Держатели затравочных кристаллов, например зажимные патроны (C30B15/32)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(2110)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)

C30B15 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу чохральского (под защитной жидкостью C30B27)(455)

C30B15/32 Держатели затравочных кристаллов, например зажимные патроны(11)

Узел крепления нагретого тела на штоке в герметичной камере // 2440446

Изобретение относится к области выращивания высококачественных, чистых монокристаллических материалов, прежде всего - полупроводниковых и может быть использовано, в частности, при получении бездислокационных монокристаллов кремния разного диаметра и длины методом бестигельной зонной плавки.

Узел крепления нагретого тела на штоке в герметичной камере // 2434082

Изобретение относится к области выращивания высококачественных чистых монокристаллических материалов, прежде всего полупроводниковых, и может быть использовано, в частности, в установках для получения бездислокационных монокристаллов кремния разного диаметра и длины методами бестигельной зонной плавки (БЗП), Чохральского и другими.

Способ выращивания легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, и устройство для его реализации // 2367730

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов методом Чохральского. .

Устройство для выращивания монокристаллов // 2102541

Установка для получения стержней поликристаллического кремния // 2095494

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния как исходного сырья для выращивания монокристаллов кремния. .

Устройство для выращивания кристаллов из расплава // 2088702

Изобретение относится к оборудованию для получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в установках для выращивания монокристаллов на затравку, например, кремния методом Чохральского.

Затравкодержатель // 1636485

Изобретение относится к устройствам для выращивания монокристаллов методом Чохральского и может быть использовано в электронной технике. .

Затравкодержатель для выращивания кристаллов // 1604868

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов тугоплавких оксидов методом Чохральского. .

Устройство для крепления затравочного кристалла // 778371

Патгиг-о. ,^^ гехнич?с;;л$] ^^-библногека // 256879

Кристаллодержатель для крепления затравок при выращивании кристаллов // 159795