Алмаз (C30B29/04)

C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B29/04                     Алмаз(138)

Способ получения ультрадисперсных алмазов и установка для его осуществления // 2784236
Изобретение относится к области горно-рудной, химической, инструментальной промышленности, а также к приборостроению, в частности к синтезу ультрадисперсных алмазов, которые могут быть использованы в квантовой физике, биологии, материаловедении, микроэлектронике и медицинской диагностике при создании различного рода нанокомпозитов, катализаторов, антиизносных присадок к маслам и т.д.

Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза // 2773320
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения пленок алмаза большой площади на подложках из кремния. Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза включает нагрев порошка алмаза 5 в графитовом контейнере в среде вакуума с осаждением пленки алмаза 8 на поверхности кремния, при этом под нижней поверхностью контейнера посредством бобин 2, 9 перемещают ленту из графитовой фольги 3 с предварительно полученным слоем мультикристаллического кремния, днище контейнера выполняют в виде приваренного к его граням слоя 7 углеродной ткани с саржевым плетением, нагрев порошка алмаза осуществляют до температуры 1050°С графитовым нагревателем 6, затем создают разность потенциалов между корпусом контейнера и подающей бобиной 2 с упомянутой лентой 3, а ленту с полученной пленкой алмаза 8 наматывают на приемную бобину 9.

Способ получения кристаллов безазотного алмаза // 2766902
Изобретение относится к области получения кристаллов безазотного алмаза, содержащих оптически активные центры SiV, GeV и SnV, для использования в фотонных и оптоэлектронных устройствах. Способ получения кристаллов безазотного алмаза включает воздействие на систему углерод - редкоземельный элемент высоких давления и температуры в области термодинамической стабильности алмаза с использованием редкоземельных металлов в качестве катализаторов, в качестве которых используют один из редкоземельных металлов La, Се, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, Y, при этом в систему дополнительно вводят один или более легирующих элементов IV группы, таких как Si, в виде примеси в графите в количестве порядка 120 млн-1 и/или Ge или Sn в количестве 5-10 вес.

Способ детонационного синтеза поликристаллического алмаза // 2757661
Изобретение относится к процессам получения синтетических поликристаллических алмазов. Способ детонационного синтеза поликристаллических алмазов осуществляют взрывом заряда в центре герметичной взрывной камеры в ледяной оболочке или в водяной оболочке.
Способ получения материала высокой теплопроводности и теплоотвод, изготовленный из материала, полученного этим способом // 2757042
Изобретение относится к технологии производства материала высокой теплопроводности путем постростовой обработки монокристаллов алмаза. Способ характеризуется тем, что предварительно искусственно синтезируют алмаз типа Ib, или Ib+Ia, или Ia+Ib методом высоких давлений и высоких температур (НРНТ) c начальной концентрацией в кристаллической решетке одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения (дефектов С) в диапазоне от 1,76·1018 см-3 до 1,4·1020 см-3, а затем подвергают его облучению электронами с энергией от 1 до 5 МэВ и дозой облучения от 1·1018 до 1·1019 см-2, чем вызывают перезарядку части образовавшихся одиночных изолированных вакансий из нейтрального в отрицательное зарядовое состояние и обеспечивают повышение теплопроводности алмаза при температурах в диапазоне 300-340 К.

