Полупроводники (C25D7/12)

Отслеживание патентов класса C25D7/12
C25   Электролитические способы; электрофорез; устройства для них (электродиализ, электроосмос, разделение жидкостей с помощью электричества B01D; обработка металла воздействием электрического тока высокой плотности B23H; обработка воды, промышленных и бытовых сточных вод или отстоя сточных вод электрохимическими способами C02F1/46; поверхностная обработка металлического материала или покрытия, включающая по крайней мере один способ, охватываемый классом C23 и по крайней мере другой способ, охватываемый этим классом, C23C28, C23F17; анодная или катодная защита C23F; электролитические способы получения монокристаллов C30B; металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной (12345)
C25D     Нанесение покрытий электролитическим способом или способом электрофореза; гальванопластика (декоративная обработка текстильных изделий металлизацией D06Q1/04; печатные схемы, полученные осаждением металла H05K3/18); соединение рабочих частей электролизом; устройства для этих целей (5313)
C25D7/12                     Полупроводники(13)

Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения // 2666180
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к изготовлению контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения.

Способ получения гальванопокрытий на магнетите // 2655481
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для осаждения декоративных и технически функциональных покрытий на магнетит (Fe3O4).

Композиция для электрического осаждения металла, содержащая выравнивающий агент // 2585184
Изобретение относится к композициям для электролитического осаждения меди на полупроводниковую подложку. Композиция содержит источник металлических ионов и по меньшей мере одну добавку, содержащую по меньшей мере один полиаминоамид формулы I или производные полиаминоамида формулы I, получаемые путем полного или частичного протонирования, N-кватернизации или ацилирования.

Композиция для электроосаждения металла, содержащая выравнивающую добавку // 2574251
Изобретение относится к композиции для электроосаждения меди, используемой в процессе производства полупроводников, для заполнения небольших элементов, таких как сквозные отверстия и желобки.

Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности // 2542219
Изобретение относится к нанесению металлических слоев покрытия и может быть использовано при изготовлении полупроводников.

Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности // 2542178
Изобретение относится к нанесению металлических слоев покрытия и может быть использовано при изготовлении полупроводников.

Электролит для электрохимического осаждения иридия на арсенид галлия и способ его приготовления // 2530963
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в полупроводниковой СВЧ-электронике для получения выпрямляющих иридиевых контактов к арсениду галлия.

Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов // 2529607
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для изготовления полупроводников.
Электролит и способ осаждения меди на тонкий проводящий подслой на поверхности кремниевых пластин // 2510631
Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано в технологии микроэлектроники, в которой слой меди необходимо нанести на тонкий подслой кобальта или его сплавов (кобальт-фосфор, кобальт-вольфрам-фосфор) или меди, находящейся на поверхности кремниевых пластин.

Способ золочения каршдлизобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омических^контактов на полупроводниковых материалах.известные способы получения таких контактов требовали после.щгющей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.описываемый способ золочения карбида кремния il - типа позволяет получать невыпрямлящие (омические) контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление. достигается зто тем, что контакт с карбидом кремния получают путем нанесения на его поверхность слоя золота гальваническим путем. // 138790
Изобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омических^контактов на полупроводниковых материалах.Известные способы получения таких контактов требовали после.щгющей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.Описываемый способ золочения карбида кремния IL - типа позволяет получать невыпрямлящие (омические) контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление.

 // 138789

 // 138788
 
.
Наверх