Нитриды (C23C16/34)
C Химия; металлургия(326262)
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)
(12971)
C23C16/34 Нитриды(14)
Режущий инструмент с покрытием // 2769502
Изобретение относится к режущему инструменту с покрытием, содержащему основу и покрытие, при этом покрытие содержит внутренний мультислой α-Al2O3 и наружный монослой α-Al2O3, толщина наружного монослоя α-Al2O3 составляет 1-10 μм, предпочтительно 3-5 μм, и толщина внутреннего мультислоя α-Al2O3 составляет менее чем или равна 35% от суммы толщины внутреннего мультислоя α-Al2O3 и толщины наружного монослоя α-Al2O3, и при этом упомянутый мультислой α-Al2O3 состоит из чередующихся подслоев α-Al2O3, и подслоев TiCO, TiCNO, AlTiCO или AlTiCNO, причем упомянутый внутренний мультислой α-Al2O3 содержит по меньшей мере 5 подслоев α-Al2O3, и по меньшей мере один слой из TiC, TiN, TiAlN или TiCN, расположенный между основой и внутренним мультислоем α-Al2O3.
Режущий инструмент с покрытием // 2766635
Изобретение относится к режущему инструменту с покрытием. Режущий инструмент с покрытием содержит основу и покрытие, причем покрытие содержит многослойную систему, состоящую из чередующихся подслоев κ–Al2O3 и подслоев TiN, TiC, TiCN, TiCO или TiCNO, причем упомянутая многослойная система содержит по меньшей мере три подслоя κ–Al2O3 и проявляет рентгенодифрактограмму в диапазоне углов сканирования θ–2θ 15–140°, на которой дифракционный пик 002 (площадь пика) является самым сильным пиком, относящимся к подслоям κ–Al2O3 многослойной системы.
Режущий инструмент с покрытием // 2766604
Изобретение относится к режущему инструменту с покрытием, включающему основу и покрытие, причем покрытие содержит многослойную систему α-Al2O3, состоящую из чередующихся подслоев α-Al2O3 и подслоев TiCO, TiCNO, AlTiCO или AlTiCNO, упомянутая многослойная система α-Al2O3 содержит по меньшей мере 5 подслоев α-Al2O3, полная толщина упомянутой многослойной системы α-Al2O3 составляет 1-15 мкм, период многослойной системы α–Al2O3 составляет 50-900 нм, при этом режущий инструмент с покрытием дополнительно содержит первый слой α-Al2O3, находящийся между основой и многослойной системой α-Al2O3, в непосредственном контакте с многослойной системой α-Al2O3, причем толщина упомянутого слоя α-Al2O3 составляет < 1 мкм, и многослойная система α-Al2O3 проявляет рентгенодифрактограмму в диапазоне углов сканирования θ-2θ 20°-140°, на которой отношение интенсивности дифракционного пика 0012 (площади пика), I(0012), к интенсивностям дифракционного пика 113 (площади пика), I(113), дифракционного пика 116 (площади пика), I(116), и дифракционного пика 024 (площади пика), I(024), составляет I(0012)/I(113) > 1, I(0012)/I(116) > 1 и I(0012)/I(024) > 1.
Изобретение относится к установке для производства текстурированных листов из электротехнической стали. Установка содержит многоступенчатые входные декомпрессионные камеры и многоступенчатые выходные декомпрессионные камеры, которые содержат перегородку, ограничивающую каждую декомпрессионную камеру и имеющую отверстие для прохождения листа, форма которого позволяет текстурированному листу из электротехнической стали свободно проходить через указанное отверстие, и уплотнительные подушки, расположенные на верхней и нижней сторонах отверстия для прохождения листа в перегородке.
Изобретение относится к области материаловедения полупроводников и может быть использовано для получения однородных по составу сегментов нитевидных нанокристаллов InxGa1-xN. Способ формирования нитевидных нанокристаллов InxGa1-xN, где х=0,2-0,8, устойчивых в области метастабильных составов, осуществляют с помощью металхлоридной эпитаксии из газовой фазы при атмосферном давлении в реакторе с использованием газовых прекурсоров GaCl и InCl3, при выполнении которого поддерживают температуру в реакторе 660°С с допустимым отклонением ± до 10°С и осуществляют контроль за содержанием In в твердой фазе внутри нитевидных нанокристаллов за счет изменения соотношения потоков газовых прекурсоров элементов III группы GaCl и InCl3,, и поддержания соотношения потока прекурсора V группы NH3 к суммарному потоку упомянутых прекурсоров III группы в пределах 26.
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С.