Способ записи информации внутри кристалла алмаза // 2750068
Изобретение относится к технологии создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например, кода идентификации, метки, идентифицирующие алмазы. Способ записи информации внутри кристалла алмаза 1 включает проектирование информационного элемента в виде метки с помощью устройства 10, подготовку поверхности кристалла, позиционирование кристалла с использованием средств 2, 5, 6, 7, 8, 9 для создания информационного элемента, формирование информационного элемента путем воздействия излучением лазера 11 на кристалл, контроль создания информационного элемента и корректировку информационного элемента, при этом предварительно кристалл алмаза 1 размечают на бриллианты, проводят исследование кристалла на наличие макроскопических дефектов, создают его объемную цифровую модель с учетом внутренней дефектности кристалла, в том числе топологии поверхности, проектирование информационного элемента осуществляют так, чтобы он находился в требуемом месте будущего бриллианта, и осуществляют виртуальную привязку, позиционирование и ориентацию записываемого в объем кристалла информационного элемента относительно элементов огранки будущих бриллиантов, после проектирования производят расчет траектории хода лучей 12, задают параметры - размеры и геометрию фокальной области излучения через выбор точек приложения излучения, разделение луча на части в устройстве 16 и заведение всех частей луча под разными углами, маскирование части профиля луча, на основе расчета производят выбор интегрального флюенса в месте записи ниже порогового флюенса, при котором происходит локальное превращение алмаза в графит или иную неалмазную форму углерода, или образование в кристалле трещин или расколов, проводят подготовку поверхности кристалла, при позиционировании кристалла совмещают его трехмерную модель с его реальным положением, формирование информационного элемента производят системой линз 19 путем создания внутри кристалла 1 интерференционного поля путем пересечения двух или более пучков когерентного излучения лазеров с ультракороткими импульсами длительностью от 30 фс до 10 пс и энергией от 1 нДж до 40 мкДж с длиной волны от 240 до 2200 нм, приводящих к возникновению субмикронных периодических структур в записываемой области, после чего осуществляют контроль создания информационного элемента устройством 21 на основе топологии поверхности кристалла алмаза путем расчета хода лучей и их преломления для точного позиционирования информационного элемента для исключения эффекта кажущегося изменения положения и формы информационного элемента.

Способ и исходный продукт для детонационного синтеза поликристаллического алмаза // 2748800
Изобретение может быть использовано при получении синтетических поликристаллических алмазов. Способ детонационного синтеза поликристаллического алмаза включает получение исходного продукта из высокоэнергетического взрывчатого вещества - гексогена и/или октогена и углеродсодержащего компонента - коллоидного графита или сажи.
Способ обработки алмазных материалов // 2743078
Изобретение относится к обработке алмазных материалов для их использования в высокотехнологичных областях науки и техники. Способ обработки алмазного материала включает введение в контакт алмазного материала с металлической пластиной, нагрев контактных поверхностей в инертной атмосфере и выдержку, при этом в качестве материала металлической пластины берут сплав железа с углеродом, содержащий 0,5-1 мас.% углерода, нагрев контактных поверхностей осуществляют до достижения температуры 900-1100°С, а контакт алмазного материала с металлической пластиной осуществляется под нагрузкой 15,0-40,0 кПа.

Способ получения поликристаллического алмазного материала // 2740599
Изобретение может быть использовано при изготовлении режущего инструмента. Способ получения поликристаллического алмазного материала включает помещение в реакционную ячейку камеры высокого давления в зоне максимальной температуры нагрева стержня из металла-катализатора, имеющего торцевую рабочую поверхность, и углеродосодержащего материала, образующего вокруг стержня оболочку.

Способ получения высокочистого поликристаллического кремния // 2739312
Изобретение относится к химической технологии получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана водородом на кремниевые стержни-основы в безотходном режиме. Способ включает приготовление исходной парогазовой смеси в испарителе SiHCl3 1 барботированием водорода через слой трихлорсилана с мольным отношением H2:SiHCl3 = (3,0-3,5):1 с последующей ее подачей в реактор восстановления 2, где осуществляют осаждение поликристаллического кремния на нагретых до 1100-1150°C кремниевых стержнях, подачу отходящей из реактора восстановления 2 парогазовой смеси, состоящей из водорода, тетрахлорида кремния, трихлорсилана и хлористого водорода, в реактор-утилизатор 3, в котором при температуре 315-350°C осуществляют отделение хлористого водорода от отходящей из реактора восстановления 2 парогазовой смеси с получением смеси водорода, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в соотношении SiHCl3/SiCl4 = 50%/50%, далее полученную смесь направляют в установку мембранного разделения 4 для отделения водорода на полимерных мембранах при температуре нагрева до 100°C и перепаде давлений, равном 8 атм, который возвращают в испаритель SiHCl3 1, а смесь трихлорсилана и тетрахлорида кремния подвергают конденсации 5 и ректификации 6, после чего трихлорсилан возвращают в испаритель SiHCl3 1, а тетрахлорид кремния направляют в испаритель SiCl4 7, в котором осуществляют барботирование водорода через слой тетрахлорида кремния с образованием парогазовой смеси с мольным соотношением H2:SiCl4 = (3,0-6,5):1, которую далее подают в плазмохимический реактор 8 для синтеза трихлорсилана, откуда парогазовую смесь, состоящую из водорода, тетрахлорида кремния, трихлорсилана и хлористого водорода, направляют в реактор-утилизатор 3 для отделения хлористого водорода.

