Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (C30B7)
C Химия; металлургия(326262)
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);
(2110)
C30B7 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B9; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B11; под защитной жидкостью C30B27)(237)
C30B7/02 - Выпариванием растворителя(16)
C30B7/04 - С использованием водных растворителей(15)
C30B7/06 - С использованием неводных растворителей(5)
C30B7/08 - Охлаждением раствора(21)
C30B7/10 - Применением давления, например гидротермическими способами(87)
C30B7/12 - Электролизом(9)
Изобретение относится к технологии изготовления кристалла кварца. Способ вырезания кристалла из бруска синтетического кварца включает получение бруска синтетического кварца, вырезание из указанного бруска синтетического кварца кристалла в форме модифицированного правильного тетраэдра, содержащего четыре по существу идентичные треугольные грани, выполненные с возможностью задания четырех усеченных вершин и шести скошенных ребер, причем каждая из четырех усеченных вершин параллельна по меньшей мере одной из четырех по существу идентичных треугольных граней, при этом шесть скошенных ребер имеют среднюю длину l и среднюю ширину w, каждая из четырех усеченных вершин содержит три стороны у и три стороны z; причем 8≤1/w≤9,5, 1,3≤y/w≤1,7, 0,8≤z/w≤1,2; полировку указанного кристалла, причем вырезание и полировку осуществляют без нагревания бруска синтетического кварца выше 573°С и без перехода в состояние плавленого кварца.
Способ оптимизации условий кристаллизации белков с применением метода молекулярной динамики // 2781051
Изобретение относится к способам оптимизации условий кристаллизации белков для последующего выращивания белкового кристалла в оптимизированных условиях и расшифровки структуры белка с высоким разрешением с помощью рентгеноструктурного анализа и может быть применено в области белковой кристаллографии.
Изобретение относится к технологии получения кристаллов гидроксиламинсульфата (ГАС), который используют в производстве капролактама и химических реактивов. Способ получения кристаллов гидроксиламинсульфата (ГАС) из водного раствора ГАС включает получение технологического раствора ГАС 1, его упаривание 2, 3 при повышенной температуре в вакууме, кристаллизацию 11 упаренного раствора при перемешивании с получением смеси раствора ГАС и кристаллов ГАС, центрифугирование 15, сушку 19 горячим воздухом и получение нескольких маточных растворов ГАС 17, 22, при этом упаривание 2, 3 проводят при остаточном давлении 300±10 мм рт.ст., процесс упаривания технологического раствора ГАС начинают при 80°С и завершают при 85°С, а окончание процесса упаривания определяют по получению в нейтрализаторе 8 конденсата 6 в объеме 35-40% от начального объема технологического раствора ГАС, кристаллизацию 11 проводят при перемешивании и температуре 9±2°С в течение 12 ч, а полученную после кристаллизации смесь 14 раствора ГАС и кристаллов ГАС направляют на стадию центрифугирования 15 с получением первичного маточного раствора ГАС 17 и кристаллов ГАС 16, при этом объединяют первичный маточный раствор ГАС 17 от обработки не менее чем двух порций технологического раствора ГАС и осуществляют упаривание 2, 3 объединенного первичного маточного раствора ГАС, которое начинают при температуре 85±3°С, завершают при температуре 90±3°С, и заканчивают упаривание при получении в нейтрализаторе 8 конденсата 6 в объеме 10-15% от начального объема первичного маточного раствора ГАС 17, при этом кристаллизацию 11 проводят при перемешивании и температуре 9±2°С в течение 12 ч, а полученную после кристаллизации смесь 14 раствора ГАС и кристаллов ГАС направляют на стадию центрифугирования 15 с получением дополнительного количества кристаллов ГАС 21 и вторичного маточного раствора ГАС 22, который возвращают на стадию получения технологического раствора ГАС 1, при этом из конденсата 6 получают раствор сульфата аммония 9 для утилизации на биологических очистных сооружениях.
Аналоги инсулина // 2769476
Настоящее изобретение относится к области биотехнологии, конкретно к аналогам инсулина, и может быть использовано в медицине. Изобретение раскрывает пептид, являющийся быстродействующим аналогом инсулина, отличается от известных аналогов тем, что представлен в мономерной форме и сохраняет активность в отношении передачи сигнала с участием инсулинового рецептора человека.
Устройство относится к области техники, связанной с получением искусственных монокристаллов при постоянной температуре, например, кристаллов KDP (дигидрофосфата калия), DKDP (дейтерофосфата калия), TGS (триглицинсульфата).