Спусковой механизм часов без смазки // 2674288
Спусковой механизм (100) часов с улучшенной трибологией, включающий в себя первый компонент (2) и второй компонент (3), соответственно включающие в себя первую поверхность (20) трения и вторую поверхность (30) трения, выполненные с возможностью взаимодействия в контакте друг с другом, причем вторая поверхность (30) трения включает в себя по меньшей мере один материал на основе кремния, взятый из группы, включающей в себя кремний (Si), диоксид кремния (SiO2), аморфный кремний (a-Si), поликристаллический кремний (p-Si), пористый кремний или смесь кремния и оксида кремния, и причем первая поверхность (20) трения образована поверхностью твердого элемента, который выполнен из твердого нитрида кремния в стехиометрическом составе Si3N4.
Изобретение относится к технологии химического нанесения покрытий путем разложения газообразных соединений, в частности к способам введения газов в реакционную камеру. Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы включает подачу в реактор 5 по крайней мере двух потоков реакционноспособных газов через вводы 1, 2, по крайней мере один из которых смешивают с несущим газом, при этом в качестве источников металлов третьей группы используют триметилалюминий, триметилиндий, триметилгаллий, триэтилгаллий, или их смеси, а в качестве источника азота - аммиак, при этом перед подачей в реактор 5 потоки газов 1, 2 направляют в по крайней мере одну соединенную с реактором 5 смесительную камеру 3 для приготовления газовой смеси, после чего полученную смесь газов направляют в реактор 5 через формирователь потока 4, выполненный с возможностью подачи газов в реактор 5 в условиях ламинарного потока, причем стенки камеры 3 и формирователь потока 4 нагревают и поддерживают при температуре 40÷400°C, при этом внутренний объем смесительной камеры 3 удовлетворяет соотношению V<Q⋅(Pst/P)4T/Tst)⋅1 с, где V - внутренний объем смесительной камеры, см3; Q - полный суммарный расход газа через камеру, выраженный в см3/с, при стандартных условиях; Pst, Tst - стандартные значения температуры и давления (Р=105 Па, Т=273,15 К); Р - давление в смесительной камере; Т - минимальная температура в смесительной камере.
Изобретение может быть использовано для химико-термической обработки внутренней цилиндрической поверхности из конструкционных материалов и изделий из мало- и высоколегированных сталей, титана и титановых сплавов.
Способ выращивания пленки нитрида галлия // 2578870
Изобретение относится к способу выращивания пленки нитрида галлия путем автосегрегации на поверхности подложки-полупроводника из арсенида галлия и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих диодов, лазерных светодиодов, а также сверхвысокочастотных транзисторных приборов высокой мощности.
Изобретение относится к винтовой нажимной стальной пружине для поршневого кольца, выполненной с износостойким покрытием, которая может быть использована как компонент маслосъемного кольца в поршне двигателя внутреннего сгорания.
Изобретение относится к скользящему элементу, в частности поршневому кольцу, с покрытием, а также к способу нанесения покрытия на скользящий элемент. Поршневое кольцо двигателя внутреннего сгорания выполнено из чугуна или стали и имеет износостойкое покрытие.
Изобретение относится к устройству для удаления стружки, способу его изготовления и способу обработки держателя режущего инструмента. .
Изобретение относится к нанесению покрытия на топливопроводящую деталь турбины, например на деталь газовой турбины. .
Изобретение относится к телам, покрытым твердыми материалами, а также к способу их производства и может быть использовано для инструментов, таких как сверла, фрезы и неперетачиваемые режущие пластинки. .
Изобретение относится к способу выращивания пленки нитрида металла группы (III) химическим осаждением из газовой фазы с удаленной плазмой, устройству для осуществления способа и пленке нитрида металла группы (III) и может найти применение при изготовлении светоизлучающих диодов, лазерных светодиодов и других сверхвысокочастотных транзисторных приборов высокой мощности.
Изобретение относится к износостойкому, в частности эрозионностойкому, защитному покрытию, предпочтительно для деталей газовых турбин. .
Изобретение относится к способу получения устойчивых к влаге частиц электролюминесцентного фосфора, устройству для его осуществления и частице фосфора. .
Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к режущим инструментам, применяемым при токарной обработке, фрезеровании, сверлении и др. .
Изобретение относится к изделиям из углеродных, графитовых или керамических материалов с низким тепловым расширением с покрытием из стехиометрической композиции пиролитического PB(Si)N, а также способу получения изделия с покрытием.
Способ нанесения покрытия на поверхность основы (варианты) и устройство для их осуществления // 2125620
Изобретение относится к способу нанесения покрытия на поверхность основы, в частности на поверхность стеклянной подложки и устройству для их осуществления. .
Способ обработки изделий // 1067857
