Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала (C30B23)

Отслеживание патентов класса C30B23
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B23                 Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала(116)

Способ получения монокристаллического sic // 2671349
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем.

Нагревательная система, содержащая полупроводниковые источники света // 2669549
Изобретение относится к области нагревательных устройств и может быть использовано для регулирования температуры обработки полупроводниковой пластины в процессе выращивания полупроводникового слоя.

Способ получения алмазоподобных тонких пленок // 2668246
Изобретение относится к технологии производства тонких алмазных пленок и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и активных слоев тонкопленочных наноструктур.

Способ изготовления фильтров для ик-диапазона // 2664912
Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа изготовления фильтров для ИК-диапазона.

Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием // 2663041
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.

Способ низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии наноразмерных пленок нитридов металлов третьей группы таблицы д.и. менделеева // 2658503
Изобретение предназначено для производства гетероэпитаксиальных структур для изготовления светодиодов, фотоприемников, полупроводниковых лазеров, транзисторов и диодов.

Способ получения твердотельных регулярно расположенных нитевидных кристаллов // 2657094
Изобретение относится к технологии формирования упорядоченных структур на поверхности твердого тела и может быть использовано для получения нитевидных кристаллов из различных материалов, пригодных для термического испарения.

Способ получения монокристаллического sic // 2633909
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем.
Способ получения игольчатых монокристаллов оксида молибдена vi моо3 // 2631822
Изобретение относится к технологии получения игольчатых монокристаллов оксида молибдена VI MoO3. Поверхность молибденовой ленты, надежно закрепленной своими концами и выгнутой кверху в виде арки, разогревают с помощью резистивного, индукционного или лучевого воздействия до температуры 650-700°С в окислительной газовой среде, содержащей от 10 до 40% кислорода и инертный газ или смесь инертных газов при давлении, превышающем 100 Па, выдерживают при этой температуре в течение не менее 10 с с момента появления паров MoO3 белого цвета, затем нагрев прекращают и молибденовую ленту остужают до 25°С, после чего нагрев возобновляют при температуре 650-700°С до образования на торцах и поверхности молибденовой ленты из паров MoO3 тонких игольчатых монокристаллов оксида молибдена длиной до 5 мм.

Способ получения монокристаллического sic // 2621767
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем.

Способ получения оптического поликристаллического селенида цинка // 2619321
Изобретение относится к конструкционным изделиям ИК-оптики, обеспечивающим, наряду с основной функцией пропускания излучения в требуемом спектральном диапазоне, защитные функции приборов и устройств от воздействий внешней среды.

Способ получения нитевидного нитрида алюминия // 2617495
Изобретение относится к химической технологии получения нитевидных нанокристаллов нитрида алюминия (или нановискеров) и может быть использовано при создании элементов нано- и оптоэлектроники, а также люминесцентно-активных наноразмерных сенсоров медико-биологического профиля.

Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке // 2614330
Изобретение относится к технологиям получения износостойких, прочностных тонких алмазных пленок методом вакуумной лазерной абляции и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и создания наноструктурных материалов.

Способ получения монокристаллического sic // 2603159
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем.

Способ получения монокристаллического sic // 2562486
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем.

Способ получения монокристалла sic // 2562484
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллов SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем.

Способ получения монокристаллического sic // 2557597
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем.

Способ получения наноразмерных слоев углерода со свойствами алмаза // 2532749
Изобретение относится к нанесению покрытий путем проведения неравновесных процессов распыления в вакууме ионным пучком.
Способ получения наноразмерных пленок феррита // 2532187
Изобретение относится к технологии получения наноразмерных пленок мультиферроиков и может найти применение в производстве высокодобротных магнитооптических устройств обработки и хранения информации, магнитных сенсоров, емкостных электромагнитов, магнитоэлектрических элементов памяти, невзаимных сверхвысокочастотных фильтров.
Способ получения наноразмерных пленок bi-содержащих ферритов-гранатов // 2532185
Изобретение относится к технологии получения пленок ферритов-гранатов и может быть использовано в прикладной магнитооптике для получения магнитооптических дисков, модуляторов, дефлекторов.

Способ получения алмазоподобных покрытий комбинированным лазерным воздействием // 2516632
Изобретение относится к технологиям повышения износостойких, прочностных и антифрикционных свойств металлорежущего инструмента, внешних поверхностей обшивки авиационных и космических летательных аппаратов, оптических приборов и нанотехнологиям.
Способ получения оптических поликристаллических материалов на основе селенида цинка // 2516557
Изобретение относится к области технологии материалов для оптоэлектроники конструкционной оптики, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов ИК-техники.

