Выращивание эпитаксиальных слоев (C30B23/02)

Отслеживание патентов класса C30B23/02
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B23/02                     Выращивание эпитаксиальных слоев(44)

Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием // 2663041
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.

Способ низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии наноразмерных пленок нитридов металлов третьей группы таблицы д.и. менделеева // 2658503
Изобретение предназначено для производства гетероэпитаксиальных структур для изготовления светодиодов, фотоприемников, полупроводниковых лазеров, транзисторов и диодов.

Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке // 2614330
Изобретение относится к технологиям получения износостойких, прочностных тонких алмазных пленок методом вакуумной лазерной абляции и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и создания наноструктурных материалов.

Способ получения наноразмерных слоев углерода со свойствами алмаза // 2532749
Изобретение относится к нанесению покрытий путем проведения неравновесных процессов распыления в вакууме ионным пучком.
Способ получения наноразмерных пленок феррита // 2532187
Изобретение относится к технологии получения наноразмерных пленок мультиферроиков и может найти применение в производстве высокодобротных магнитооптических устройств обработки и хранения информации, магнитных сенсоров, емкостных электромагнитов, магнитоэлектрических элементов памяти, невзаимных сверхвысокочастотных фильтров.
Способ получения наноразмерных пленок bi-содержащих ферритов-гранатов // 2532185
Изобретение относится к технологии получения пленок ферритов-гранатов и может быть использовано в прикладной магнитооптике для получения магнитооптических дисков, модуляторов, дефлекторов.

Способ получения алмазоподобных покрытий комбинированным лазерным воздействием // 2516632
Изобретение относится к технологиям повышения износостойких, прочностных и антифрикционных свойств металлорежущего инструмента, внешних поверхностей обшивки авиационных и космических летательных аппаратов, оптических приборов и нанотехнологиям.
Способ получения оптических поликристаллических материалов на основе селенида цинка // 2516557
Изобретение относится к области технологии материалов для оптоэлектроники конструкционной оптики, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов ИК-техники.

Способ создания на подложках монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма // 2507317
Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано в физике конденсированного состояния, приборостроении, микроэлектронике, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов твердого раствора висмут-сурьма с совершенной монокристаллической структурой.

Композиционный оптический материал и способ его получения // 2485220
Изобретение относится к оптико-механической промышленности, в частности к оптическим материалам, применяемым в устройствах и приборах инфракрасной техники, и может быть использовано для изготовления защитных входных люков (окон), обеспечивающих надежное функционирование приборов.

Способ получения эпитаксиальных пленок твердого раствора (sic)1-x(aln)x // 2482229
Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. .

Тигель для выращивания монокристаллического слитка карбида кремния с нитридом алюминия и гетероструктур на их основе // 2425914
Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах.

Способ получения на подложке кальций-фосфатного покрытия // 2372101
Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов.

Способ получения эпитаксиальных пленок растворов (sic) 1-x(aln)x // 2333300
Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC).

Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее устройство на основе ga2o 3 и способ его изготовления // 2313623
Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике.

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов sic-aln // 2260636
Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов.

Устройство для формирования многослойных структур // 2175692
Изобретение относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, а более конкретно к устройствам для нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе.

Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов и способ изготовления монокристаллов карбида кремния // 2163273
Изобретение относится к затравочному кристаллу для изготовления монокристаллов и к способу для изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремния.

Способ приготовления шихты для получения твердых растворов халькогенидов свинца и олова парофазными методами // 2155830
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов. .

Способ эпитаксиального выращивания алмаза // 2008258
Изобретение относится к способам выращивания алмаза на алмазную подложку и может быть использовано для увеличения размеров алмаза с целью применения их для различных технически нужд, например в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц.

Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы // 1736211
Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий из газовой фазы и может быть использовано при получении слоистых структур, в частности конструкционных элементов, работающих в инфракрасной области спектра.

Полупроводниковый материал // 1730219
Изобретение относится к твердотельной электронике, конкретно к технологии получения монокристаллических твердых растворов на основе карбида кремния.

Способ получения сверхчистых пленок и устройство для его осуществления // 1712474
Изобретение относится к тонкопленочной технологии, может быть использовано в микроэлектронике и обеспечивает повышение чистоты пленок.

Способ получения просветляющих фторидных покрытий // 1691434
Изобретение относится к химии и касается способа получения просветляющих фторидных покрытий, имеющих чрезвычайно высокую границу прозрачности, что позволяет их использовать в оптических приборах одновременно в УФ- и ИК-областях, обеспечивает улучшение качества покрытий и увеличение скорости процесса.

Способ получения оптического элемента // 1678920
Изобретение относится к технологии получения оптических материалов и может быть использовано в ИК-технике. .

Способ получения алмазоподобных пленок // 1610949
Изобретение относится к микроэлектронике, оптике, физике тонких пленок, может быть использовано, например, для получения защитных покрытий зеркал, обеспечивает получение однофазных, бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению.

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок // 1589690
Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводниковых пленочных материалов на основе металлоксидов и может быть использовано при разY-Ba-Cu-0 Super Films prepareted by 1988, работке новых устройств микроэлектроники и полупроводниковой электроники.

Способ выращивания слоев алмаза и устройство для его осуществления // 1577400
Изобретение относится к кристаллизации алмаза из газовой фазы, и может быть использовано в электронике, приборостроении, лазерной и рентгеновской технике и обеспечивает повышение скорости роста слоев.

Устройство для осаждения пленок твердых растворов // 1574697
Изобретение относится к устройствам для получения полупроводниковых материалов. .

Способ получения пленок n @ о @ // 1490167
Изобретение относится к росту кристаллов, конкретно - к получению эпитаксиальных пленок оксидов металлов, обладающих стабильностью термоэлектрических свойств при высоких температурах, и позволяет повысить термическую устойчивость пленок за счет улучшения их структуры до эпитаксиальной.

Способ получения слоев карбида кремния // 1398484
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе карбида кремния, таких как силовые вентили, лавиннопролетные диоды, силовые транзисторы.
Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (sic)*001*00-*00x(aln)*00x // 1297523
Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)x методом сублимации, который обеспечивает получение совершенных слоев заданного состава в интервале х=0,35-0,9 и удешевление процесса.

 // 341519
 
.
Наверх