Выращивание кристаллов (C30)

Отслеживание патентов класса C30
C30            Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(2071)
C30B - Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2071)
Способ обработки алмазных кристаллов и алмазных материалов // 2622568
Изобретение относится к технологии обработки алмазных кристаллов и алмазных материалов. Техническим результатом является понижение уровня опасности при использовании в технологическом процессе газообразного водорода.
Способ получения керамического прекурсора для синтеза лейкосапфира // 2622133
Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к способу получения прекурсора для синтеза лейкосапфира.

Способ получения монокристаллического sic // 2621767
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем.

Способ формирования цветного декоративного покрытия с помощью анодирования // 2620801
Изобретение относится к технологии получения декоративных покрытий при окраске металлических изделий в различные цвета и создания высокотехнологичных оптоэлектронных устройств с применением элементов, способных отражать или пропускать свет с определенной настраиваемой длиной волны.
Способ бесконтактной обработки поверхности алмазов // 2620392
Изобретение относится к технологии обработки алмазов, а именно к методам придания им заданной геометрической формы, и востребовано в промышленности для производства электроники.

Способ получения оптического поликристаллического селенида цинка // 2619321
Изобретение относится к конструкционным изделиям ИК-оптики, обеспечивающим, наряду с основной функцией пропускания излучения в требуемом спектральном диапазоне, защитные функции приборов и устройств от воздействий внешней среды.

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке // 2618279
Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии.

Оптическая среда на основе кристалла галогенида рубидия-иттрия rby2cl7, содержащего примесные ионы одновалентного висмута, способная к широкополосной фотолюминесценции в ближнем ик-диапазоне, и способ ее получения // 2618276
Изобретение относится к оптическим средам на основе кристаллических галогенидов, а также к способу их получения и может быть использовано в системах оптической связи.

Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля // 2618061
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, например, при получении особо чистого германия методом зонной плавки.
Способ получения нитевидного нитрида алюминия // 2617495
Изобретение относится к химической технологии получения нитевидных нанокристаллов нитрида алюминия (или нановискеров) и может быть использовано при создании элементов нано- и оптоэлектроники, а также люминесцентно-активных наноразмерных сенсоров медико-биологического профиля.
Способ получения фоточувствительных химически осажденных пленок селенида свинца // 2617350
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, а именно – к технологии получения тонких фоточувствительных пленок селенида свинца, широко используемых в изделиях оптоэлектроники в ИК-диапазоне 1-5 мкм, лазерной и сенсорной технике.
Раствор для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок селенида индия // 2617168
Изобретение относится к технологии получения селенида индия(III), широко используемого в микроэлектронике для получения детекторов ядерного излучения и при создании преобразователей солнечного излучения в качестве основы для такого материала, как диселенид меди(I) и индия CuInSe2.
Способ выращивания легированных нитевидных нанокристаллов кремния // 2617166
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов путем выращивания легированных нитевидных нанокристаллов кремния на кремниевых подложках по схеме пар→жидкая капля→кристалл (ПЖК).
Способ получения сульфобромидов типа avbvicvii // 2616929
Изобретение относится к технологии получения нитевидных монокристаллов сульфобромидов трехвалентных металлов SbSBr, BiSBr, CrSBr, которые могут быть использованы в качестве легирующих добавок при получении композитных пьезоэлектрических материалов с заданными свойствами в гидроакустических преобразователях и преобразователях электромагнитной энергии в механическую.
Способ выращивания монокристаллической пленки febo3 на диамагнитной подложке // 2616668
Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований.
Способ образования центров окраски в алмазе // 2616350
Изобретение относится к области создания материалов для пассивных и активных элементов устройств фотоники, квантовой электроники и оптики.
Способ получения катодного материала на основе системы li2fesio4 // 2615697
Изобретение относится к электротехнической области и может быть использовано в аккумуляторных батареях транспортных и космических систем с улучшенными удельными характеристиками.
Материал для дихроичной поляризации света - кристалл liba12(bo3)7f4 // 2615691
Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств, которые могут быть использованы для получения линейно-поляризованного света в оптико-электронных приборах: поляриметрах, эллипсометрах, дихрометрах, фотоэлектрических автоколлиматорах, модуляторах световых потоков, устройств индикации, отображения и хранения информации, элементов памяти.
Способ выращивания монокристаллов парателлурита из расплава по чохральскому // 2614703
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов парателлурита из расплава методом Чохральского.

Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке // 2614330
Изобретение относится к технологиям получения износостойких, прочностных тонких алмазных пленок методом вакуумной лазерной абляции и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и создания наноструктурных материалов.

Способ получения легированного алюмоиттриевого граната // 2613994
Изобретение относится к технологии получения соединений, относящихся к группе сложных оксидов со структурой граната, легированных щелочными и щелочноземельными элементами и элементами 3d группы, которые могут быть применены для изготовления различных люминесцентных материалов в оптоэлектронике, в том числе для изготовления светодиодных источников освещения.
Поликристаллический синтетический ювелирный материал (варианты) и способ его получения // 2613520
Изобретение относится к материалам для ювелирной промышленности, а именно к искусственным материалам для изготовления имитаций природных драгоценных и полудрагоценных камней и технологии их синтеза.
Неорганический монокристаллический сцинтиллятор // 2613057
Изобретение относится к новым неорганическим кристаллическим сцинтилляционным материалам на основе бромида лантана, легированного церием, и может быть использовано для регистрации ионизирующего излучения – гамма-квантов, рентгеновского излучения, космических излучений, элементарных частиц в фундаментальной физике, технике и медицине.
Способ получения медьсодержащих нанокатализаторов с развитой поверхностью // 2611620
Изобретение относится к способу получения медьсодержащих нанокатализаторов с развитой поверхностью, который заключается в том, что сначала из раствора электролита на металлический носитель методом электроосаждения наносят медь, затем носитель с нанесенным активным металлом подвергают термообработке.

Способ нанесения маркировки на поверхность алмаза или бриллианта для определения его подлинности // 2611232
Изобретение относится к способу определения подлинности изделия в виде алмаза или бриллианта. Идентификационную маркировку невидимую невооруженным глазом наносят на алмаз или бриллиант путем воздействия лазерным излучением с длиной волны более 500 нм с одновременным воздействием ультразвуком посредством инструмента, расположенного на поверхности участка.

Способ ударного сжатия тел малой плотности, снаряд и реактор для его осуществления // 2610865
Изобретение относится к области средств получения высоких динамических давлений и температур и может быть использовано для проведения химических реакций, изменения кристаллической структуры твердых тел при высоком давлении и температуре, в частности для получения искусственных алмазов (алмазного порошка), для сжатия DT-льда с целью получения нейтронного источника, для осуществления инерциального термоядерного синтеза.
Способ получения кристаллов галогенидов таллия // 2610501
Изобретение относится к области получения материалов, прозрачных в инфракрасной области спектра, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, прозрачных в области длин волн от 0,4 до 25 мкм, изготовления неохлаждаемых детекторов χ- и γ-излучений для ядерно-физических методов диагностики и контроля, а также изготовления волоконных световодов ИК-диапазона.

Устройство для получения монокристаллов тугоплавких фторидов // 2608891
Изобретение относится к устройствам для получения монокристаллов тугоплавких фторидов горизонтальной направленной кристаллизацией из расплава.
Способ синтеза наночастиц полупроводников // 2607405
Изобретение относится к коллоидной химии и нанотехнологии и может быть использовано в производстве люминесцентных материалов, сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств.

Сложный гафнат лития-лантана в качестве люминесцентного материала для преобразования монохроматического излучения лазера и способ его получения // 2606229
Изобретение относится к новым соединениям класса сенсибилизированных люминофоров на основе неорганических кристаллических соединений, а именно к сложному гафнату лития-лантана состава Li7La3-x-y-z-nNdxHoyErzDynHf2O12, где x=2.5⋅10-2-1⋅10-1, y=1.6⋅10-7-4.7⋅10-7, z=1.5⋅10-6, n=1.2⋅10-6-4.7⋅10-6.

Способ получения монокристаллического sic // 2603159
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем.

Способ получения наночастиц диоксида ванадия // 2602896
Изобретение может быть использовано в производстве термохромного материала, катодного материала литиевых источников тока, терморезисторов, термореле, переключающих элементов.

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdxhg(1-x)te p-типа проводимости // 2602123
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.

Способ выращивания монокристаллов веществ, имеющих плотность, превышающую плотность их расплава // 2600381
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов из расплава способом Чохральского. Выращивание кристалла радиусом r сначала осуществляют способом Чохральского путем вытягивания из неподвижного тигля радиусом R1, таким, что где ρтв - плотность кристалла, ρж - плотность расплава.

