектроники.
Способ получения изображения // 427310
Способ получения металлических рисунков // 190756
