Силикаты (C30B29/34)

Отслеживание патентов класса C30B29/34
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B29/34                     Силикаты(54)

Кристаллический материал, способ изготовления кристалла, детектор излучения, прибор неразрушющего контроля и прибор визуализации // 2666445
Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционного кристаллического материала для детекторов излучения, используемых для приборов позитронно-эмиссионной томографии (ПЭТ), рентгеновской компьютерной томографии (КТ), различных радиметров в области физики высоких энергий, ресурсодобывающих приборов.

Способ получения силиката висмута bi12sio20 методом кристаллизации в тигле // 2665626
Изобретение относится к области химии и может быть использовано в области пьезо- и оптоэлектроники. Способ получения силиката висмута Bi12SiO20 методом кристаллизации в тигле включает предварительное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида кремния SiO2, нагревание полученной смеси в платиновом тигле до 985±10°С - 1250±10°С с получением расплава с выдержкой не менее 15 минут, охлаждение расплава в тигле до 900±10°С - 953±10°С с изотермической выдержкой в данном интервале температур не менее 15 минут и далее на воздухе со скоростью охлаждения 3-200°С/мин.

Способ получения силиката висмута bi2sio5 // 2654968
Изобретение относится к области химии и может быть использовано для катализаторов для получения необходимых в промышленности газов и в синтезе высокопрочной керамики.

Способ получения порошка кристаллического соединения силиката висмута bi12sio20 // 2643563
Изобретение относится к области получения порошка кристаллического соединения Bi12SiO20 и может быть использовано в радиоэлектронике для создания электро- и магнито-оптических модуляторов лазерного излучения.
Способ получения модифицированного титаносиликата фармакосидеритового типа // 2625118
Изобретение относится к способам получения титаносиликатов, используемых в качестве сорбентов с ионообменными и восстановительными свойствами, и может найти применение для концентрирования и выделения благородных металлов.

Способ получения катодного материала на основе системы li2fesio4 // 2615697
Изобретение относится к электротехнической области и может быть использовано в аккумуляторных батареях транспортных и космических систем с улучшенными удельными характеристиками.

Способ получения волластонита // 2595682
Изобретение относится к технологии переработки кальций- и кремнийсодержащих техногенных отходов борного производства (борогипса) и может быть использовано при производстве игольчатого волластонита для применения в цветной металлургии, в шинной, асбоцементной и лакокрасочной промышленности, в производстве керамики.

Оксидный материал лангаситного типа, способ его получения и сырьевой материал, используемый в способе получения // 2552476
Изобретение относится к технологии получения оксидного материала, имеющего структуру лангаситного типа, который является перспективным материалом для пьезоэлектрических устройств, используемым в области высоких температур.

Термостойкий синтетический ювелирный материал // 2545380
Изобретение относится к материалам для ювелирной промышленности. Прозрачный, полупрозрачный или непрозрачный композиционный нанокристаллический материал на основе наноразмерных оксидных и силикатных кристаллических фаз содержит одну из кристаллических фаз: шпинель, кварцеподобные фазы, сапфирин, энстатит, петалитоподобную фазу, кордиерит, виллемит, циркон, рутил, титанат циркония, двуокись циркония с содержанием ионов переходных, редкоземельных элементов и благородных металлов от 0,001 до 4 мол.

Pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования // 2389835
Изобретение относится к оксидным сцинтилляционным монокристаллам, предназначенным для приборов рентгеновской компьютерной томографии (РКТ) и обследования просвечиванием излучением.

Сцинтилляционное вещество в виде кристаллического соединения на основе силиката // 2357025
Изобретение относится к сцинтилляционным материалам, а именно к неорганическим кристаллическим сцинтилляторам, и может быть использовано в технике детектирования ионизирующих излучений для медицинской диагностики, ядерной геофизики, неразрушающего контроля.

Сцинтилляционное вещество в виде кристаллического соединения на основе силиката // 2315136
Изобретение относится к сцинтилляционным материалам, а именно к кристаллическим сцинтилляторам, и может быть использовано в технике детектирования ионизирующих излучений для медицинской диагностики, ядерной геофизики, неразрушающего контроля и оценки качества продуктов питания.
Способ получения муллита из каолина // 2312940
Изобретение относится к области химической технологии и материаловедения. .
Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката // 2301141
Изобретение относится к обработке пьезоэлектрических подложек, в частности касается прецизионной обработки пластин лантангаллиевого силиката ориентации (0, 138.5, 26.7) методом шлифовки и полировки.
Способ термообработки монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2287621
Изобретение относится к технологии получения кристаллов с триклинной сингонией. .
Способ получения монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2283905
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката (лангасита) методом Чохральского, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах, а также разнообразных пьезоэлектрических и пьезорезонансных датчиков.
Способ получения муллита из кварц-топазового сырья // 2272854
Изобретение относится к области химической технологии и материаловедения. .