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов типа KDP из раствора. Способ включает изготовление емкости для выращивания кристалла, при этом двигатель установлен в верхней части емкости для выращивания, а соединительный стержень кристаллодержателя присоединяется к нижнему концу вращающегося вала двигателя; изготовление кристаллодержателя для выращивания кристалла, при этом кристаллодержатель включает в себя верхнюю перекладину 7, поддон 12, соединительный стержень 6, боковые несущие стержни 8, 9 и две лезвиеобразные перемешивающие лопасти 10, 11; соединительный стержень 6 закрепляют по центру верхней перекладины 7; нижние концы боковых несущих стержней 8, 9 диаметрально противоположно закреплены на двух краях поддона 12, а верхние концы боковых несущих стержней 8, 9 прикреплены к двум концам верхней перекладины 7; лезвиеобразные перемешивающие лопасти 10, 11 закреплены на боковых несущих стержнях 8, 9; две лезвиеобразные перемешивающие лопасти 10, 11, боковые несущие стержни 8, 9 и верхнюю перекладину 7 располагают в одной вертикальной плоскости; центр верхней поверхности поддона 12 является местом крепления стержневидного затравочного кристалла; все соединения выполнены плавными для обеспечения гладкости; изготовление стержневидного затравочного кристалла 13 с направлением [001] в вертикальном направлении, при этом высота стержневидного затравочного кристалла 13 меньше, чем высота боковых несущих стержней 8, 9 кристаллодержателя, а длина по горизонтали и диапазон ширины стержневидного затравочного кристалла 13 равны 5–15 мм; установку поверхности нижнего конца стержневидного затравочного кристалла 13 в центре верхней поверхности поддона 12 кристаллодержателя; подготовку маточного раствора для выращивания кристалла с точкой насыщения от 40 до 70°C; помещение кристаллодержателя с закрепленным в нем стержневидным затравочным кристаллом 13 в печь для предварительного нагрева на время от 4 до 12 ч, при этом температура предварительного нагрева является температурой точки насыщения маточного раствора; помещение кристаллодержателя с закрепленным в нем стержневидным затравочным кристаллом 13 в подготовленный маточный раствор, присоединение соединительного стержня 6 кристаллодержателя к вращающемуся валу двигателя, запуск двигателя и установку диапазона скорости вращения равным от 10 до 50 об/мин, при этом режим вращения состоит из цикла: вращение в прямом направлении – 25 с, замедление – 2 с, остановка – 1 с, ускорение в обратном направлении – 2 с, вращение в обратном направлении – 25 с, замедление – 2 с, остановка – 1 с, ускорение в прямом направлении – 2 с; нагрев маточного раствора до температуры, на 5–15°C превышающей температуру точки насыщения, для обработки перегревом, охлаждение, чтобы степень перенасыщения маточного раствора была между 5 и 15%, таким образом реализуя быстрый рост кристалла на стержневидном затравочном кристалле и получение кристалла типа KDP.
Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K2(Co,Ni)(SO4)2⋅6H2O (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров.
Твердые формы ингибитора ttk // 2753905
Изобретение относится к сокристаллу соединения (I) и молекулы сокомпонента,где молекула сокомпонента представляет собой фосфорную кислоту, при этом сокристалл представляет собой гидрат и молярное соотношение соединение (I):фосфорная кислота:Н2О в указанном сокристалле составляет 1:2:1/2, к способам получения сокристалла и фармацевтическим композициям, содержащим указанный сокристалл.
Изобретение относится к технологии получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, который может быть использован в качестве фотокатализатора, активного в видимом диапазоне света. Способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, состава W1-xCoxO3 (0,01 ≤ x ≤ 0,09) включает получение реакционной смеси, содержащей водный раствор хлорида кобальта гексагидрата и вольфрамата гидрата, добавление раствора соляной кислоты, отделение осадка и сушку, при этом в качестве вольфрамата гидрата используют паравольфрамат аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O, взятый по отношению к хлориду кобальта гексагидрату состава CoCl2·6H2O в молярном соотношении в пересчете на металл W : Co = (0,99-0,91) : (0,01-0,09), а реакционную смесь подвергают гидротермальной обработке при температуре 160–200ºС и избыточном давлении 360–617 кПа в течение 20-26 ч.
Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KH2PO4), в том числе, в промышленных масштабах.
