Восстановлением или замещением, т.е. неэлектролитическими способами покрытия (C23C18/16)
C Химия; металлургия(326262)
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)
(12971)
C23C18/16 Восстановлением или замещением, т.е. неэлектролитическими способами покрытия ( C23C18/54 имеет преимущество)(21)
Изобретение относится к технологии получения частично металлизированных гранул цеолита, используемого в качестве сорбента в криогенных вакуумных насосах, а также в тепловых насосах. Предложен способ металлизации кальцийсодержащего цеолита, включающий предварительную и основную обработку.
Группа изобретений относится к способу химической обработки и гальванического нанесения покрытия на детали и автоматической камере для химической обработки и гальванического нанесения покрытия на детали упомянутым способом.
Изобретение относится к изделию с покрытием и способу его изготовления. Изделие с покрытием содержит подложку и самовосстанавливающееся покрытие, нанесенное на поверхность подложки, содержащее сплошную металлическую матрицу, сформированную из Ni, Cu, Ag, Au, Sn, Fe, In, W, Ti, Co, Al, Mg, Cr, Mo, или их сплавов, или комбинации, и множество микро- или наноразмерных частиц, диспергированных в сплошной металлической матрице.
Покрытая частица // 2697123
Изобретение относится к покрытой частице, образованной путем покрывания поверхности частицы основного материала углеродными частицами, полученными способом детонации. Покрытые частицы получают путем расположения взрывчатого вещества, которое проявляет жидкое состояние при нормальной температуре и нормальном давлении, на периферии исходного вещества, содержащего ароматическое соединение с тремя или более нитрогруппами, детонирование упомянутого взрывчатого вещества с получением углеродных частиц и применение механического сдвигового/ударного воздействия к смеси порошков полученных углеродных частиц и частиц основного материала для покрывания поверхности частицы основного материала этими углеродными частицами, имеющими меньшие размеры частиц.
Изобретение относится к получению поликристаллических пленок сульфида и оксида кадмия на монокристаллическом кремнии с помощью техники пиролиза аэрозоля раствора на нагретой подложке при постоянной температуре в интервале 450-500°С.
Изобретение относится к технологии получения селенида индия(III), широко используемого в микроэлектронике для получения детекторов ядерного излучения и при создании преобразователей солнечного излучения в качестве основы для такого материала, как диселенид меди(I) и индия CuInSe2.
Герметизация микроотверстий в металлических покрытиях, полученных химическим восстановлением // 2555276
Изобретение относится к способу герметизации микроотверстий в металлическом покрытии, полученном химическим восстановлением, включающему нанесение на подложку путем химического восстановления слоя металлического покрытия, содержащего дефекты в виде микроотверстий, допускающих гидравлическое сообщение между подложкой и окружающей средой, нанесение поверх упомянутого слоя металлического покрытия слоя отверждаемого эпоксидного герметика посредством распыления и заполнение дефектов в виде микроотверстий, причем указанный отверждаемый эпоксидный герметик имеет вязкость от 20 до 1200 сПз при температуре окружающей среды, отверждение нанесенного эпоксидного герметика для обеспечения отвержденного эпоксидного покровного слоя и удаление значительной части отвержденного эпоксидного покровного слоя для обеспечения изделия, включающего металлическое покрытие, полученное химическим восстановлением, по существу не содержащее дефектов в виде микроотверстий, допускающих гидравлическое сообщение между подложкой и окружающей средой.
Изобретение относится к технологии обработки структурированной поверхности матрицы в форме прокладок прессов и бесконечных лент. .
Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано для получения химических покрытий на деталях из материалов, которые работают в условиях повышенного износа, высоких давлений, температур, в присутствии агрессивных сред.
Изобретение относится к прикладной химии, а именно к способам получения никелевого покрытия на материалах из углеродного волокна. .
Изобретение относится к гальваническому производству, а именно к нанесению покрытий на диэлектрические материалы. .
Изобретение относится к технологии получения металлизированных тканых и нетканых материалов и может быть использовано для изготовления защитной одежды от магнитного излучения и статического электричества, для изготовления декоративных и отделочных материалов.
Изобретение относится к области нанесения покрытий на диэлектрические материалы, в частности к сорбционным растворам, используемым для предварительной обработки с целью получения на поверхности токопроводного сульфидного покрытия.
Изобретение относится к способу нанесения покрытия на внутренние поверхности резервуаров и трубопроводных систем. .
Изобретение относится к оборудованию для химического покрытия металлических порошков с последующей их очисткой от продуктов реакции с использованием ультразвуковых колебаний и может быть использовано в производстве экологически чистых композиционных материалов в металлургической и электротехнической промышленности, а также в машиностроении.
Изобретение относится к технологии нанесения металлических покрытий, обладающих высокой удельной поверхностью, и может быть использовано для изготовления электродов, сорбирующих элементов и катализаторов.
Способ химической металлизации диэлектриков // 1804274
Изобретение относится к области нанесения металлических покрытий химическим путем, в частности на поверхность диэлектриков, используемых в производстве изделий электронной техники, например тонкопленочных микросхем и печатных плат.
Изобретение относится к способам плакирования порошкообразных материалов восстановлением легколетучих галогенидов металлов водородом в кипящем слое при совместной подаче паров галлогенида и водорода в нижнюю часть псевдоожиженного слоя.
Изобретение относится к регенерации никеля из отработанных растворов химического никелирования. .