Способ получения поликристаллического алмазного материала с отверстием // 2735087
Изобретение относится к способу получения поликристаллического алмазного материала с отверстием, проходящим в осевом направлении, который может служить заготовкой для изготовления волочильного инструмента.

Способ выращивания слоев алмаза на подложке монокристаллического кремния // 2722136
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния. Способ выращивания слоев алмаза, включающий нагрев в вакуумной среде в диапазоне температур от 910°С до 1150°С порошка алмазов в графитовой лодочке, над поверхностью которой размещена пластина монокристаллического кремния, причем лодочка с пластиной размещена в зазоре между двумя параллельными пластинами из углеродной фольги, прогреваемыми прямым пропусканием переменного электрического тока, а величина тока в верхней пластине меньше, чем в нижней.

Способы создания поликристаллического алмаза, режущих элементов и инструментов, содержащих поликристаллический алмаз // 2718075
Изобретение может быть использовано при изготовлении бурильных и режущих элементов, например бурильного долота для роторного бурения подземных пластов. Осколки алмаза, оксид и диоксид углерода инкапсулируют в сосуде в отсутствие металлического катализатора, герметизируют сосуд и воздействуют давлением не менее 4,5 ГПа и температурой не менее 1400°С, в результате чего между осколками алмаза образуется поликристаллический алмаз с межкристаллическими связями.

Монокристаллический синтетический алмазный материал, полученный химическим осаждением из газовой фазы // 2705356
Изобретение относится к синтезу монокристаллического CVD алмазного материала, который может быть использован в оптике, ювелирных изделиях, в качестве подложек для дальнейшего CVD роста алмазов, механических применениях, в области квантового зондирования и обработки информации.

Многокамерное устройство для выращивания крупных кристаллов алмазов без силовой рамы // 2699107
Изобретение относится к химическому машиностроению, к технике высоких давлений и может быть использовано для выращивания кристаллов алмазов. Устройство для выращивания кристаллов алмаза содержит установленные в заглублении земли на столе 6 соосно в ряд контейнеры 1, 2 с размещенным в каждом контейнере соответствующим многопуансонным аппаратом 3 высокого давления, а между каждым из крайних контейнеров 1 и 2 и соответствующей стеной 8 заглубления установлена по меньшей мере одна разгрузочная плита 7.

Способ получения объемных алмазных структур // 2698885
Изобретение относится к производству объемных изделий (структур) из алмаза: губок, пористых структур сложной формы, и может быть использовано в твердотельной электронике для производства теплоотводов, эмиссионных электродов и высоковольтных изоляторов, в теплотехнике при конструировании эффективных теплообменников, в биологии и медицине при изготовлении фильтров и мембран.

Способ изготовления множества монокристаллических cvd синтетических алмазов // 2697556
Изобретение относится к технологии получения монокристаллических CVD алмазов, которые могут быть использованы для производства линз, призм, частей механического инструмента или драгоценных камней для ювелирных применений.

Покрытые частицы // 2697455
Изобретение относится к углеродсодержащим покрытым частицам для применения в качестве катализатора или адсорбционного материала и способу их получения, а также функциональному материалу, при получении которого использованы такие частицы.

Многокамерное устройство для выращивания крупных кристаллов алмазов // 2686226
Изобретение относится к химическому машиностроению, к технике высоких давлений и может быть использовано для выращивания крупных кристаллов алмазов. Устройство содержит силовую раму 1, установленные в ней соосно в ряд контейнеры 2, 3 цилиндрической формы с размещенным в каждом контейнере соответствующим многопуансонным аппаратом высокого давления 4 в форме куба, в котором выращиваются алмазы, между крайними контейнерами 2, 3 и силовой рамой 1 установлены полуцилиндрические вкладыши 5, цилиндрическая поверхность каждого из которых контактирует с ответной ей полуцилиндрической поверхностью рамы 1.

Способ получения тонких алмазных пленок // 2685665
Изобретение относится к способу получения тонких алмазных пленок и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и активных слоев тонкопленочных наноструктур.

Способ получения алмазоподобных тонких пленок // 2668246
Изобретение относится к технологии производства тонких алмазных пленок и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и активных слоев тонкопленочных наноструктур.