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению порошка нанокристаллического иттрий-алюминиевого граната для использования в качестве исходного порошка оксидной керамики, в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента или в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов из растворов за счет химического превращения растворителя. Способ получения монокристаллов органо-неорганического комплексного галогенида (ОНКГ) состава AnBX(nz+k), где z = 1-2, k = 2-4, 0<n≤4, включает: А) приготовление растворной композиции, содержащей по меньшей мере, один полярный растворитель (S), растворимость ОНКГ в котором равна (С, T1); реагент (М), взятый в количестве, обеспечивающем мольное соотношение M/S от 0,05 до 15, для химической реакции с растворителем S, продуктом которой является по меньшей мере одно газообразное или жидкофазное соединение, или их смесь (S1), растворимость ОНКГ в котором равна (C1, T1), где C1<C; компоненты ОНКГ, в качестве которых используют органический катион Az+ или неорганический катион, выбранный из катионов аммония (NH4+), цезия (Cs+) или рубидия (Rb+) или их смесь; поливалентный катион металла Bk+; галогенид или псевдогалогенид ион X-, при этом в растворной композиции концентрация [Az+] составляет от 0.1 М до 7М, концентрация [Bk+] составляет от 0.1М до 3.5М, концентрация [X-] составляет от 0.2М до 10 М, а растворная композиция имеет концентрацию ОНКГ, равную или меньшую растворимости ОНКГ (C1, T1) в растворе с данным соотношением M/S; Б) выдерживание полученной композиции при постоянной температуре Т1 до достижения химической конверсии по меньшей мере 10% S в S1, обеспечивающей формирование монокристаллов ОНКГ.
Композиции, содержащие нанометрическую медь // 2730285
Изобретение относится к композиции, содержащей нанометрическую медь. Дисперсия, содержащая нанометрические частицы металлической меди, в которой по меньшей мере 10% указанных нанометрических частиц металлической меди представляют собой монокристаллические частицы металлической меди, средний размер вторичных частиц d50 в дисперсии находится в диапазоне от 20 до 200 нм, при этом указанные нанометрические частицы металлической меди, по меньшей мере, частично покрыты по меньшей мере одним диспергатором, а отношение концентрации кристаллического оксида меди к указанным нанометрическим частицам металлической меди составляет не более 0,4.
Изобретение относится к области роста кристаллов, в частности, к выращиванию смешанных монокристаллов K2(Со,Ni)(SO4)2x6H2O (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров.
Изобретение может быть использовано в производстве источников энергии для электронных устройств. Способ получения сложного гидроксида никеля-кобальта включает первую кристаллизацию при подаче раствора, содержащего никель, кобальт и марганец, а также реагента, образующего комплексный ион, и раствора основания, по отдельности и одновременно, в один реакционный сосуд.
Способ выращивания водорастворимых монокристаллов, использующий кондиционирование раствора // 2717800
Изобретение относится к технологии выращивания водорастворимых оптических монокристаллов, в частности, группы дигидрофосфата калия (KDP), которые могут быть использованы, например, при изготовлении активных элементов параметрических преобразователей лазерного излучения для квантовой оптики.
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую.
Изобретение относится к области выращивания моно- и поликристаллов кварца для синтеза оптических и пьезоэлектрических монокристаллов кварца, в том числе допированных германием, для радиоэлектронной, оптоэлектронной и акустоэлектронной техники, и для получения окрашенных монокристаллов и друз для использования в камнерезном и ювелирном деле.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Предлагается кластер установок для выращивания кристаллов из раствора, содержащий несколько кристаллизационных установок 1, которые объединены в отдельные блоки по несколько установок, например по десять, которые образуют кластеры нижнего уровня 11, каждая из кристаллизационных установок 1 каждого блока кластера нижнего уровня 11 подключена к блоку индикации и управления 13 кристаллизационными установками 1 нижнего уровня 11, снабженному одним или более контроллером 14 и одним или более средством индикации функционирования 15 кристаллизационных установок блока, входящих в кластер, и коммутатором 16 нижнего уровня, совокупность кластеров нижнего уровня 11 образует кластер верхнего уровня 12, содержащий, например, десять кластеров нижнего уровня 11, каждый из коммутаторов 16 блока индикации и управления 13 кристаллизационных установок 1 нижнего уровня 11 подключен к коммутатору 17 верхнего уровня, который подключен к центральному серверу 18 и автоматизированным рабочим местам 19, служащим для загрузки и редактирования технологической программы в каждую кристаллизационную установку 1 и контроля за функционированием кластеров нижнего уровня 11, входящих в состав кластера верхнего уровня 12 любой из кристаллизационных установок 1, входящих в кластер 11.
