Полупроводниковых материалов (C25D11/32)

C25   Электролитические способы; электрофорез; устройства для них (электродиализ, электроосмос, разделение жидкостей с помощью электричества B01D; обработка металла воздействием электрического тока высокой плотности B23H; обработка воды, промышленных и бытовых сточных вод или отстоя сточных вод электрохимическими способами C02F1/46; поверхностная обработка металлического материала или покрытия, включающая по крайней мере один способ, охватываемый классом C23 и по крайней мере другой способ, охватываемый этим классом, C23C28, C23F17; анодная или катодная защита C23F; электролитические способы получения монокристаллов C30B; металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной (12345)
C25D     Нанесение покрытий электролитическим способом или способом электрофореза; гальванопластика (декоративная обработка текстильных изделий металлизацией D06Q1/04; печатные схемы, полученные осаждением металла H05K3/18); соединение рабочих частей электролизом; устройства для этих целей (5313)
C25D11/32                     Полупроводниковых материалов(6)

Способ получения микронных электропроводящих дорожек на подложках анодированного алюминия // 2739750
Изобретение относится к области электроники и предназначено для использования в производстве коммутационных плат и электронных, оптоэлектронных, оптических приборов на их основе при формировании электропроводящих дорожек на поверхности подложки анодированного алюминия.

Способ получения порошков пористого кремния // 2572134
Изобретение относится к области нанотехнологий и наноматериалов. Наноразмерный порошок кремния получают травлением монокристаллического кремния в ячейке электрохимического травления с контрэлектродом U-образной формы из нержавеющей стали с последующим механическим отделением пористого слоя от подложки, его измельчением в изопропиловом спирте в ультразвуковой ванне и сушкой в естественных условиях, при этом в качестве электролита используют раствор диметилформамида с добавлением плавиковой кислоты и 20% по объему перекиси водорода (30%).

Электрохимическое осаждение фуллереновой пленки на токопроводящих материалах // 2510675
Изобретение относится к электрохимии наноуглеродных кластеров, в частности к получению в электрохимическом процессе фуллереновой пленки, осажденной на токопроводящих материалах (металлах, графите). Фуллереновая пленка может быть использована в эндопротезировании, в радиоэлектронике и физике полупроводников.

Расплав для анодирования вольфрама // 1344818
Изобретение относится к области анодирования вольфрама и может найти .применение в электронной технике при изготовлении электрохромных индикаторов дисплеев. .
 
.
Наверх