Алмазное покрытие и способ его осаждения // 2660878
Изобретение относится к микрокристаллическому алмазному покрытию, предназначенному для трибологических областей применения в сфере микромеханики, а также в оптике. Микромеханическая деталь включает подложку, имеющую поверхность с алмазным покрытием, включающим по меньшей мере одну стопку из первого нанокристаллического алмазного слоя с размером зерен на поверхности, меньшим, чем 50 нм, и второго микрокристаллического слоя с размером зерен на поверхности порядка 100 нм, при этом алмазный слой, наиболее приближенный к подложке, является нанокристаллическим, а поверхность алмазов, наиболее удаленная от подложки, является микрокристаллической.
Способ получения выращенных радиоактивных алмазов и выращенный радиоактивный алмаз // 2660872
Изобретение относится к области получения синтетических алмазов, включающих изотоп 14С, обладающих β-излучением. Алмазы выращиваются из карбида железа, образующегося непосредственно в ростовой камере из карбоната бария, являющегося продуктом переработки отработавшего ядерного топлива и содержащего в своем составе 50-70% изотопа 14С от общей массы углерода, и не менее чем 5-кратного по отношению к общей массе карбоната бария избытка железа.

Способ синтеза наноалмазов // 2650971
Изобретение относится к синтезу наноалмазов для использования в элементах оптической памяти для квантовых компьютеров высокой производительности. Способ включает подготовку углеродсодержащей смеси, ее размещение в камере высокого давления, инициирование в углеродсодержащей смеси интенсивной ударной волны, фильтрацию и сепарацию продуктов синтеза, при этом в качестве углеродсодержащей смеси выбирают смесь на основе предельных углеводородов гомологического ряда алканов с общей формулой CnH2n+2 с числом углеродных атомов 16 и выше, нагревают ее до температуры выше 300 K, пропускают через нее метан под давлением выше 0,1 МПа и формируют в углеродсодержащей смеси импульсный электрический разряд.

Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски // 2643694
Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски, в котором у поверхности алмазного образца формируется собирающая излучение центров окраски оптическая система, состоящая из конуса с круглым основанием из оптического стекла, окружающего конус конического зеркала и собирающей линзы.

Способ получения легированного монокристалла алмаза // 2640788
Изобретение относится к получению монокристаллов алмазов, в частности, легированных азотом и фосфором, при высоких давлениях и температурах, которые могут быть использованы в устройствах электроники. Способ выращивания легированных азотом и фосфором монокристаллов алмаза в области высоких давлений 5,5-6,0 ГПа и температур 1600-1750°С осуществляют на затравочном кристалле, который предварительно запрессовывают в подложке из хлорида цезия и отделяют от источника углерода, азота и фосфора металлом-растворителем, в качестве которого используют сплав железа, алюминия и углерода.

Режущие элементы бурового долота с закрепленными резцами, содержащие твердые режущие пластины, выполненные из синтетических алмазов, сформированных химическим осаждением из паровой фазы // 2638220
Группа изобретений относится к способам формирования монокристаллического режущего элемента для бурового долота с закрепленными резцами и к буровому долоту для бурения буровой скважины. Технический результат заключается в увеличении прочности получаемой структуры при высоких температурах и давлениях.

Способы улучшения спекания пка (поликристаллического алмаза) при использовании графена // 2636508
Изобретение может быть использовано для изготовления прессовок поликристаллического алмаза и режущего инструмента. Наноразмерный одно- или многослойный материал, содержащий графен, спекают примерно 5 мин в отсутствие катализатора - переходного металла при давлении и температуре по меньшей мере 45 кбар и 700°С, соответственно.

Способ сращивания изделий из поликристаллических алмазов в свч-плазме // 2635612
Изобретение относится к способам получения монолитных соединений стержней из поликристаллических алмазов, предназначенных для использования в производстве приборов электроники, оптики, СВЧ-техники, в частности для изготовления диэлектрических опор в лампах бегущей волны (ЛБВ), использующих низкий коэффициент поглощения на частотах генерации.