Способ получения профильных изделий на основе монокристаллов германия // 2600380
Изобретение относится к технологии получения оптических изделий из германия путем выращивания монокристаллов германия из расплава в форме профильных изделий в виде выпукло-вогнутых заготовок, которые после обработки могут быть использованы для изготовления линз инфракрасного диапазона.

Оптическая среда на основе кристалла галогенида кадмия-цезия cscdbr3, содержащего примесные ионы одновалентного висмута, способная к широкополосной фотолюминесценции в ближнем ик диапазоне, и способ ее получения (варианты) // 2600359
Изобретение относится к оптическим средам на основе кристаллических галогенидов и может быть использовано в системах оптической связи в качестве широкополосных усилителей и лазеров.

Способ и устройство для рафинирования технического кремния // 2600055
Изобретение относится к технологии производства технического кремния в рудно-термических печах и его дальнейшего рафинирования.

Устройство для выращивания монокристаллов фторидов и способ их получения // 2599672
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов фторидов из расплава для использования в оптике.
Способ легирования кремния // 2597389
Изобретение относится к технике, связанной с процессами ионно-плазменного легирования полупроводников и может быть использовано в производстве солнечных элементов, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе кремния.
Способ производства твердой дисперсной системы с диоксидом кремния // 2595846
Изобретение относится к технологии лекарственных средств, касается получения лекарственных форм на основе кремния диоксида.

Способ получения волластонита // 2595682
Изобретение относится к технологии переработки кальций- и кремнийсодержащих техногенных отходов борного производства (борогипса) и может быть использовано при производстве игольчатого волластонита для применения в цветной металлургии, в шинной, асбоцементной и лакокрасочной промышленности, в производстве керамики.

Полученные химическим осаждением из паровой фазы монокристаллические синтетические алмазные материалы, имеющие однородный цвет // 2595671
Изобретение относится к технологии производства цветных алмазов, которые могут быть использованы в оптике и для ювелирных целей.

Способ и устройство для изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов iii группы // 2593868
Изобретение относится к технологии изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов III группы для электронных и оптоэлектронных применений.

Новые сокристаллы агомелатина, способ их получения и фармацевтические композиции, которые их содержат // 2593749
Изобретение относится к сокристаллу агомелатина, который характеризуется тем, что он состоит из агомелатина, или N-[2-(7-метокси-1-нафтил)этил]ацетамида формулы (I), и органической кислоты, которая находится в твердом состоянии при температуре окружающей среды, которая выбрана из пара-оксибензойной кислоты, лимонной кислоты, щавелевой кислоты, галловой кислоты, малеиновой кислоты, малоновой кислоты, глутаровой кислоты, гликолевой кислоты или кетоглутаровой кислоты.

Способ обработки поверхности алмаза // 2593641
Изобретение относится к способам обработки поверхности алмаза для его использования в электронной технике СВЧ.

Способ получения кремния // 2592629
Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к переработке кремнистых пород при получении полупроводниковых материалов, которые могут быть использованы для изготовления солнечных коллекторов и элементов электронной техники.

Монокристаллический материал для дискового лазера // 2591257
Изобретение относится к области лазерной техники и касается монокристаллического материала для дисковых лазеров.

Монокристаллический материал с неоднородным распределением оптических примесей для активного лазерного элемента // 2591253
Изобретение относится к области лазерной техники и касается монокристаллического материала с неоднородным распределением оптических примесей по заданному закону вдоль активного лазерного элемента со следующей структурной формулой: где где z - пространственная координата, направленная вдоль длины кристалла и определяющая изменение концентрационного профиля ионов эрбия и иттербия, в системе отсчета, берущей начало на входной грани активного элемента, и имеющая значения от 0 до 1 см.

Кристаллические коллоидные массивы с высокой отражающей способностью, включающие частицы, поглощающие излучение // 2591158
Изобретение относится к кристаллическим коллоидным массивам, используемым в качестве материалов, рассеивающих излучение.

Способ выращивания монокристалла метафторидобората бария-натрия ba2na3 (b3o6)2f // 2591156
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов метафторидобората бария-натрия Ba2Na3(В3О6)2F для использования в терагерцовой области спектра в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц в качестве волновых пластин, поляризаторов, а также в воздушной терагерцовой фотонике.
 
2548663.
Наверх