Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев (C30B19)
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);
(2110) C30B19 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев(65)
Изобретение относится к области магноники и СВЧ-техники, в частности, к созданию тонких монокристаллических магнитных пленок железо-иттриевого граната (ЖИГ) на подложке из немагнитного граната с наследованием пленкой кристаллической ориентации и структуры подложки с нулевым рассогласованием параметров кристаллической решетки пленки и подложки.
Группа изобретений относится к области оптического материаловедения для использования в фотонике, оптоэлектронике, лазерных системах. Флюс для кристаллизации эпитаксиальных слоев флюорита как чистого, так и легированного редкоземельными ионами методом жидкофазной эпитаксии представляет смесь NaF и KF при следующем соотношении компонентов, мол.
Изобретение относится к области сенсорики и сверхвысокочастотной (СВЧ) техники, в частности к созданию управляемых сенсоров магнитных полей, фильтров, модуляторов и маршрутизаторов СВЧ-излучения, оптически управляемых логических элементов, преобразователей сигналов, рабочим материалом которых являются эпитаксиальные пленки феррит-гранатов с перестраиваемыми свойствами за счет управления магнитоупругой связью в монокристалле с помощью когерентного оптического (лазерного) излучения.
Изобретение относится к использованию ударных волн для проведения химических реакций или для модификации кристаллической структуры веществ, в частности к способу формирования пустот в ионных кристаллах KBr.
Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек (НГЭС ИКТ). Способ основан на процессах растворения и кристаллизации полупроводниковых и металлических материалов из растворов-расплавов легкоплавких металлов.
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.
Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований. Шихту наплавляют в платиновый тигель, компоненты берут в соотношении, мас.%: Fe2O3 - 5,37, В2О3 - 51,23, PbO - 29,31, PbF2 - 13,73.
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.
Изобретение относится к текстурированной подложке для выращивания на ней эпитаксиальной пленки оксидного сверхпроводящего материала для использования в различных типах электросилового оборудования. Текстурированная подложка содержит слой текстурированного металла, по меньшей мере, на одной стороне, который включает в себя слой меди, имеющий кубическую текстуру, и слой никеля, имеющий толщину 100-20000 нм, сформированный на слое меди; слой никеля имеет слой оксида никеля, сформированный на его поверхности, имеющий толщину 1-30 нм, и слой никеля дополнительно включает в себя палладий-содержащую область, сформированную из палладий-содержащего никеля, на поверхности раздела со слоем оксида никеля.
Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники, в частности к прикладной магнитооптике, и может быть использовано для записи информации как в цифровом, так и в аналоговом режимах. Магнитооптический материал представляет собой эпитаксиальную монокристаллическую пленку феррита-граната состава (YBi)3(FeGa)5O12, нарощенную на подложке немагнитного граната с высоким значением параметра решетки
a
=
12,380
A
o
/
−
12,560
A
o
/
, при этом эпитаксиальная пленка содержит 0,1-0,4 формульных единиц ионов Mg2+.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру роста 5 и каналы для подачи и вывода расплавов.
Изобретение относится к электронной технике, а именно - к материалам для изготовления полупроводниковых приборов с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. .
Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. .
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. .
Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств.
Изобретение относится к области выращивания эпитаксиальных монокристаллических пленок для измерения рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного и космического излучений и промышленно применимо при изготовлении детекторов ядерных частиц, нейтронов, - и -частиц, -квантов, сцинтилляционных и рентгеновских экранов.
Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов.
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. .
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации. .
Изобретение относится к устройству для получения монокристаллических оксидных пленок путем жидкофазной эпитаксии и более конкретно, к устройству для получения путем жидкофазной эпитаксии монокристаллических оксидных пленок, таких как монокристаллические пленки магнитного граната, пригодные для применения в устройствах на магнитостатических волнах, ниобата лития, пригодные для применения в оптических устройствах.
Изобретение относится к магнитной микроэлектронике, радиационной физике твердого тела и может быть использовано при конструировании элементов памяти и логики на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), применяющихся в полях g-излучений.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм. .
Изобретение относится к монокристаллическим материалам, в частности к эпитаксиальным феррит-гранатовым структурам (ЭФГС) на основе железо-иттриевого граната (ЖИГ), и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных планарных сверхвысокочастотных (СВЧ) приборов на поверхностных магнитостатических волнах (ПМСВ).
Изобретение относится к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных структур, используемых для производства полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к технологии п/п приборов. .
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в промышленности при изготовлении ряда дискретных полупроводниковых приборов (например, тензодатчиков, полевых транзисторов, переключателей, датчиков малых перемещений и других приборов).
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано, в частности, при создании фотоприемных устройств, работающих в спектральном диапазоне 1,85-2,1 мкм. .
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к созданию карбидкремниевых р-п-структур, которые используют для создания высокотемпературных приборов: выпрямительных диодов, стабилитронов, полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом, и позволяет повысить выход годных структур.
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений А В и может быть использовано при производстве электролюминесцентных структур. .
Изобретение относится к технологии выращивания пленок феррит-гранатов и может быть использовано в производстве магнитооптических изделий на их основе. .
Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов. .
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых структур . .
Изобретение относится к устройствам для получения полупроводниковых структур, в частности для создания сверхрешеток. .
Изобретение относится к получению полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. .
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев. .
Изобретение относится к росту кристаллов и может быть использовано для получения материалов электронной техники. .
Изобретение относится к технологии материалов твердотельной электроники и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных устройств. .
Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники. .
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев кремния зонной перекристаллизацией в поле температурного градиента. .
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для выращивания эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии. .
Изобретение относится к технологии электронного приборостроения и может быть использовано при производстве носителей информации для запоминающих устройств. .