Способ получения кристаллических алмазных частиц // 2628617
Изобретение относится к нанотехнологии алмазных частиц, необходимых для финишной шлифовки и полировки различных изделий и для создания биометок. Способ получения кристаллических алмазных частиц включает добавление к порошку наноалмазов, полученных детонационным синтезом, циклоалкана (циклического насыщенного углеводорода) или многоосновного спирта в количестве 5-85 мас.
Способ бесконтактной обработки поверхности алмазов // 2620392
Изобретение относится к технологии обработки алмазов, а именно к методам придания им заданной геометрической формы, и востребовано в промышленности для производства электроники. Способ бесконтактной обработки поверхности алмаза включает нагрев алмаза до температуры чуть ниже температуры графитизации алмаза с последующим бесконтактным воздействием на локальный участок поверхности алмаза точечным источником энергии, с помощью которого повышают температуру поверхности алмаза на локальном участке выше температуры графитизации.
Способ образования центров окраски в алмазе // 2616350
Изобретение относится к области создания материалов для пассивных и активных элементов устройств фотоники, квантовой электроники и оптики. Способ образования центров окраски в алмазе включает облучение алмаза с однородным распределением по объему А-агрегатов и с их концентрацией не менее 1018 см-3 ионизирующим излучением с энергией не менее 1 МэВ дозой 100-120 част./см2 на каждый А-агрегат.

Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке // 2614330
Изобретение относится к технологиям получения износостойких, прочностных тонких алмазных пленок методом вакуумной лазерной абляции и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и создания наноструктурных материалов.

Способ ударного сжатия тел малой плотности, снаряд и реактор для его осуществления // 2610865
Изобретение относится к области средств получения высоких динамических давлений и температур и может быть использовано для проведения химических реакций, изменения кристаллической структуры твердых тел при высоком давлении и температуре, в частности для получения искусственных алмазов (алмазного порошка), для сжатия DT-льда с целью получения нейтронного источника, для осуществления инерциального термоядерного синтеза.

Полученные химическим осаждением из паровой фазы монокристаллические синтетические алмазные материалы, имеющие однородный цвет // 2595671
Изобретение относится к технологии производства цветных алмазов, которые могут быть использованы в оптике и для ювелирных целей. Монокристаллический CVD-синтетический алмазный материал содержит множество слоев, которое включает, по меньшей мере, две группы слоев, различающиеся по их составу дефектов и цвету, причем тип дефектов, концентрация дефектов и толщина слоев для каждой из упомянутых, по меньшей мере, двух групп слоев являются такими, что если окрашенный монокристаллический CVD алмазный материал перерабатывают в алмаз с круглой бриллиантовой огранкой, содержащий площадку и калету и имеющий глубину от площадки до калеты более 1 мм, то алмаз с круглой бриллиантовой огранкой имеет однородный цвет при рассматривании невооруженным глазом человека в стандартных окружающих условиях наблюдения в, по меньшей мере, направлении через площадку до калеты; упомянутые, по меньшей мере, две группы слоев содержат первую группу слоев, содержащих легирующую примесь бора в концентрации, достаточной для получения синей окраски, и вторую группу слоев, содержащих более низкую концентрацию легирующей примеси бора, первая группа слоев содержит некомпенсированную легирующую примесь бора в концентрации не менее 0,01 ppm и не более 5,00 ppm, а вторая группа слоев содержит легирующую примесь изолирующего замещающего азота в концентрации не менее 0,01 ppm и не более 5 ppm, причем показатель качества (FM) видимости индивидуальных слоев составляет не более 0,15 и рассчитывается как произведение: FM=толщина (мм) слоев для первой группы слоев × толщина (мм) слоев для второй группы слоев × концентрация (ppm) твердотельного бора в первой группе слоев × глубина (мм) круглой бриллиантовой огранки.

Способ обработки поверхности алмаза // 2593641
Изобретение относится к способам обработки поверхности алмаза для его использования в электронной технике СВЧ. Способ включает взаимное расположение в одной плоскости исходной поверхности алмаза и металлической поверхности из стали, обеспечение непосредственного контакта упомянутых поверхностей, термическую обработку исходной поверхности алмаза на заданную глубину, обеспечивающую заданную конечную поверхность алмаза, при этом предусматривающую нагрев упомянутых поверхностей в инертной среде, с заданной скоростью, вблизи температуры образования эвтектического сплава железо - углерод, выдержку при этой температуре и естественное охлаждение, при этом металлическую поверхность из стали берут с содержанием углерода 3,9-4,1 мас.