Способ создания на подложках монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма // 2507317
Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано в физике конденсированного состояния, приборостроении, микроэлектронике, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов твердого раствора висмут-сурьма с совершенной монокристаллической структурой.
Способ получения больших однородных кристаллов карбида кремния с использованием процессов возгонки и конденсации // 2495163
Изобретение может быть использовано в изготовлении полупроводниковых материалов. Способ получения монолитных кристаллов карбида кремния включает i) помещение смеси, содержащей крошку поликристаллического кремния и порошок углерода, на дно цилиндрической реакционной камеры, имеющей крышку; ii) герметизацию цилиндрической реакционной камеры; iii) помещение цилиндрической реакционной камеры в вакуумную печь; iv) откачивание из печи воздуха; v) заполнение печи смесью газов, которые по существу являются инертными газами, до приблизительно атмосферного давления; vi) нагревание цилиндрической реакционной камеры в печи до температуры от 1975 до 2500°С; vii) снижение давления в цилиндрической реакционной камере до менее 50 Торр, но не менее 0,05 Торр; и viii) осуществление сублимации и конденсации паров на внутренней части крышки цилиндрической реакционной камеры.

Композиционный оптический материал и способ его получения // 2485220
Изобретение относится к оптико-механической промышленности, в частности к оптическим материалам, применяемым в устройствах и приборах инфракрасной техники, и может быть использовано для изготовления защитных входных люков (окон), обеспечивающих надежное функционирование приборов.

Устройство для производства монокристаллического нитрида алюминия, способ производства монокристаллического нитрида алюминия и монокристаллический нитрид алюминия // 2485219
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического нитрида алюминия, который входит в состав светоизлучающих диодов и лазерных элементов.

Способ получения эпитаксиальных пленок твердого раствора (sic)1-x(aln)x // 2482229
Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. .

Способ выращивания монокристалла aln и устройство для его реализации // 2468128
Изобретение относится к технологии получения объемных монокристаллов и может быть использовано, преимущественно, в оптоэлектронике при изготовлении подложек для различных оптоэлектронных устройств, в том числе светодиодов, излучающих свет в ультрафиолетовом диапазоне.

Способ получения монокристаллического sic // 2454491
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем.

Способ получения кристаллов gan или algan // 2446236
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов нитрида галлия или нитрида алюминия-галлия. .

Способ получения кристаллов фуллерена с60 особой чистоты // 2442847
Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов из парогазовой фазы.

Способ получения микрокристаллов нитрида алюминия // 2437968
Изобретение относится к области выращивания микромонокристаллов нитрида алюминия. .

Способ получения монокристаллического sic // 2433213
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем.

Тигель для выращивания монокристаллического слитка карбида кремния с нитридом алюминия и гетероструктур на их основе // 2425914
Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах.

Кристалл sic диаметром 100 мм и способ его выращивания на внеосевой затравке // 2418891
Изобретение относится к полупроводниковым материалам и технологии их получения и может быть использовано в электронике.

Способ получения монокристаллического sic // 2405071
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем.

Тигель для выращивания объемного монокристалла нитрида алюминия (aln) // 2389832
Изобретение относится к устройствам для получения полупроводников и предназначено, в частности, для производства коротковолновых оптоэлектронных полупроводниковых приборов, работающих при высоких температурах в агрессивных средах.

Способ получения на подложке кальций-фосфатного покрытия // 2372101
Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов.

Способ получения эпитаксиальных пленок растворов (sic) 1-x(aln)x // 2333300
Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC).
Способ выращивания монокристаллического нитрида алюминия // 2330905
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из паров, в частности к выращиванию монокристаллов нитрида алюминия конденсацией испаряемого или сублимируемого материала.

Способ выращивания монокристаллического нитрида алюминия и устройство для его осуществления // 2330904
Изобретение относится к выращиванию кристаллов из паров, в частности к выращиванию монокристаллов нитрида алюминия конденсацией испаряемого и сублимируемого материала.

Печь для эпитаксии карбида кремния // 2330128
Изобретение относится к электротермическому оборудованию и предназначено, в частности, для производства монокристаллов карбида кремния эпитаксией из газовой фазы.
Отжиг монокристаллических алмазов, полученных химическим осаждением из газовой фазы // 2324764
Изобретение относится к отжигу алмаза, а именно к отжигу монокристаллического CVD-алмаза. .

Тигель для эпитаксии карбида кремния // 2324019
Изобретение относится к материалам электронной техники, в частности к технологии производства монокристаллов карбида кремния эпитаксией из газовой фазы.

Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее устройство на основе ga2o 3 и способ его изготовления // 2313623
Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике.

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов sic-aln // 2260636
Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов.

Способ получения трубчатого кристалла карбида кремния // 2182607
Изобретение относится к технологии электронного приборостроения, а именно к способам размерного профилирования кристаллов карбида кремния, и может быть использовано в микросистемной технике, оптоэлектронике и т.п.

Устройство для формирования многослойных структур // 2175692
Изобретение относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, а более конкретно к устройствам для нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе.
 
.
Наверх