Изобретение относится к технологии изготовления кристаллов для энергетической и вибрационной лечебной терапии, использующей драгоценные камни. Кристалл синтетического кварца имеет модифицированную форму правильного тетраэдра и содержит четыре по существу одинаковые треугольные грани, выполненные с возможностью задания четырех усеченных вершин и шести скошенных ребер, при этом шесть скошенных ребер имеют среднюю длину l, среднюю ширину w и 8≤l/w≤9,5; каждая из четырех усеченных вершин кристалла параллельна по меньшей мере одной из четырех по существу идентичных треугольных граней и содержит три стороны y и три стороны z, причем 1,3≤у/w≤1,7 и 0,8≤z/w≤1,2.
Изобретение относится к материалам для сцинтилляционной техники, к эффективным быстродействующим сцинтилляционным детекторам гамма- и альфа-излучений в приборах для экспресс-диагностики в медицине, промышленности, космической технике и ядерной физике.
Устройство для кристаллизации периодического действия для получения кристаллов шарообразной формы // 2652680
Изобретение относится к устройствам для кристаллизации периодического действия для получения кристаллов, предпочтительно перхлората аммония. Устройство содержит кристаллизатор 1, состоящий из металлического цилиндрического сосуда, внутренняя поверхность которого состоит из материала с твердостью по меньшей мере 120 НВ, предпочтительно по меньшей мере 200 НВ, цилиндрический сосуд имеет овальное или круглое поперечное сечение с коническим или вогнутым днищем 12, оборудованный вдоль его длины двойной рубашкой 4 для охлаждения раствора и/или суспензии раствора и кристаллов и высокоскоростным перемешивающим устройством 8 из материала с твердостью по меньшей мере 120 НВ, предпочтительно по меньшей мере 200 НВ, высокоскоростное перемешивающее устройство 8 оснащено приводом 9, обеспечивающим регулирование скорости и, следовательно, степени воздействия механического действия перемешивающего устройства на округлость кристаллов внутри сосуда вместе с внутренней поверхностью сосуда, содержащего по меньшей мере две перегородки 5 из материала с твердостью по меньшей мере 120 НВ, предпочтительно по меньшей мере 200 НВ, при этом сосуд оборудован по меньшей мере одним отверстием 10 сверху, соединенным по меньшей мере с одним независимым ответвлением контура циркуляции 11 снаружи для ввода нагретого раствора и/или нагретой суспензии раствора и кристаллов с помощью по меньшей мере одного циркуляционного насоса 2 через по меньшей мере один теплообменник 3 для обеспечения вместе с двойной рубашкой 4 регулируемых периодических изменений температур суспензии кристаллов вблизи кривой охлаждения, при этом соединительный трубопровод 13 соединен с днищем 12 сосуда кристаллизатора 1 и по меньшей мере с одним ответвлением контура циркуляции 11.
Изобретение относится к технологическим процессам, касающимся выделения из растворов солей в виде кристаллической массы, и предназначено для нереагентного изменения способности кристаллогидратов металлов регулировать инициирование зародышей и таким образом управлять числом зародышей и размерами выделяющихся кристаллов..
Изобретение относится к области гидрометаллургического синтеза высокочистых веществ, в частности вольфрамата свинца PbWO4, и может быть использовано при получении монокристаллов вольфрамата свинца, используемых в качестве сцинтилляторов для высокоточной электромагнитной калориметрии частиц высоких энергий.
Изобретение относится к скоростному росту кристаллов из раствора. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора содержит герметичный кристаллизатор 3, установленную внутри него ростовую камеру 1 прямоугольного сечения с затравочным кристаллом 2 и систему подачи раствора к кристаллу 2, включающую неперемещающийся насос 5 для подачи насыщенного раствора в зону роста кристалла 2 и расположенную над растущей поверхностью кристалла 2 пластину 6, выполненную с возможностью возвратно-поступательного движения в вертикальном направлении и постепенного движения вверх по мере роста кристалла, имеющую ширину и длину меньше ширины и длины ростовой камеры 1, так что между пластиной 6 и стенками камеры 1 есть щели, соединенную с приводом 7 не менее чем одной штангой 8 изменяемой длины с узлом крепления 9 к пластине 6, позволяющим изменять угол между пластиной 6 и штангой 8.