Химический способ получения искусственных алмазов // 2586140
Изобретение относится к неорганическому синтезу искусственных алмазов размером до 150 мкм, которые могут найти промышленное применение в производстве абразивов и алмазных смазок, буровой технике. Синтез алмазов осуществляют в расплавленной металлической матрице при непосредственном взаимодействии углеродсодержащей добавки, содержащейся в концентрациях от 2 до 10 мас.% в расплаве хлоридов и/или фторидов щелочных металлов, с расплавленными металлами, такими как алюминий, цинк, магний, олово, свинец, а также их сплавами в течение 1-5 ч при температуре 700-900°C в атмосфере воздуха и последующем охлаждении и/или термообработке, при этом в качестве углеродсодержащей добавки используют карбиды металлов или неметаллов или твердые органические вещества, относящиеся к классам углеводородов, или углеводов, или карбоновых кислот.

Способ увеличения размеров алмазов // 2585634
Изобретение относится к области получения синтетических алмазов и может быть использовано в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц, а также в ювелирном деле. Способ включает осаждение углерода на затравочные кристаллы алмазов при их нагреве в вакууме, при этом затравочные кристаллы предварительно фиксируют на поверхности полированной пластины монокристаллического кремния, покрытой слоем поливинилацетата, после чего нагревают пластины кремния при электрическом потенциале смещения 80 В в вакууме, затем напускают метан при давлении 10-30 Торр и проводят изотермическую выдержку при температуре 1170±20°С с циклической откачкой реакционных продуктов и напуском свежего метана.

Способ изготовления углеродных пленок со структурой алмаза, легированных бором // 2585311
Изобретение относится к области технологии тонкопленочных материалов и может быть использовано при создании пассивных и активных элементов микро- и оптоэлектронных устройств. В способе изготовления углеродных пленок со структурой алмаза, легированных бором, осуществляемом методом химического осаждения углеродной пленки из газовой фазы на помещенной в реактор подложке, легирующее вещество бор в твердой фазе плотностью более 95% от теоретической размещают вне зоны ВЧ разряда на расстоянии от подложки, меньшем длины свободного пробега атомов бора, и процесс легирования пленок осуществляют распылением бора автономным источником лазерного излучения мощностью 0,05-1,5 Вт/см2.
Поликристаллический алмаз // 2581397
Изобретение относится к поликристаллическому алмазу для использования в различных инструментах. Поликристаллический алмаз характеризуется тем, что содержит алмазные спеченные зерна, имеющие средний диаметр зерна более 50 нм и менее 2500 нм, чистоту 99% или более и диаметр зерна D90, составляющий (средний диаметр зерна + средний диаметр зерна × 0,9) или менее, причем поликристаллический алмаз обладает пластинчатой структурой и имеет твердость 100 ГПа или более.

Способ обработки монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт // 2580916
Изобретение относится к технологии обработки монокристаллического CVD-алмазного материала. Описан способ введения NV-центров в монокристаллический CVD-алмазный материал.

Процесс производства синтетического монокристаллического алмазного материала // 2580743
Изобретение относится к процессу синтеза множества синтетических монокристаллических алмазов. Способ включает формирование множества затравочных подушек, каждая из которых содержит множество затравочных монокристаллов алмаза, прикрепленных к инертному держателю или внедренных в него, загрузку источника углерода, металлического катализатора и множества затравочных подушек в капсулу, при этом, по меньшей мере, часть источника углерода располагается на расстоянии менее 0,1 мм от затравочных монокристаллов алмаза, загрузку капсулы в пресс высокого давления и высокой температуры (ВДВТ) и подвергание капсулы циклу ВДВТ-роста для выращивания монокристаллического алмазного материала на множестве затравочных монокристаллов алмаза, причем цикл ВДВТ-роста включает инициирование ВДВТ-роста монокристаллического алмазного материала на множестве затравочных монокристаллов алмаза путем увеличения давления и температуры, поддержание ВДВТ-роста монокристаллического алмазного материала на множестве затравочных монокристаллов алмаза посредством управляемого давлением процесса роста путем управления и поддержания давления и температуры и прекращение ВДВТ-роста монокристаллического алмазного материала на множестве затравочных монокристаллов алмаза путем уменьшения давления и температуры, при этом множество затравочных монокристаллов алмаза остаются прикрепленными к инертным держателям или внедренными в них во время цикла ВДВТ-роста.