Сцинтиляционное вещество (варианты) // 2242545
Изобретение относится к сцинтилляционным материалам и может быть использовано в ядерной физике, медицине и нефтяной промышленности для регистрации и измерения рентгеновского, гамма- и альфа-излучений; неразрушающего контроля структуры твердых тел; трехмерной позитрон-электронной и рентгеновской компьютерной томографии и флюорографии.

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов строннигасита и стронтангасита со структурой галлогерманата кальция // 2241793
Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления шихты для выращивания нового класса упорядоченных четырехкомпонентных соединений галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция (Ca3Ga2 Ge4О14), используемых в пьезотехнике.
Способ получения пятиводного метасиликата натрия // 2213694
Изобретение относится к производству щелочных силикатов и может найти применение в химической промышленности в производстве моющих, чистящих, отбеливающих, дезинфицирующих средств, в текстильной, металлургической, машиностроительной, нефтеперерабатывающей и других отраслях.

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция // 2194808
Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления шихты для выращивания нового класса упорядоченных четырехкомпонентных соединений галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция (Ca3Ga2Ge4O14).
Способ получения сложного оксида формулы y2be2sio7 // 2186886
Изобретение относится к новому способу получения сложного оксида состава Y2Be2SiO7, который может быть использован в качестве кристаллической среды для лазерных кристаллов.

Монокристаллический лазерный материал на основе оксисиликатов редкоземельных элементов // 2186162
Изобретение относится к материалам для квантовой электроники, в частности, к монокристаллам для иттербиевых лазеров с длиной волны около 1,064 мкм, перестраиваемых в диапазоне 1-1,08 мкм с диодной накачкой, и для получения лазерной генерации в режиме сверхкоротких импульсов.
Монокристалл для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения // 2172362
Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) и объемных акустических волнах (ОАВ).
Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2156327
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений. .
Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского // 2147632
Изобретение относится к получению лантангаллиевого силиката, применяемого для изготовления пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосвязи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах.
Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2147048
Изобретение относится к получению шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского.

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского // 2143015
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов лантангаллиевого силиката, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах.

Способ получения синтетического берилла // 2139958
Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к способам получения синтетических драгоценных камней.
Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2126064
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах.

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2126063
Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката.
Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2108418
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах.

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2108417
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката.
Способ получения монокристаллов силиката калия и ниобия k* 002(nbo)*002si*004o*001*002 // 2093616
Изобретение относится к способу получения в гидротермальных условиях монокристаллов K2(NbO)2 Si4O12 и может быть использовано в нелинейной оптике.

Способ изменения окраски минералов // 2076910
Изобретение относится к облагораживанию минералов, в частности бесцветных разновидностей полупрозрачного благородного серпентинита, а также улучшению цвета серпентинита с бледной серо-зеленой окраской.

Способ получения окрашенных кристаллов берилла // 2075559
Изобретение относится к способу получения окрашенных кристаллов берилла для использования в ювелирной промышленности.
Способ получения тонкодисперсного кристаллического порошка синтетического минерала // 2064430
Изобретение относится к области химической промышленности и может быть использовано для получения тонкодисперсных кристаллических материалов, в частности, модифицирующих наполнителей полимеров, бумаги, красок, лаков, резин, функциональной керамики и других композиционных материалов.

Способ выращивания монокристаллов изумруда // 2061108
Изобретение относится к способам выращивания высокочистых монокристаллов изумруда флюсовым методом на затравку, используемым как для ювелирных целей, так и для создания твердотельных лазеров.

Шихта для получения кристаллов муллита и способ получения кристаллов муллита // 2056464
Изобретение относится к составам шихты и способам получения методом твердофазного синтеза игольчатых и нитевидных кристаллов муллита, которые могут быть использованы в качестве армирующего материала в различных композициях или наполнителях в неорганических фильтрах и в качестве матрицы для нанесения катализаторов.
Способ травления монокристаллов лангасита // 2052546
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов лангасита, используемых в электронной технике.

Способ изменения окраски минералов для ювелирных изделий // 1693137
Изобретение относится к облагораживанию бесцветных или слабоокрашенных кристаллов турмалина, которые могут быть использованы в ювелирной промышленности .
 
.
Наверх