Изобретение относится к химической промышленности. Способ кристаллизации белков предусматривает подготовку исходных растворов белка в буфере, фильтрование полученного раствора, центрифугирование и заполнение раствором капилляров.
Изобретение относится к технологии получения нитевидных монокристаллов сульфобромидов трехвалентных металлов SbSBr, BiSBr, CrSBr, которые могут быть использованы в качестве легирующих добавок при получении композитных пьезоэлектрических материалов с заданными свойствами в гидроакустических преобразователях и преобразователях электромагнитной энергии в механическую.
Изобретение относится к способу получения медьсодержащих нанокатализаторов с развитой поверхностью, который заключается в том, что сначала из раствора электролита на металлический носитель методом электроосаждения наносят медь, затем носитель с нанесенным активным металлом подвергают термообработке.
Способ получения волластонита // 2595682
Изобретение относится к технологии переработки кальций- и кремнийсодержащих техногенных отходов борного производства (борогипса) и может быть использовано при производстве игольчатого волластонита для применения в цветной металлургии, в шинной, асбоцементной и лакокрасочной промышленности, в производстве керамики.
Изобретение относится к кристаллическим коллоидным массивам, используемым в качестве материалов, рассеивающих излучение. Описана композитная, отражающая и поглощающая излучение композиция, включающая множество коллоидных кристаллов или агрегатов коллоидных кристаллов, где каждый упомянутый кристалл содержит отражающие излучение частицы в виде коллоидного массива и поглощающие излучение частицы, диспергированные в кристаллах.
Изобретение относится к технологии выращивания водорастворимых оптических монокристаллов группы дигидрофосфата калия (KDP), которые могут быть использованы, например, при изготовлении активных элементов параметрических преобразователей лазерного излучения для квантовой оптики.
Изобретение относится к области кристаллографии. Способ включает приготовление маточного раствора с последующим его охлаждением в кристаллизаторе, внутри которого на платформе помещен затравочный кристалл, при этом предварительно готовят отдельно растворы сульфата кобальта, сульфата никеля и сульфата калия путем их растворения в горячей тридистиллированной воде, затем эти растворы смешивают, обеспечивая соотношение сульфата калия кобальта K2Co(SO4)2·6H2O и сульфата калия никеля K2Ni(SO4)2·6H2O - KCSH/KNSH в получаемом маточном растворе в диапазоне от 1:4 до 4:1, часть раствора отбирают для получения в чашке Петри затравочного и пробного кристаллов, уточняют температуру насыщения полученного маточного раствора по изменению размера пробного кристалла и затем фильтруют маточный раствор, платформу с полученным затравочным кристаллом устанавливают внутри кристаллизатора и нагревают до температуры, превышающей температуру насыщения на 10-15°C, подогревают отфильтрованный маточный раствор до температуры, превышающей температуру насыщения на 10-15°C, заливают этот маточный раствор в кристаллизатор, внутри которого находится затравочный кристалл, и ведут охлаждение маточного раствора, находящегося внутри кристаллизатора, до температуры, меньшей температуры насыщения на 0,05-0,1°C, после чего термостатируют раствор в течение 20-28 часов, а затем охлаждают со скоростью 0,05-0,5°C/сутки до комнатной температуры, или после достижения маточным раствором температуры, меньшей, чем температура насыщения на 0,05-0,1°C, включают в реверсивном режиме мешалку и охлаждают раствор до комнатной температуры, по достижении раствором комнатной температуры раствор сливают и извлекают из кристаллизатора полученный кристалл.
Стабильные кристаллические модификации дофх // 2543046
Изобретение относится к новой кристаллической модификации (R)-ДОФХ, которая может использоваться в фармацевтической промышленности. Предложена новая кристаллическая форма ДОФХ и способ ее получения, а также ее применение в качестве компонента при получении лекарственных средств.
