Фосфаты (C30B29/14)

C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B29/14                     Фосфаты(38)

Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре // 2765557
Устройство относится к области техники, связанной с получением искусственных монокристаллов при постоянной температуре, например, кристаллов KDP (дигидрофосфата калия), DKDP (дейтерофосфата калия), TGS (триглицинсульфата).

Способ быстрого выращивания кристаллов типа kdp со стержневидной затравкой // 2759189
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов типа KDP из раствора. Способ включает изготовление емкости для выращивания кристалла, при этом двигатель установлен в верхней части емкости для выращивания, а соединительный стержень кристаллодержателя присоединяется к нижнему концу вращающегося вала двигателя; изготовление кристаллодержателя для выращивания кристалла, при этом кристаллодержатель включает в себя верхнюю перекладину 7, поддон 12, соединительный стержень 6, боковые несущие стержни 8, 9 и две лезвиеобразные перемешивающие лопасти 10, 11; соединительный стержень 6 закрепляют по центру верхней перекладины 7; нижние концы боковых несущих стержней 8, 9 диаметрально противоположно закреплены на двух краях поддона 12, а верхние концы боковых несущих стержней 8, 9 прикреплены к двум концам верхней перекладины 7; лезвиеобразные перемешивающие лопасти 10, 11 закреплены на боковых несущих стержнях 8, 9; две лезвиеобразные перемешивающие лопасти 10, 11, боковые несущие стержни 8, 9 и верхнюю перекладину 7 располагают в одной вертикальной плоскости; центр верхней поверхности поддона 12 является местом крепления стержневидного затравочного кристалла; все соединения выполнены плавными для обеспечения гладкости; изготовление стержневидного затравочного кристалла 13 с направлением [001] в вертикальном направлении, при этом высота стержневидного затравочного кристалла 13 меньше, чем высота боковых несущих стержней 8, 9 кристаллодержателя, а длина по горизонтали и диапазон ширины стержневидного затравочного кристалла 13 равны 5–15 мм; установку поверхности нижнего конца стержневидного затравочного кристалла 13 в центре верхней поверхности поддона 12 кристаллодержателя; подготовку маточного раствора для выращивания кристалла с точкой насыщения от 40 до 70°C; помещение кристаллодержателя с закрепленным в нем стержневидным затравочным кристаллом 13 в печь для предварительного нагрева на время от 4 до 12 ч, при этом температура предварительного нагрева является температурой точки насыщения маточного раствора; помещение кристаллодержателя с закрепленным в нем стержневидным затравочным кристаллом 13 в подготовленный маточный раствор, присоединение соединительного стержня 6 кристаллодержателя к вращающемуся валу двигателя, запуск двигателя и установку диапазона скорости вращения равным от 10 до 50 об/мин, при этом режим вращения состоит из цикла: вращение в прямом направлении – 25 с, замедление – 2 с, остановка – 1 с, ускорение в обратном направлении – 2 с, вращение в обратном направлении – 25 с, замедление – 2 с, остановка – 1 с, ускорение в прямом направлении – 2 с; нагрев маточного раствора до температуры, на 5–15°C превышающей температуру точки насыщения, для обработки перегревом, охлаждение, чтобы степень перенасыщения маточного раствора была между 5 и 15%, таким образом реализуя быстрый рост кристалла на стержневидном затравочном кристалле и получение кристалла типа KDP.

Способ синтеза фосфатов металлов в степени окисления iii // 2758257
Изобретение может быть использовано при изготовлении керамических изоляторов и ферромагнетиков, матриц для иммобилизации токсичных промышленных отходов. Способ синтеза фосфатов металлов в степени окисления III включает приготовление растворов солей металлов из исходных реагентов, в качестве которых используют нитраты, хлориды металлов, ацетат хрома.

Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре // 2745770
Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KH2PO4), в том числе, в промышленных масштабах.

Способ выращивания водорастворимых монокристаллов, использующий кондиционирование раствора // 2717800
Изобретение относится к технологии выращивания водорастворимых оптических монокристаллов, в частности, группы дигидрофосфата калия (KDP), которые могут быть использованы, например, при изготовлении активных элементов параметрических преобразователей лазерного излучения для квантовой оптики.
Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата // 2712689
Изобретение относится к очистке дигидрофосфата калия, который в виде крупногабаритных монокристаллов используется в лазерных установках высокой пиковой мощности. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата включает растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании.