Способ обработки поверхности алмаза // 2579398
Изобретение относится к технологии обработки алмаза и может быть использовано в микроэлектронной технике СВЧ. Способ обработки поверхности алмаза включает взаимное расположение в одной плоскости исходной поверхности алмаза и металлической поверхности из стали, обеспечение непосредственного контакта упомянутых поверхностей, термическую обработку исходной поверхности алмаза на заданную глубину, обеспечивающую заданную конечную поверхность алмаза, при этом предусматривающую нагрев упомянутых поверхностей до температуры образования эвтектического сплава железо - углерод, выдержку при этой температуре и естественное охлаждение, причем металлическую поверхность из стали берут с содержанием углерода 3,9-4,1 мас.

Способ получения монокристаллических алмазных эпитаксиальных пленок большой площади // 2577355
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке технологии алмазных электронных приборов увеличенной площади. Способ включает закрепление на подложке монокристаллических алмазных пластин с ориентацией поверхности (100) и последующее нанесение на пластины эпитаксиального алмазного слоя, при этом перед закреплением на подложке на каждой монокристаллической алмазной пластине предварительно сполировывают края, создавая усеченную четырехгранную пирамиду с верхней плоскостью, ориентированной по кристаллографической плоскости (100), и с четырьмя боковыми гранями, ориентированными по плоскостям типа {311}, каждую усеченную пирамиду соединяют с подложкой таким образом, чтобы усеченные пирамиды соприкасались друг с другом своими боковыми гранями, а затем наносят на усеченные пирамиды алмазный эпитаксиальный слой.

Способ получения кристаллических алмазных частиц // 2576055
Изобретение относится к нанотехнологиям материалов. Способ получения кристаллических алмазных частиц включает пропитку порошка наноалмазов, полученных детонационным синтезом, предельным ациклическим углеводородом или одноосновным спиртом в концентрации от 22 мас.

Способ получения искусственных алмазов // 2575713
Изобретение относится к получению искусственного алмаза, который может быть использован в тяжелой промышленности. Перед загрузкой в пресс фуллерен С60 выдерживают в течение 30 минут в потоке водорода, затем помещают в контейнер из пирофиллита один или вместе с поли[гидридо(Н)карбином] в соотношении 1:1, а затем нагружают квазигидростатическим давлением 3-5 ГПа при температуре 973-1173 К.

Монокристаллический, полученный хогф, синтетический алмазный материал // 2575205
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического, полученного химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ), синтетического алмазного материала, который может быть использован в качестве квантовых датчиков, оптических фильтров, частей инструментов для механической обработки и исходного материала для формирования окрашенных драгоценных камней.

Способ определения ориентации nv дефектов в кристалле // 2570471
Изобретение относится к нанотехнологиям и может быть использовано в области разработки материалов на основе алмаза для магнитометрии, квантовой оптики, биомедицины, а также в информационных технологиях, основанных на квантовых свойствах спинов и одиночных фотонов.

Способ получения искусственных алмазов из графита // 2560380
Изобретение относится к технологии получения алмазов. Искусственные алмазы получают из графита на подложке в присутствии электродов путем расположения графита на подложке, являющейся электродом с отрицательным зарядом, расположенной в кварцевой пробирке, и при нагреве до 1000°C при атмосферном давлении в радиационной печи.

Способ производства монокристаллических алмазов белого цвета // 2558606
Изобретение относится к технологии получения алмазов для ювелирных целей. Способ включает помещение подложки, имеющей алмазное зерно с предварительно заданным размером и предварительно заданной оптической ориентацией, в камеру для осуществления химического парофазного осаждения (CVD), подачу в камеру водорода, углеводородного газа, содержащего углерод, газа, содержащего азот, и газа, содержащего диборан, оба из которых приспособлены для ускорения скорости роста алмаза на подложке, приложение электрического поля для образования плазмы близ подложки, приводя тем самым к поэтапному росту алмаза на подложке, завершение процесса CVD в камере, огранку и удаление нежелательного углерода из выращенного алмаза, очистку и огранку алмаза, отжигаемого при предварительно заданной температуре в течение заданного периода времени, проведение окончательной огранки алмаза, полировки и придания цвета.
 
.
Наверх