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, предназначенных для использования в оптико-электронных устройствах. Способ выращивания кристаллов из пересыщенного раствора включает испарение растворителя с поверхности пересыщенного раствора, находящегося внутри кристаллизационного сосуда, конденсацию паров растворителя в верхней части сосуда, перетекание образовавшегося конденсата в нижнюю зону сосуда, при этом конденсат растворителя, собранный в верхней части кристаллизационного сосуда, основным насосом подают в расположенный вне сосуда контейнер, заполненный кристаллическим материалом, что обеспечивает постепенное контролируемое растворение материала, образовавшийся раствор из контейнера подают в зону кристаллизационного сосуда, заполненную пересыщенным раствором, часть раствора дополнительным насосом из верхней части контейнера по байпасной линии вновь направляют в нижнюю часть контейнера, в процессе выращивания кристалла обеспечивают контроль за изменением массы кристаллического вещества, которое находится внутри контейнера, причем по мере израсходования кристаллического вещества в контейнере в результате его растворения производят повторную загрузку контейнера кристаллическим материалом, не прерывая процесс выращивания кристалла.
Изобретение относится к фармацевтической и пищевой отраслям промышленности, в частности к производству биологически активных веществ, которые могут быть использованы как биологически активные добавки.
Изобретение относится к устройствам для кристаллизации белковых макромолекул в наземных условиях и условиях микрогравитации (в космосе). Микрофлюидное устройство содержит емкости с растворами различных белков 7, 9, 11 и осадителей 8, 10, 12, попарно подключенные через отдельные каналы 2, 3, 4, в которых установлены микрозатворы 13, к кристаллизационным камерам, при этом каналы 2, 3, 4 подключены к одному трубчатому элементу 1, внутри которого формируют отдельные кристаллизационные камеры 20-28 для каждого из белков, один конец трубчатого элемента 1 соединен через микрозатвор 16 с микронасосом 15, подающим из резервуара 14 в полость трубчатого элемента 1 рабочую среду 19, служащую для разделения полостей кристаллизационных камер 20-28, а другой конец трубчатого элемента 1 соединен со сборником 17 рабочей среды 19, причем для подачи растворов белков и осадителей через отдельные каналы 2, 3, 4 в кристаллизационные камеры 20-28 применяют отдельные микронасосы 5, 6, функционирующие по индивидуальным программам.
Кристаллические антитела против htnf // 2486296
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу гидросульфатфосфата цезия состава Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 , который может быть использован в качестве твердого протонпроводящего материала.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно к получению нового сложного оксида со структурой силленита, который является перспективным материалом для различных акусто- и оптоэлектронных устройств: пьезодатчиков, фильтров и линий задержки электромагнитных сигналов, электро- и магнитооптические измерителей напряженности полей, пространственно-временных и магнитооптических модуляторов.
Изобретение относится к технологии взрывчатых веществ (ВВ) и может быть использовано в детонаторах и других взрывных устройствах, использующих процесс перехода горения ВВ во взрыв. .
Способ выращивания кристаллов оксида цинка // 2460830
Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, используемого в различных областях электронной техники, где использование кварца невозможно или ограничено и может применяться в функциональной пленочной электронике, пьезотехнике и акустоэлектронике.
Деталь из искусственного кварца, способ ее изготовления и включающий ее оптический элемент // 2441840
Изобретение относится к технологии изготовления детали из искусственного кварца для применения в качестве оптического элемента для ArF-литографии, подлежащего облучению лазерным светом, имеющим длину волны 200 нм или короче.
Способ выращивания игольчатых кристаллов // 2430200
Изобретение относится к области гальванопластики и может быть применено для изготовления деталей устройств нанотехнологического оборудования, использующих метод сканирующего зонда, например, кантилеверов.
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а конкретно - к получению латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка. .
Изобретение относится к технологии выращивания нитевидных кристаллов неорганических соединений и может быть использовано для получения нитевидных монодисперсных кристаллов азида серебра с воспроизводимыми характеристиками.
Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных водных растворов, и может быть использовано при скоростном выращивании профилированных кристаллов (например, типа KH2PO4, KD2PO4 , Ва(NO3)2 и др.).
Способ выращивания монокристаллов группы kdp на затравку, размещаемую в формообразователе // 2398921
Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов.
Способ получения наноалмазов // 2396377
Изобретение относится к технологии получения наноалмазов, имеющих большое промышленное значение в электронике в качестве высокотемпературных полупроводников, высокочувствительных счетчиков в сложных дозиметрических установках с мощным твердотельным лазером и т.д.
Изобретение относится к средствам для специальных видов печати, позволяющим получать на листовом материале защитные изображения. .
Изобретение относится к получению полупроводниковых квантовых точек типов ядро и ядро-оболочка методом коллоидного синтеза, которые могут быть использованы в производстве различных люминесцентных материалов, а также в качестве основы для производства сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств.