Композитный протонопроводящий материал и способ его получения // 2703246
Изобретение может быть использовано при создании протонообменных мембран, применяемых в топливных элементах на основе водорода. Композитный протонопроводящий материал имеет состав xCs4(HSO4)3(H2PO4)-(1-х)AlPO4, где х=0,5-0,9.

Способ получения биоактивного покрытия на основе кремнийзамещенного гидроксиапатита // 2680149
Изобретение относится к медицине. Описан способ получения биоактивного покрытия на основе кремнийзамещенного гидроксиапатита, включающий воздушно-абразивную обработку с использованием порошка электрокорунда дисперсностью 250-300 мкм в течение 4-6 мин, затем для формирования покрытия проводят электроплазменное напыление подслоя из порошка титана с дисперсностью 100-150 мкм в течение 5-10 с при токе дуги 300 А с дистанции напыления 150-200 мм и расходе плазмообразующего газа 20 л/мин, после чего проводят электроплазменное напыление кремнийзамещенного гидроксиапатита с дисперсностью до 90 мкм в течение 12-15 с при токе дуги 350 А с дистанции напыления 50-100 мм и расходе плазмообразующего газа 20 л/мин.

Способ получения сложного гидросульфатфосфата цезия состава cs6(h2so4)3(h2po4)4 // 2636713
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4, который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала.

Способы получения кремнийзамещенного гидроксиапатита и биоактивного покрытия на его основе // 2635189
Изобретение относится к медицине. Описан способ получения кремнийзамещенного гидроксиапатита, включающий синтез кремнийзамещенного гидроксиапатита методом осаждения из водного раствора реагентов, содержащих ортофосфорную кислоту, гидроксид кальция и тетраэтилортосиликат, отстаивание, выделение осадка, высушивание и термообработку осадка, отличающийся тем, что термообработку осадка ведут при температуре 200-250°С в течение 2-3 часов, затем его охлаждают в течение 1-2 часов, размалывают в течение 15 мин и производят фракционирование до 90 мкм.

Способ получения монофазного кристаллического кремний-замещенного гидроксилапатита // 2580728
Изобретение относится к технологии получения кристаллического кремний-замещенного гидроксилапатита (Si-ГА), который может быть использован в ортопедии и стоматологии. Si-ГА получают методом осаждения из модельного раствора внеклеточной жидкости путем приготовления раствора состава: СаСl2 - 3,7424 г, MgCl2 - 0,6092 г, К2НРO4 - 2,8716 г, NaHCO3 - 4,5360 г, Na2SO4 - 0,0144 г, NaCl - 8,8784 г при рН 7,40±0,05, добавления в него модифицированного силиката натрия в молярном отношении Ca/(P+Si) 2,00÷2,50 в форме Na2SiO3, отстаивания в течение 48 часов, фильтрования, промывки и высушивания при температуре 80±5°C в течение 5 часов.

Способ выращивания водорастворимых монокристаллов группы дигидрофосфата калия (kdp) // 2550877
Изобретение относится к технологии выращивания водорастворимых оптических монокристаллов группы дигидрофосфата калия (KDP), которые могут быть использованы, например, при изготовлении активных элементов параметрических преобразователей лазерного излучения для квантовой оптики.

Способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для осуществления // 2531186
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, предназначенных для использования в оптико-электронных устройствах. Способ выращивания кристаллов из пересыщенного раствора включает испарение растворителя с поверхности пересыщенного раствора, находящегося внутри кристаллизационного сосуда, конденсацию паров растворителя в верхней части сосуда, перетекание образовавшегося конденсата в нижнюю зону сосуда, при этом конденсат растворителя, собранный в верхней части кристаллизационного сосуда, основным насосом подают в расположенный вне сосуда контейнер, заполненный кристаллическим материалом, что обеспечивает постепенное контролируемое растворение материала, образовавшийся раствор из контейнера подают в зону кристаллизационного сосуда, заполненную пересыщенным раствором, часть раствора дополнительным насосом из верхней части контейнера по байпасной линии вновь направляют в нижнюю часть контейнера, в процессе выращивания кристалла обеспечивают контроль за изменением массы кристаллического вещества, которое находится внутри контейнера, причем по мере израсходования кристаллического вещества в контейнере в результате его растворения производят повторную загрузку контейнера кристаллическим материалом, не прерывая процесс выращивания кристалла.

Способ получения нанокристаллического кремнийзамещенного гидроксиапатита // 2500840
Изобретение относится к технологии получения неорганических материалов, которые могут быть использованы для производства медицинских материалов, стимулирующих восстановление дефектов костной ткани, в том числе в стоматологии.

Способ получения нанокристаллического кремний-замещенного гидроксилапатита // 2489534
Изобретение относится к области химии, а именно к механохимическим способам получения нанокристаллического кремний-замещенного гидроксилапатита, являющегося биологически активным материалом, который может быть использован для покрытия металлических и керамических имплантатов, в качестве наполнителя для восстановления дефектов костной ткани при изготовлении медицинской керамики и композитов для стоматологии и челюстно-лицевой хирургии, а также лечебных паст.

Способы получения сложного гидросульфатфосфата цезия состава cs5(hso4)2(h2po4)3 // 2481427
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу гидросульфатфосфата цезия состава Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 , который может быть использован в качестве твердого протонпроводящего материала.

Способ выращивания монокристаллов группы kdp на затравку, размещаемую в формообразователе // 2398921
Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов.

Установка для выращивания кристаллов из растворов // 2381303
Изобретение относится к технике выращивания кристаллов из растворов солей, в частности для выращивания кристаллов группы KDP (КН2РO4), которые широко применяются для изготовления элементов нелинейной оптики.

Способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для его осуществления // 2285068
Изобретение относится к области техники, связанной со скоростным выращиванием кристаллов типа КН2РО4 (KDP) при постоянной фильтрации раствора. .

Устройство для выращивания ориентированных и профилированных кристаллов группы кдр из точечной затравки и затравочный узел устройства // 2197569
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов для нелинейной оптики. .

Способ выращивания монокристаллов // 2194100
Изобретение относится к области выращивания кристаллов точечной группы 32. .

Гидротермальный способ выращивания крупноразмерных кристаллов ортофосфатов алюминия или галлия // 2186884
Изобретение относится к технологии выращивания металлортофосфатов, в частности AlPO4 и GaPO4, которые могут быть использованы в пьезотехнике, а именно в резонаторах и фильтрах различного назначения.

Устройство для скоростного выращивания профилированных и ориентированных моносекториальных кристаллов группы кдр из раствора // 2176000
Изобретение относится к выращиванию кристаллов с заданными формой и кристаллографической ориентацией из водных растворов. .

Кристаллизатор для выращивания кристаллов из пересыщенного раствора // 2165486
Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п. .

Способ выращивания кристаллов кальцийфосфатов // 2156325
Изобретение относится к области биомедицины, конкретно к способам выращивания кристаллов кальцийфосфатов и может быть использовано в травматологии, ортопедии, стоматологии, клеточной инженерии, фармакологии.

Устройство для выращивания кристаллов группы кдр // 2136789
Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов, например, для нелинейной оптики. .

Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора // 2133307
Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР.

Способ уменьшения воды в пьезоэлектрических кристаллических элементах gapo4 и устройство для его осуществления // 2060306
Изобретение относится к способам уменьшения содержания воды в пьезоэлектрических кристалических элементах GaPO4. .

Способ получения монокристаллов ортофосфата галлия // 2019583
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов ортофосфата галлия GaPO4, являющегося высокотемпературным пьезоэлектрическим материалом, обладающим оптической прозрачностью в области глубокого ультрафиолета.

Способ выращивания монокристаллов группы дигидрофосфата калия // 1771214
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов на затравках, ростовая поверхность которых представляет собой естественную грань. .

Способ получения затравочной пластины // 1732701
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов типа КДР большого сечения. .

Способ изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов // 1730223
Изобретение относится к способам понижения оптической плотности изделий оптики и может быть использовано для изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов, в частности для изготовления удвоителей и утроителей частоты лазерного излучения.

Способ выращивания монокристаллов типа кдр // 1619750
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и может быть использовано для скоростного выращивания водно-растворимых кристаллов для нелинейной оптики. .

Способ термообработки монокристаллов дигидрофосфата калия // 1440098
Изобретение относится к способам повышения оптической и механической прочноаи монокристаллических материалов, используемых в лазерном гр1бороа|эоении, и поздоляет повысить механическую и лазерную прочность.

Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия // 1345688
Изобретение относится к отособу термообработки радиационно - поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия и позволяет улучшить структуру и оптические харааериаики кристаппов , Радиационно - поврежденные кристаллы нагревают со скоростью не более 2 с/ч до температуры на 3 - 5 с ниже температуры фазового перехода (Т ).

 // 292888
 
.
Наверх